thus Vo depends both on doping conc

thus Vo depends both on doping concentrations and on temperature.
it is know as the junction built-in voltage.
Typically, for silicon at room temperature, Vo is in the range of 0.6v. to 0.9v.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Vo จึงขึ้นอยู่กับทั้งความเข้มข้นของยาสลบและอุณหภูมิ.
มันจะรู้ว่าเป็นทางแยกในตัวแรงดันไฟฟ้า.
โดยปกติแล้วสำหรับซิลิกอนที่อุณหภูมิห้อง Vo อยู่ในช่วง 0.6v เพื่อ 0.9v

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังนั้น โวจะขึ้นอยู่กับทั้งยาสลบความเข้มข้นและอุณหภูมิ .
มันรู้ว่าเป็นชุมทางในแรงดันไฟฟ้า
โดยปกติสำหรับซิลิคอนที่อุณหภูมิห้อง หวอ อยู่ในช่วงของ 0.6v เพื่อ 0.9v .