thus Vo depends both on doping concentrations and on temperature. it is know as the junction built-in voltage. Typically, for silicon at room temperature, Vo is in the range of 0.6v. to 0.9v.
thus Vo depends both on doping concentrations and on temperature.it is know as the junction built-in voltage.Typically, for silicon at room temperature, Vo is in the range of 0.6v. to 0.9v.
Vo จึงขึ้นอยู่กับทั้งความเข้มข้นของยาสลบและอุณหภูมิ. มันจะรู้ว่าเป็นทางแยกในตัวแรงดันไฟฟ้า. โดยปกติแล้วสำหรับซิลิกอนที่อุณหภูมิห้อง Vo อยู่ในช่วง 0.6v เพื่อ 0.9v