where  is the angle of incident wi

where  is the angle of incident with respect to the normal incident radiation and in the present set up it was taken as 90◦
Fig. 5 shows the plot of resistance as a function of blackbody temperature (TBB) and detector temperature (TD) when device was in contact with the IR source. The exponential decrease in the resistance with respect to increase in the body temperature was observed. The effective power of device/sensor for different distances (d) of source to detector was calculated using Eq. (4). Fig. 6 shows the graph of resistance against effective power of detector. From the graph it was noted that the effective power absorbed by the thermo sensor decreases with respect to increase in the distance between the source and the detector. The maximum and minimum power was obtained when the distance (d) is 1 cm and
5 cm respectively.
Table 1 represents the electrical characteristics such as resistance, thermistor constant (ˇ), TCR and responsivity in terms of (R/R)/mW of thick film NTC thermistor as an IR detector. The IR responsivity was calculated by taking the electrical output per mili watt of the incident energy (Fig. 6). The resistance, thermistor constant and TCR of the thermistor were 540 K, 4045 K and −4.51%/K respectively with the responsitivity of 28.79/mW. It may be noted here that Vittal [14] has reported the IR responsivity of 87/W for lead oxide based thick film NTC thermistors which is much lower than that of the present case which are completely ‘lead free’ thick film NTC thermistor. Karanth et al. [10] also reported the thin film thermistor prepared using oxides of Mn–Ni–Co having lower thermistor value of constant (2186 K), higher sheet resistance 5 × 105/sq and the responsivity, and detectivity of the infrared detector 3000V W−1 and 4.4 × 108 cm Hz1/2W−1 at operating frequency of 10 Hz. In this case also, the resistance is quite higher than that of our reported value and also lower thermistor constant and resposivity than the present case of lead free thick film thermo sensor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซึ่งเป็นมุมของเหตุการณ์เกี่ยวกับรังสีเหตุการณ์ปกติ และในปัจจุบันการตั้งค่า ถูกนำมาเป็น 90◦ Fig. 5 แสดงพล็อตของความต้านทานเป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิ blackbody (TBB) และเครื่องตรวจจับอุณหภูมิ (TD) เมื่ออุปกรณ์ติดต่อกับแหล่ง IR ลดลงความต้านทานด้วยความเคารพเพื่อเพิ่มอุณหภูมิร่างกายเนนถูกตรวจสอบ พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพของอุปกรณ์/เซ็นเซอร์สำหรับระยะทาง (d) แตกต่างกันของแหล่งจับถูกคำนวณโดยใช้ Eq. (4) Fig. 6 แสดงกราฟของความต้านทานเทียบกับพลังงานที่มีประสิทธิภาพของเครื่องตรวจจับ จากกราฟ จะถูกบันทึกว่า อำนาจมีประสิทธิภาพดูดซึม โดยเทอร์โม เซนเซอร์ลดเกี่ยวกับการเพิ่มระยะห่างระหว่างต้นทางและเครื่องตรวจจับ อำนาจสูงสุด และต่ำสุดได้รับเมื่อ 1 ซ.ม.ระยะห่าง (d) และ5 ซม.ตามลำดับ ตารางที่ 1 แสดงลักษณะต้านทาน thermistor ค่าคง (ˇ), TCR และ responsivity ในแง่ของ /mW (R/R) ของฟิล์มหนา NTC thermistor เป็นเครื่องตรวจจับสัญญาณการไฟฟ้า IR responsivity ถูกคำนวณ โดยการนำผลผลิตไฟฟ้าต่อแพทย์วัตต์พลังงานปัญหา (Fig. 6) ต้านทาน คง thermistor และ TCR ของ thermistor ได้ 540 K, 4045 K และ −4.51%/K ตามลำดับกับ responsitivity ของ 28.79/mW มันอาจบันทึกนี่ Vittal [14] ได้รายงาน responsivity IR ของ 87/W สำหรับนำออกไซด์ใช้ฟิล์มหนา NTC thermistors ซึ่งต่ำกว่าตัวปัจจุบันซึ่งเป็น 'รอฟรี' ฟิล์มหนา NTC thermistor สมบูรณ์ มาก ขึ้น Karanth et al. [10] ได้รายงาน thermistor ฟิล์มบางที่เตรียมโดยใช้ออกไซด์ของ Mn – Ni – บริษัทมีค่า thermistor ต่ำของค่าคง (2186 K), สูงแผ่นความต้านทาน 5 × 105 /sq และ responsivity และ detectivity ของอินฟราเรด 3000V W−1 และ 4.4 × 108 ซม Hz1/2W−1 ที่คลื่นความถี่ 10 Hz ในกรณีนี้ยัง ต่อต้านค่อนข้างสูงกว่าที่เราค่ารายงาน แล้วยัง ลดค่าคงของ thermistor และ resposivity กว่ากรณีมีของรอฟิล์มหนาฟรีเทอร์โมเซนเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่? เป็นมุมของเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นที่เกี่ยวกับรังสีเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นตามปกติและอยู่ในชุดปัจจุบันขึ้นมันถูกนำมาเป็น90◦
รูป 5 แสดงให้เห็นถึงพล็อตของความต้านทานเป็นหน้าที่ของอุณหภูมิว่าความ (TBB) และอุณหภูมิเครื่องตรวจจับ (TD) เมื่ออุปกรณ์อยู่ในการติดต่อกับแหล่งที่มา IR ลดลงชี้แจงในการต้านทานที่เกี่ยวกับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิของร่างกายได้สังเกต พลังงานที่มีประสิทธิภาพของอุปกรณ์ / เซ็นเซอร์สำหรับระยะทางที่แตกต่างกัน (ง) ของแหล่งที่มาในการตรวจจับที่คำนวณได้โดยใช้สมการ (4) รูปที่ 6 แสดงกราฟของความต้านทานกับพลังงานที่มีประสิทธิภาพของเครื่องตรวจจับ จากกราฟมันก็สังเกตเห็นว่าพลังงานที่มีประสิทธิภาพการดูดซึมโดยเซ็นเซอร์ความร้อนลดลงเกี่ยวกับการเพิ่มขึ้นในระยะห่างระหว่างแหล่งที่มาและตรวจจับ สูงสุดและอำนาจน้อยที่สุดที่ได้รับเมื่อระยะทาง (ง) เป็น 1 ซมและ
5 ซมตามลำดับ
ตารางที่ 1 แสดงให้เห็นถึงคุณลักษณะทางไฟฟ้าเช่นความต้านทานคงที่เทอร์มิสเตอร์ () TCR และ responsivity ในแง่ของ (? R / R) / mW ของฟิล์มหนากทชเทอร์มิสเตอร์เป็นเครื่องตรวจจับอินฟราเรด responsivity IR ที่คำนวณได้จากการส่งออกไฟฟ้าต่อวัตต์ Mili ของพลังงานเหตุการณ์ที่เกิดขึ้น (รูปที่ 6). ความต้านทานคงที่เทอร์มิสเตอร์และ TCR ของเทอร์มิสเตอร์เป็น 540 K, 4045 K และ -4.51% / K ตามลำดับ responsitivity ของ 28.79 / mW มันอาจจะถูกตั้งข้อสังเกตว่าที่นี่ Vittal [14] มีรายงาน responsivity IR 87 / W เพื่อนำออกไซด์ตามฟิล์มหนาเทอร์มิสเตอร์กทชซึ่งเป็นมากต่ำกว่ากรณีปัจจุบันที่สมบูรณ์ 'นำฟรี' ฟิล์มหนากทชเทอร์มิสเตอร์ Karanth และคณะ [10] นอกจากนี้ยังมีรายงานเทอร์มิสเตอร์ฟิล์มบางเตรียมใช้ออกไซด์ของ Mn-Ni-Co เทอร์มิสเตอร์มีค่าต่ำกว่าค่าคงที่ (2186 K), ความต้านทานสูงกว่าแผ่น 5 × 105? / ตารางและ responsivity และการตรวจจับของตัวตรวจจับอินฟราเรด 3000V W -1 และ 4.4 × 108 เซนติเมตร HZ1 / 2W-1 ที่ความถี่การดำเนินงานของ 10 เฮิร์ตซ์ ในกรณีนี้ยังต้านทานที่ค่อนข้างสูงกว่าค่ารายงานของเราและคงที่เทอร์มิสเตอร์และยังต่ำกว่า resposivity กรณีปัจจุบันของตะกั่วหนาเซ็นเซอร์ความร้อนฟิล์ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่  คือมุมของเหตุการณ์เกี่ยวกับรังสีเหตุการณ์ปกติและในปัจจุบันตั้งถ่าย เป็น 90 ◦
รูปที่ 5 แสดงพล็อตของความต้านทานที่เป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิ blackbody ( TBB ) และเครื่องตรวจจับอุณหภูมิ ( TD ) เมื่ออุปกรณ์อยู่ในการติดต่อกับและแหล่งที่มา แทนลดลงในการต้านทานด้วยการเพิ่มอุณหภูมิในร่างกายเพิ่มสูงขึ้นที่มีประสิทธิภาพพลังงานของอุปกรณ์ / เครื่องมือสำหรับระยะทางที่แตกต่างกัน ( D ) ของแหล่งที่มาเพื่อตรวจจับหาใช้อีคิว ( 4 ) รูปที่ 6 แสดงกราฟการต่อต้านอำนาจที่มีประสิทธิภาพของเครื่องตรวจจับ จากกราฟมันเป็นข้อสังเกตว่ามีประสิทธิภาพพลังงานดูดซึมโดยเทอร์โมเซ็นเซอร์ลดลงด้วยการเพิ่มระยะห่างระหว่างแหล่งกำเนิดและเครื่องตรวจจับสูงสุดและต่ำสุดพลังได้เมื่อระยะทาง ( D )
5 ซม. และ 1 ซม. ตามลำดับ ตารางที่ 1 แสดงลักษณะไฟฟ้า
เช่นความต้านทาน Thermistor คงที่ ( ˇ ) และในแง่ของภูมิภาค responsivity (  r / R ) / บริษัท NTC Thermistor ฟิล์มหนาเป็น IR ตรวจจับ และ responsivity คำนวณโดยการใช้ผลลัพธ์ต่อวัตต์ของไฟฟ้ามิลิเรื่องพลังงาน ( ภาพที่ 6 )ความต้านทาน Thermistor , คงที่และประวัติของ thermistor เป็น 540 K , 4045 K − 4.51 % / K ตามลำดับกับ responsitivity ของ 28.79/mw . อาจจะสังเกตได้ว่า น วิททาล [ 14 ] มีรายงาน IR responsivity 87 / W สำหรับออกไซด์ตะกั่วที่ใช้ฟิล์มหนา thermistors NTC ซึ่งต่ำกว่าที่ของปัจจุบันคดีซึ่งเป็นสมบูรณ์ฟรี ' ' นำฟิล์มหนา NTC Thermistor . karanth et al .[ 10 ] ยังรายงานเตรียมฟิล์มบางโดยใช้ออกไซด์ของ MN Thermistor –ฉัน– Co มีมูลค่าลดลง thermistor คงที่ ( 1 k ) มีค่าต้านทาน 5 × 105 แผ่น / ตร.  และ responsivity และ detectivity ของเครื่องตรวจจับอินฟราเรด 3000v W − 1 และ 4.4 × 108 ซม. hz1 / ms − 1 ที่ปฏิบัติการ ความถี่ 10 Hz . ในคดีนี้ด้วยความต้านทานจะค่อนข้างสูงกว่าที่ของของเรารายงานค่าและยังลด thermistor คงที่และ resposivity กว่ากรณีปัจจุบันของเซ็นเซอร์ thermo นำฟิล์มหนาฟรี