the test device and shows that in l

the test device and shows that in low anode current
region the SIT-thyristor operates almost similar to
the SIT, and the increase the anode current increase
the hole injection from the anode, which occurs the
transient trace to the on state as a diode. On the analogy
of the conventional thyristor, two equations about the
circuit are obtained, that is,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุปกรณ์ทดสอบและแสดงให้เห็นว่าในกระแสแอโนดต่ำภูมิภาค thyristor นั่งทำงานเกือบจะคล้ายกับเพิ่มนั่ง และแอโนดปัจจุบันเพิ่มขึ้นการฉีดหลุมจากขั้วบวก ซึ่งเกิดขึ้นการติดตามสถานะการเป็นไดโอดชั่วคราว ในการเปรียบเทียบของธรรมดา thyristor สองสมการเกี่ยวกับการวงจรจะได้รับ คือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุปกรณ์ทดสอบและแสดงให้เห็นว่าในปัจจุบันต่ำขั้วบวก
ภูมิภาค SIT-ทรานซิสเตอร์ดำเนินเกือบจะคล้ายกับ
SIT และการเพิ่มขึ้นเพิ่มขึ้นในปัจจุบันขั้วบวก
ฉีดหลุมจากขั้วบวกซึ่งเกิดขึ้น
ชั่วคราวร่องรอยการกับรัฐเป็นไดโอด ในการเปรียบเทียบ
ของทรานซิสเตอร์ธรรมดาสองสมการเกี่ยวกับ
วงจรจะได้รับนั่นคือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทดสอบอุปกรณ์และแสดงให้เห็นว่าในระดับภูมิภาคโดยปัจจุบัน
นั่งหลักทำงานเกือบคล้ายกับ
นั่งและเพิ่มกระแสแอโนดเพิ่ม
ฉีดหลุมจากขั้วบวกซึ่งเกิดขึ้น
ติดตามชั่วคราวไปในรัฐเป็นไดโอด บนคล้ายคลึง
ของผู้บริหารเดิม สองสมการเกี่ยวกับ
วงจรได้ นั่นคือ