GaAs-Bi light emitting diodes have

GaAs-Bi light emitting diodes have been grown and characterized. The p-i-n structure uses a 100 nm intrinsic layer with a central 50 nm GaAs-Bi light emitting layer with 1.8% bismuth. The diodes showed peaks in the electroluminescence (EL) emission at 987 nm from the GaAs-Bi was independent of temperature in the range 100-300 K while the GaAs peak shifted with temperature as expected. Photoluminescence measurements on the same p-i-n structure show temperature dependence of the peak wavelength similar to the temperature dependence of GaAs.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

GaAs Bi เปล่งแสงไดโอดมีการเติบโต และลักษณะ โครงสร้าง p-i-n จะใช้ชั้น intrinsic nm 100 กับ 50 เซ็นทรัลเปล่งชั้นกับบิสมัท 1.8% nm GaAs Bi แสง ไดโอดที่แสดงยอดการปล่อย electroluminescence (EL) ที่ 987 nm จาก GaAs-Bi เป็นอิสระจากอุณหภูมิในช่วง 100-300 K ในขณะที่จุดสูงสุดของ GaAs เปลี่ยนอุณหภูมิตามที่คาดไว้ Photoluminescence การวัดโครงสร้าง p-i-n แสดงอุณหภูมิการพึ่งพาของความยาวคลื่นสูงสุดคล้ายกับการพึ่งพาอุณหภูมิของ GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสง GaAs-Bi ไดโอดเปล่งแสงได้รับการปลูกและโดดเด่น โครงสร้างขาที่ใช้ชั้นภายใน 100 นาโนเมตรที่มีการเปล่งแสงกลางชั้น 50 นาโนเมตร GaAs-Bi กับบิสมัท 1.8% ไดโอดแสดงให้เห็นยอดเขาใน electroluminescence (EL) การปล่อยก๊าซที่ 987 นาโนเมตรจาก GaAs-Bi เป็นอิสระจากอุณหภูมิอยู่ในช่วง 100-300 K ในขณะที่ยอด GaAs เปลี่ยนอุณหภูมิตามที่คาดไว้ วัดเรืองแสงบนโครงสร้างขาพึ่งพาแสดงอุณหภูมิเดียวกันของความยาวคลื่นสูงสุดคล้ายกับขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของ GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แกลเลียมอาร์เซไนด์บี light emitting diodes มีการเติบโตเพียง โครงสร้าง p-i-n ใช้ 100 nm ภายในชั้นกลาง 50 nm ในบีเลเยอร์เปล่งแสงกับ 1.8 % ธาตุบิสมัท ไดโอดแสดงยอดในเล็กโทรลูมิเนสเซนซ์ ( EL ) ปล่อยที่ 987 nm จาก GaAs บิอิสระของอุณหภูมิในช่วง 100-300 เค ในขณะที่ ณ อุณหภูมิสูงสุดขยับตามที่คาดไว้ การวัดในแบบเดียวกันแสดงโครงสร้าง p-i-n ขึ้นกับอุณหภูมิสูงสุดความยาวคลื่นคล้ายกับขึ้นกับอุณหภูมิ ณ .