The target-substrate distance was a

The target-substrate distance was about 11.5 cm.After substrates were kept under vacuum for 60 min at 100◦C, sputtering was performed at 0.320 A for 25 min with a O2/Ar ratio of 1:50

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระยะทางพื้นผิวเป้าหมายได้ประมาณ 11.5 เซนติเมตร หลังจากที่พื้นผิวที่ถูกเก็บไว้ภายใต้สุญญากาศสำหรับ 60 นาทีที่ 100◦C สปัตเตอร์ดำเนินการเวลา 0.320 A 25 นาที O2/Ar อัตราส่วน 1:50

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระยะห่างเป้าหมายตั้งต้นคือประมาณ 11.5 cm.After พื้นผิวที่ถูกเก็บไว้ภายใต้สูญญากาศ 60 นาทีที่100◦C, สปัตเตอร์ได้รับการดำเนินการใน 0.320 สำหรับ 25 นาทีมีอัตราส่วน O2 / อาร์ของ 01:50

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชิ้นงานพื้นผิวระยะประมาณ 11.5 เซนติเมตร หลังจากพื้นผิวถูกเก็บไว้ภายใต้สูญญากาศสำหรับ 60 นาทีที่ 100 ◦ C มีการสปัตเตอร์ที่ 0.320 เป็นเวลา 25 นาที กับ O2 / AR อัตราส่วน 1 : 50