The capacitive behavior of pentacen

The capacitive behavior of pentacene films was investigated in the metal-semiconductor-metal (MSM) diode structure. Impedance analysis of diodes with a thick pentacene layer up to 1012 nm showed a full depletion of the organic layer. This observation allowed us to regard the MSM diode as a parallel-plate capacitor in the reverse-bias regime without current flow. Under forward-bias, the diode was evaluated through frequency-dependent impedance measurements by using an equivalent circuit composed of a single parallel resistance-capacitance circuit. The analysis of the data in both the reverse and forward bias regime led us to electrical methods for quantifying dielectric properties of pentacene.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ควบคุมลักษณะการทำงานของ pentacene ฟิล์มถูกสอบสวนในโครงสร้างไดโอด (MSM) โลหะสารกึ่งตัวนำโลหะ วิเคราะห์ความต้านทานของไดโอดได้มีชั้นหนา pentacene ถึง 1012 nm แสดงให้เห็นจนหมดทั้งหมดของชั้นอินทรีย์ การสังเกตนี้ทำให้เราถือไดโอด MSM เป็นตัวเก็บประจุแผ่นคู่ขนานในระบอบกลับอคติไม่มีกระแสปัจจุบัน ภายใต้อคติไป ไดโอดถูกประเมินผ่านวัดความต้านทานขึ้นอยู่กับความถี่โดยมีวงจรเทียบเท่าประกอบด้วยวงจรขนานเดียวความต้านทาน วิเคราะห์ข้อมูลทั้งในระบอบทแยงไปข้างหน้า และย้อนกลับนำเราไปสู่วิธีการไฟฟ้าสำหรับคุณสมบัติที่เป็นฉนวน quantifying ของ pentacene

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พฤติกรรม capacitive ของภาพยนตร์ pentacene ถูกตรวจสอบในโลหะสารกึ่งตัวนำโลหะ (MSM) โครงสร้างไดโอด การวิเคราะห์ความต้านทานของไดโอดที่มี pentacene ชั้นหนาถึง 1,012 นาโนเมตรพบว่ามีการสูญเสียอย่างเต็มรูปแบบของชั้นอินทรีย์ ข้อสังเกตนี้ให้เราถือว่าเป็นกลุ่มชายรักชายไดโอดตัวเก็บประจุแบบขนานจานในระบอบการปกครองย้อนกลับอคติโดยไม่มีการไหลของกระแส ภายใต้การคาดการณ์ล่วงหน้าอคติไดโอดถูกประเมินผ่านการวัดความต้านทานขึ้นอยู่กับความถี่โดยใช้วงจรสมมูลประกอบด้วยขนานเดียวต้านทานความจุวงจร การวิเคราะห์ข้อมูลทั้งในและย้อนกลับไปข้างหน้าอคติระบอบการปกครองที่นำเราไปสู่​​วิธีการเชิงปริมาณไฟฟ้าสำหรับคุณสมบัติเป็นฉนวนของ pentacene

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พฤติกรรมแบบของเพนทาซีนฟิล์มถูกสอบสวนในสารกึ่งตัวนำโลหะ ( MSM ) โครงสร้างของไดโอด การวิเคราะห์อิมพีแดนซ์ของไดโอดกับเพนทาซีนชั้นหนาถึง 1 nm พบว่าพร่องเต็มชั้นอินทรีย์ การสังเกตนี้ให้เราพิจารณา MSM ไดโอดเป็นแบบขนานแผ่นตัวเก็บประจุในระบบโดยไม่มีการไหลย้อนกลับ อคติ ในปัจจุบัน ภายใต้ไปข้างหน้า อคติไดโอดถูกประเมินผ่านความถี่ขึ้นอยู่กับการวัดความต้านทาน โดยใช้วงจรสมมูลประกอบด้วยความจุเดียวขนานความต้านทานของวงจร การวิเคราะห์ข้อมูลย้อนกลับและไปข้างหน้าทั้งระบอบอคติทำให้เราวิธีการไฟฟ้าค่าคุณสมบัติไดอิเล็กตริกของเพนทาซีน .