Thenwe fabricated bottom contact FE

Thenwe fabricated bottom contact FET devices using RR-P3HT and PCBM composite (36 mol%) as an active layer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Thenwe หลังสร้างล่างอุปกรณ์ FET ติดต่อใช้ RR P3HT และคอมโพสิต PCBM (36 โมล%) เป็นชั้นที่ใช้งานอยู่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Thenwe ประดิษฐ์อุปกรณ์ FET ติดต่อด้านล่างใช้ RR-P3HT และ PCBM คอมโพสิต (36 mol%) เป็นชั้นที่ใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

thenwe ประดิษฐ์อุปกรณ์ที่สามารถใช้ rr-p3ht pcbm ติดต่อด้านล่างและคอมโพสิต ( 36 โมล % ) เป็นชั้นงาน