Input voltage levels are low; so th

Input voltage levels are low; so threshold voltage
modulation scheme is needed.

External bias voltage is not available.

The frequency of operation is high; therefore parasitic
capacitance of MOSFETs is major source of loss in the
circuit.


The circuit should be dissipating minimum power to
increase the overall system efficiency.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระดับแรงดันอินพุตจะต่ำ แรงดันขีดจำกัดดังนั้นต้องร่างเอ็มไม่มีแรงดันภายนอกที่ตั้งความถี่ของการดำเนินงานจะสูง ดังนั้นเสียงฟู่เหมือนกาฝากค่าความจุของ MOSFETs เป็นแหล่งสำคัญของการสูญเสียในการวงจรวงจรควร dissipating พลังงานต่ำไปเพิ่มประสิทธิภาพของระบบโดยรวม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระดับแรงดันไฟฟ้าอินพุตต่ำ; ดังนั้นเกณฑ์แรงดันไฟฟ้า
. ปรับแผนเป็นสิ่งจำเป็นแรงดันไบอัสภายนอกจะไม่สามารถใช้ได้. ความถี่ของการดำเนินงานอยู่ในระดับสูง; จึงปรสิตความจุของ MOSFETs เป็นแหล่งสำคัญของการสูญเสียในวงจร. วงจรควรจะสลายพลังงานขั้นต่ำที่จะเพิ่มประสิทธิภาพของระบบโดยรวม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระดับแรงดันอินพุตต่ำ ดังนั้น การปรับรูปแบบเป็นเกณฑ์แรงดัน
.

ความต่างศักย์ภายนอกไม่สามารถใช้ได้

ความถี่ของการดำเนินงานสูง ดังนั้นความจุของปรสิต
สอดเป็นแหล่งหลักของการสูญเสียใน



วงจร วงจรน่าจะสลายพลังขั้น
เพิ่มประสิทธิภาพ
ของระบบโดยรวม