Ex 8.9: The BJT class-AB output sta

Ex 8.9: The BJT class-AB output stage shown in Figure 8.31 is biased at
V+ = 5 V and V− = −5 V. The load resistance is RL = 1 k. The device parameters
are ISD = 1.2 × 10−14 A for the diodes and ISQ = 2 × 10−14 A for the
transistors. (a) Neglecting base currents, determine the value of IBias that induces
quiescent collector currents of ICQ = 1 mA. (b) Assuming βn = βp = 100, determine
iCn, iCp, vBEn, vEBp, and ID for vO = 1.2V. (c) Repeat part (b) for vO = 3 V .
(Ans. (a) IBias = 0.6 mA; (b) iCn = 1.73 mA, iCp = 0.547 mA, vBEn = 0.6547 V,
vEBp = 0.6248 V, ID = 0.5827 mA; (c) iCn = 3.24 mA, iCp = 0.276 mA,
vBEn = 0.671 V, vEBp = 0.607 V, ID = 0.5676 mA)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อดีต 8.9 นอก: ระยะ AB ชั้นภูมิใจไทยผลแสดงในรูปที่ 8.31 มีความโน้มเอียงที่V + = 5 V และ V− = −5 V ความต้านทานโหลดเป็น RL = 1 k พารามิเตอร์อุปกรณ์มี ISD = 1.2 × 10−14 A diodes และ ISQ = 2 × 10−14 A สำหรับการtransistors กระแส (a) ฐาน Neglecting กำหนดค่าของ IBias ที่แท้จริงไม่มีการทำการรวบรวมกระแสของ ICQ = 1 mA (b) สมมติว่า βn = βp = 100 กำหนดiCn, iCp, vBEn, vEBp และรหัสสำหรับ vO = 1.2V (ค) ส่วน (b) ทำซ้ำใน vO = 3 V(Ans. IBias (a) = 0.6 mA (ข) iCn = 1.73 mA, iCp = 0.547 mA, vBEn = 0.6547 VvEBp = 0.6248 V, ID = 0.5827 mA (ค) iCn = 3.24 mA, iCp = 0.276 mAvBEn = 0.671 V, vEBp = 0.607 V, ID = 0.5676 mA)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Ex 8.9 การ BJT ระดับ AB ขั้นตอนการส่งออกแสดงในรูปที่ 8.31 จะลำเอียงที่
V + V = 5 และ V- = -5 โวลต์ความต้านทานโหลดเป็น RL = 1 k ?. พารามิเตอร์อุปกรณ์มี ISD = 1.2 × 10-14 สำหรับไดโอดและ ISQ = 2 × 10-14 สําหรับทรานซิสเตอร์ (ก) การละเลยกระแสฐานกำหนดมูลค่าของ IBias ที่ก่อให้เกิดกระแสของสะสมนิ่งICQ = 1 มิลลิแอมป์ (ข) สมมติว่าβn = βp = 100 กำหนดICN, ICP, vBEn, vEBp และรหัสสำหรับ VO = 1.2V (ค) ทำซ้ำส่วนหนึ่ง (ข) สำหรับ VO = 3 V. (ตอบ (ก) IBias = 0.6 mA. (ข) ICN = 1.73 มิลลิแอมป์, ICP = 0.547 มิลลิแอมป์, vBEn = 0.6547 วีvEBp = 0.6248 วี ID = 0.5827 มิลลิแอมป์ (ค) ICN = 3.24 มิลลิแอมป์, ICP = 0.276 มิลลิแอมป์, vBEn = 0.671 V, vEBp = 0.607 V, ID = 0.5676 มิลลิแอมป์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อดีตสมาชิก : BJT คลาส AB ออกเวทีแสดงในรูปเป็นต้น เป็นอคติที่
V = 5 V และ V − = − 5 โวลต์ ความต้านทานโหลด RL = 1 K  . ค่าอุปกรณ์
มี ISD = 1.2 × 10 − 14 สำหรับไดโอด isq = 2 × 10 −และ 14 สำหรับ
ทรานซิสเตอร์ ( ก ) แต่กระแสฐาน ตรวจสอบค่าของ ibias ที่ก่อให้เกิด
ที่มีสะสมกระแสของ ICQ = 1 มา ( ข ) ถ้า n = บีตาบีตา P = 100 , โทรศัพท์ตรวจสอบ
,vben ICP , , vebp และ ID สำหรับ Vo = 1.2V . ( C ) ทำซ้ำส่วนหนึ่ง ( B ) O = 3 V .
( ตอบ ( ) ibias = ma 0.6 ( ข ) ICN = Ma = 1.73 , ICP มา 0.547 vben = , 0.6547 V ,
vebp = 0.6248 V ID = มา 0.5827 ; ( c ) ICN = ma 3.24 , ICP = ma 0.276
vben = 0.671 V , vebp = 0.607 V ID = มา 0.5676 )