Figure 1: Simulated LVTSCR cross-se

Figure 1: Simulated LVTSCR cross-section (a) and output I-V
characteristics for different gate bias values in common sourcebody
circuit with voltage applied to emitter and drain (b).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 1: หน้าตัดรายขวาง LVTSCR จำลอง (a) และผลผลิตผม Vลักษณะสำหรับประตูแตกต่างอคติกันค่า sourcebodyวงจรแรงดันไฟฟ้าที่ใช้การยิงและท่อระบายน้ำ (b)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 1: จำลอง LVTSCR ข้ามส่วน (ก) และเอาท์พุท IV
ลักษณะค่าประตูอคติที่แตกต่างกันใน sourcebody ทั่วไป
วงจรที่มีแรงดันไฟฟ้าที่นำไปใช้กับอีซีแอลและท่อระบายน้ำ (ข)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 : lvtscr จำลองภาพตัดขวาง ( A ) และผลผลิตไฟฟ้าลักษณะค่าประตูเหมือนกัน sourcebody อคติต่างวงจรแรงดันที่ใช้กับมิเตอร์และท่อระบายน้ำ ( B )