The thermal crystallization of heav

The thermal crystallization of heavily hydrogenated, amorphous Ge (a-Ge:H) and ultra-pure amorphous Ge (a-
Ge) thin films was investigated, on a comparative basis, by X-ray diffraction and high-resolution transmission
electron microscopy (HRTEM) performed during in situ heating. It was found that the crystallization process in
a-Ge:H is pronouncedly retarded, due to the initial presence of hydrogen-induced nanovoids. The crystallization
of a-Ge:H initiates only after considerable reduction of the amount of nanovoids in the amorphousmatrix by thermally
induced coarsening of the nanovoids leading to nanopores in the a-Ge:H. Such retarded crystallization leads
to the formation of nanocrystalline, porous Ge with nanocrystal sizes below 20 nm, in contrast with the fast formation
of very large-grained (grain sizes of hundreds of nanometer) polycrystalline Ge upon thermal crystallization
of pure a-Ge.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การตกผลึกความร้อนของไฮโดรเจนหนัก สัณฐาน Ge (เป็น-Ge:H) และ Ge สัณฐานบริสุทธิ์สูง (เป็น-ฟิล์มบางของ Ge) รับการตรวจสอบ ตามลำดับ เปรียบเทียบ โดยการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์และความละเอียดสูงส่งกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (HRTEM) ดำเนินการในช่วงร้อนในแหล่งกำเนิด พบว่ากระบวนการตกผลึกในการ-Ge:H คือ pronouncedly ปัญญานิ่ม เนื่องจากเริ่มต้นของไฮโดรเจนที่เกิด nanovoids การตกผลึกของการ-Ge:H เริ่มหลังจากลดลงมากปริมาณของ nanovoids ใน amorphousmatrix โดยความร้อนเกิด coarsening ของ nanovoids ที่นำไปสู่การ nanopores ในการเป็น-Ge:H. เช่นปัญญาอ่อนนำไปตกผลึกการก่อตัวของ nanocrystalline, Ge พรุน ด้วย nanocrystal ขนาดต่ำกว่า 20 nm สีก่อตัวอย่างรวดเร็วของมากขนาดใหญ่เนื้อ (เม็ดขนาดหลายร้อยนาโนเมตร) polycrystalline Ge เมื่อตกผลึกความร้อนความบริสุทธิ์ a-Ge

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การตกผลึกทางความร้อนของหนักไฮโดรเจนสัณฐานจีอี (A-Ge: H) และ Ultra-บริสุทธิ์สัณฐาน Ge (A-
GE) ฟิล์มบางได้รับการตรวจสอบบนพื้นฐานเปรียบเทียบโดยการเลี้ยวเบน X-ray และความละเอียดสูงการส่งผ่าน
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน ( HRTEM) ดำเนินการในระหว่างแหล่งกำเนิดในการทำความร้อน นอกจากนี้ยังพบว่ากระบวนการตกผลึกใน
A-Ge: H เป็นปัญญาอ่อน pronouncedly เนื่องจากการปรากฏตัวครั้งแรกของ nanovoids ไฮโดรเจนที่เกิดขึ้น การตกผลึก
ของ-GE: H เริ่มต้นเท่านั้นหลังจากที่ลดลงอย่างมากของจำนวนเงินของ nanovoids ใน amorphousmatrix โดยความร้อน
อนุภาคเทพ nanovoids ที่นำไปสู่ ​​nanopores ในส่วน-GE: H ตกผลึกปัญญาอ่อนดังกล่าวนำไปสู่
​​การก่อตัวของ nanocrystalline จีอีที่มีรูพรุนที่มีขนาด nanocrystal ต่ำกว่า 20 นาโนเมตรในทางตรงกันข้ามกับการก่อตัวที่รวดเร็ว
ของ (ขนาดเม็ดหลายร้อยนาโนเมตร) ขนาดใหญ่เม็ดเล็กมาก polycrystalline Ge เมื่อตกผลึกทางความร้อน
ของบริสุทธิ์-GE

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความร้อนของการตกผลึกมากแอล สัณฐาน GE ( a-ge : H ) และ Ultra - บริสุทธิ์ ( GE อสัณฐานGE ) ฟิล์มบางถูกสอบสวน บนพื้นฐานการเปรียบเทียบโดยวิธีการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ และการส่งความละเอียดสูงกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน ( hrtem ) ร่วมในแหล่งกำเนิดความร้อน พบว่ากระบวนการในการตกผลึกa-ge : H เป็น pronouncedly ปัญญาอ่อน เนื่องจากการแสดงครั้งแรกของไฮโดรเจน เกิด nanovoids . ผลึกของ a-ge : H เริ่มต้นเท่านั้นหลังจากที่ลดลงมากปริมาณของ nanovoids ใน amorphousmatrix โดยแชการหยาบกร้านของ nanovoids นำไปสู่ nanopores ใน a-ge : H . เช่นการตกผลึกนำไปสู่ปัญญาอ่อนการก่อตัวของ nanocrystalline พรุน GE กับ nanocrystal ขนาดต่ำกว่า 20 nm , ในทางตรงกันข้ามกับการก่อตัวอย่างรวดเร็วเม็ด ( เม็ดใหญ่มาก ขนาดหลายร้อยนาโนเมตร ) เป็นของ GE บนความร้อน การตกผลึกa-ge บริสุทธิ์ .