The Au/Fe-doped ZnO/n-InP metal/int

The Au/Fe-doped ZnO/n-InP metal/interlayer/semiconductor (MIS) Schottky structure is fabricated with
Fe-doped ZnO nanostructure (NS) as an interlayer. The field emission scanning electron microscopy and
atomic force microscopy results demonstrated that the surface morphology of the FeeZnO NS on n-InP is
fairly smooth. The x-ray diffraction results reveal that the average grain size of the FeeZnO film is
12.35 nm. The electrical properties of the Au/n-InP metal-semiconductor (MS) and Au/FeeZnO NS/n-InP
MIS Schottky structures are investigated by current-voltage and capacitance-voltage measurements at
room temperature. The Au/FeeZnO NS/n-InP MIS Schottky structure has good rectifying ratio with lowleakage
current compared to the Au/n-InP MS structure. The barrier height obtained for the MIS structure
is higher than those of MS Schottky structure because of the modification of the effective barrier height
by the FeeZnO NS interlayer. Further, the barrier height, ideality factor and series resistance are determined
for the MS and MIS Schottky structures using Norde and Cheung's functions and compared to each
other. The estimated interface state density of MIS Schottky structure is lower than that of MS Schottky
structure. Experimental results revealed that the Poole-Frenkel emission is the dominant conduction
mechanism in the lower bias region whereas Schottky emission is the dominant in the higher bias region
for both the Au/n-InP MS and Au/FeeZnO NS/n-InP MIS Schottky structures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โครงสร้าง (MIS) Schottky โลหะ/interlayer/สาร กึ่งตัวนำ Au/Fe-เจือ ZnO/n-InP ถูกประดิษฐ์ด้วยFe เจือ ZnO nanostructure (NS) เป็นการ interlayer การปล่อยแกนชาวดัตช์ และผลกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอมแสดงว่าสัณฐานผิวของ NS FeeZnO บน n InPค่อนข้างราบรื่น เปิดเผยผลการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ขนาดเมล็ดเฉลี่ยของฟิล์ม FeeZnO12.35 nm คุณสมบัติทางไฟฟ้าของ Au/n-InP โลหะสารกึ่งตัวนำ (MS) และ Au/FeeZnO NS/n-InPมีการตรวจสอบโครงสร้าง MIS Schottky โดยวัดแรงดันกระแสและแรงดันไฟฟ้าความจุอุณหภูมิห้อง Au/FeeZnO NS/n-InP Schottky MIS โครงสร้างได้ดีอัตราส่วนแก้ไข ด้วย lowleakageปัจจุบันเมื่อเทียบกับโครงสร้าง MS Au/n-InP อุปสรรคความสูงได้สำหรับโครงสร้าง MISจะสูงกว่าของ MS Schottky โครงสร้างเนื่องจากการแก้ไขอุปสรรคที่มีประสิทธิภาพสูงโดย interlayer FeeZnO NS เพิ่มเติม ความสูงของสิ่งกีดขวาง ideality ปัจจัยและชุดต้านทานถูกกำหนดสำหรับโครงสร้าง MS และ MIS Schottky ใช้ฟังก์ชัน Norde และของจาง และเมื่อเทียบกับแต่ละอื่น ๆ ความหนาแน่นสถานะอินเทอร์เฟซโดยประมาณของโครงสร้าง MIS Schottky เป็นต่ำกว่าที่ของ MS Schottkyโครงสร้าง ผลการทดลองเปิดเผยว่า การปล่อย Poole Frenkel เป็นนำโดดเด่นกลไกในการ bias ในขณะปล่อย Schottky เป็นโดดเด่นในภูมิภาค bias สูงสำหรับทั้ง Au/n-InP MS และ Au/FeeZnO NS/n-InP Schottky MIS โครงสร้าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลา / เฟเจือ ZnO / N-InP โลหะ / interlayer / เซมิคอนดักเตอร์โครงสร้าง (MIS) กีถูกประดิษฐ์กับ
เฟเจือ ZnO โครงสร้างระดับนาโน (NS) เป็น interlayer กล้องจุลทรรศน์ข้อมูลการปล่อยอิเล็กตรอนสแกนและ
ผลกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอมแสดงให้เห็นว่าลักษณะพื้นผิวของ FeeZnO NS บน N-InP เป็น
ที่ค่อนข้างราบเรียบ ผลการเอ็กซ์เรย์เลนส์พบว่าขนาดของเมล็ดข้าวเฉลี่ยของภาพยนตร์ FeeZnO เป็น
12.35 นาโนเมตร คุณสมบัติทางไฟฟ้าของ Au / N-InP โลหะเซมิคอนดักเตอร์ (MS) และ Au / FeeZnO NS / N-InP
MIS กีโครงสร้างจะถูกตรวจสอบโดยปัจจุบันแรงดันไฟฟ้าและความจุแรงดันวัดที่
อุณหภูมิห้อง โครงสร้าง Au / FeeZnO NS / N-MIS InP กีมีอัตราการกลั่นที่ดีกับ lowleakage
ปัจจุบันเมื่อเทียบกับโครงสร้าง Au / N-MS InP ความสูงที่ได้รับอุปสรรคสำหรับโครงสร้างระบบสารสนเทศ
สูงกว่าของโครงสร้าง MS กีเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของความสูงของอุปสรรคที่มีประสิทธิภาพ
โดย interlayer FeeZnO NS นอกจากนี้ความสูงอุปสรรคปัจจัย ideality และความต้านทานชุดจะถูกกำหนด
สำหรับโครงสร้าง MS และ MIS กีใช้ Norde และ Cheung ของฟังก์ชั่นและเมื่อเทียบกับแต่ละ
อื่น ๆ ความหนาแน่นของรัฐประมาณอินเตอร์เฟซของโครงสร้างระบบสารสนเทศกีต่ำกว่าของ MS กี
โครงสร้าง ผลการทดลองพบว่าการปล่อยพูล-Frenkel เป็นการนำความโดดเด่น
กลไกในภูมิภาคอคติลดลงในขณะที่กีปล่อยก๊าซเรือนกระจกเป็นที่โดดเด่นในภูมิภาคอคติที่สูงขึ้น
สำหรับทั้ง Au / N-InP MS และ Au / FeeZnO NS / N-InP MIS กี โครงสร้าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

AU / เหล็ก / โลหะ / ชั้นด้วยเช่นกัน n-inp สารกึ่งตัวนำ ( MIS ) โครงสร้างท์ขึ้นมาด้วยเหล็กโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์เจือ ( NS ) เป็นชั้น . ข้อมูลกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด และปล่อยกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอมผล พบว่า ลักษณะผิวของ feezno NS ใน n-inp คือค่อนข้างเรียบ ผลลัพธ์โดยการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ พบว่า ค่าเฉลี่ยของขนาดเกรนของ feezno ฟิล์ม12.35 nm . สมบัติทางไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำโลหะ AU / n-inp ( MS ) และ AU / feezno NS / n-inpโครงสร้าง MIS ท์ โดยแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบันและการวัดแรงดัน ความจุที่อุณหภูมิของห้อง AU / feezno NS / n-inp MIS โครงสร้างดีแก้ไขอัตราส่วนกับ lowleakage ท์ปัจจุบันเปรียบเทียบกับ AU / n-inp MS โครงสร้าง อุปสรรคสูงที่ได้รับสำหรับโครงสร้างระบบสารสนเทศคือสูงกว่า MS ท์โครงสร้าง เพราะการปรับเปลี่ยนความสูงของสิ่งกีดขวางที่มีประสิทธิภาพโดย feezno NS สามารถ . เพิ่มเติม , กั้นความสูงปัจจัย ideality แบบและชุดความต้านทานมุ่งมั่นสำหรับ MS และโครงสร้างระบบสารสนเทศ การใช้ norde ท์และฟังก์ชั่น จาง และเมื่อเทียบกับแต่ละอื่น ๆ ประมาณสภาพความหนาแน่นของโครงสร้างอินเทอร์เฟซเพื่อท์ต่ำกว่าที่ของมิสท์โครงสร้าง ผลการทดลองพบว่าเพิ่มพูล frenkel เป็นคุณสมบัติเด่นกลไกในภูมิภาค ส่วนการลดอคติท์จะเด่นในอุดมอคติภูมิภาคทั้ง Au / n-inp MS และ AU / feezno NS / n-inp MIS ท์โครงสร้าง