Thin films of silicon carbide posse

Thin films of silicon carbide possessing unique properties attract increasing attention of
researchers both in the field of semiconductor physics and in the technology of new
semiconductor devices for high power, RF and optoelectronics. The growth of the production
of silicon carbide based devices promotes the search for more resource saving and safe SiC layer
synthesis technologies. Potential method is pulse laser deposition (PLD) in vacuum. This
technology does not require the use of chemically aggressive and explosive gases and allows
forming thin and continuous coatings with thicknesses of from several nanometers at relatively
low substrate temperatures. Submicron thickness silicon carbide films have been grown on
single crystal silicon by vacuum laser ablation of a ceramic target. The physical and
technological parameters of silicon carbide thin film low temperature synthesis by PLD have
been studied and, in particular, the effect of temperature and substrate crystalline orientation
on the composition, structural properties and morphology of the surface of the experimental
specimens has been analyzed. At above 500 1C the crystalline β-SiC phase forms on Si (100) and
(111). At a substrate temperature of 950 1C the formation of textured heteroepitaxial 3C–SiC
films was observed

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางของซิลิคอนคาร์ไบด์มีคุณสมบัติดึงดูดความสนใจที่เพิ่มขึ้นของนักวิจัยทั้ง ในด้านฟิสิกส์สารกึ่งตัวนำ และ ในเทคโนโลยีใหม่อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำสำหรับพลังงานสูง RF และออปโตอิเล็กทรอนิกส์ การเจริญเติบโตของการผลิตคาร์ไบด์ตามอุปกรณ์ส่งเสริมการค้นหาทรัพยากรประหยัดและปลอดภัย SiC ชั้นเพิ่มเติมเทคโนโลยีการสังเคราะห์ วิธีการมีศักยภาพเป็นพัลส์เลเซอร์สะสม (PLD) ในสุญญากาศ นี้เทคโนโลยีไม่ต้องการใช้งานของก๊าซเคมีระเบิด และก้าวร้าว และให้ขึ้นรูปเคลือบบาง และต่อเนื่อง ด้วยความหนาของจากหลายนาโนเมตรที่ค่อนข้างอุณหภูมิพื้นผิวต่ำ ไมครอนความหนาฟิล์มซิลิคอนคาร์ไบด์มีการปลูกในซิลิคอนผลึกเดี่ยว โดยผ่าตัดเลเซอร์สุญญากาศของเป้าหมายเซรามิก ทางกายภาพ และมีข้อควรทราบของการสังเคราะห์อุณหภูมิต่ำฟิล์มบางซิลิคอนคาร์ไบด์โดย PLDการศึกษา และ โดยเฉพาะ อย่างยิ่ง ผลของอุณหภูมิและพื้นผิวทิศทางผลึกองค์ประกอบ โครงสร้าง และลักษณะพื้นผิวของการทดลองได้รับการวิเคราะห์ทดสอบ ที่ข้าง 500 1C ผลึกβ SiC เฟสแบบฟอร์มบนศรี (100) และ(111) . ที่ 950 1C อุณหภูมิพื้นผิว ของพื้นผิว heteroepitaxial 3 C – SiCพบว่า ฟิล์ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีคุณสมบัติที่เป็นเอกลักษณ์ดึงดูดความสนใจเพิ่มขึ้นของ
นักวิจัยทั้งในด้านของฟิสิกส์เซมิคอนดักเตอร์และเทคโนโลยีใหม่
อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์สำหรับการใช้พลังงานสูง RF และใยแก้วนำแสง การเจริญเติบโตของการผลิต
ของอุปกรณ์ตามซิลิกอนคาร์ไบด์สนับสนุนการค้นคว้าเพื่อการประหยัดทรัพยากรและปลอดภัยดังนี้ชั้น
เทคโนโลยีสังเคราะห์ วิธีการที่มีศักยภาพการสะสมเลเซอร์ชีพจร (PLD) ในสูญญากาศ นี้
เทคโนโลยีที่ไม่จำเป็นต้องใช้สารเคมีของก๊าซก้าวร้าวและระเบิดและช่วยให้
การขึ้นรูปเคลือบบาง ๆ และต่อเนื่องที่มีความหนาของจากหลายนาโนเมตรที่ค่อนข้าง
อุณหภูมิพื้นผิวต่ำ submicron ภาพยนตร์ความหนาของซิลิกอนคาร์ไบด์ที่ได้รับการปลูกใน
ซิลิคอนผลึกเดี่ยวโดยเลเซอร์นูสูญญากาศของเป้าหมายเซรามิก ทางกายภาพและ
พารามิเตอร์เทคโนโลยีของซิลิกอนคาร์ไบด์สังเคราะห์ฟิล์มบางอุณหภูมิต่ำโดย PLD ได้
รับการศึกษาและโดยเฉพาะอย่างยิ่งผลกระทบของอุณหภูมิและสารตั้งต้นการวางแนวทางผลึก
ในองค์ประกอบโครงสร้างและคุณสมบัติทางสัณฐานวิทยาของพื้นผิวของการทดลอง
ตัวอย่างได้รับการวิเคราะห์ ที่ดังกล่าวข้างต้น 500 1C รูปแบบผลึกβ-SiC เฟสศรี (100) และ
(111) ที่อุณหภูมิพื้นผิวของ 950 1C การก่อตัวของ heteroepitaxial 3C-SiC พื้นผิว
ภาพยนตร์เป็นที่สังเกต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางของซิลิกอนคาร์ไบด์ที่มีคุณสมบัติที่เป็นเอกลักษณ์ดึงดูดความสนใจเพิ่มขึ้นจากนักวิจัยทั้งในด้านฟิสิกส์ของสารกึ่งตัวนำและในเทคโนโลยีใหม่อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำสำหรับพลังงานสูง , RF และออปโตอิเล็กทรอนิกส์ . การเจริญเติบโตของการผลิตของซิลิคอนคาร์ไบด์ตามอุปกรณ์ส่งเสริมการประหยัดทรัพยากรมากขึ้นและปลอดภัยสนใจชั้นเทคโนโลยีการสังเคราะห์ วิธีที่มีศักยภาพเป็นเลเซอร์ชีพจร ( PLD ) การเคลือบในสุญญากาศ นี้เทคโนโลยีไม่ต้องใช้ก๊าซประเภทก้าวร้าวและระเบิดและช่วยให้เป็นบางและเคลือบอย่างต่อเนื่องกับความหนาของจากหลายงานที่ค่อนข้างอุณหภูมิพื้นผิวต่ำ เปลี่ยนแปลงความหนาของซิลิคอนคาร์ไบด์ ภาพยนตร์ที่ได้รับการปลูกในซิลิคอนผลึกเดี่ยว ด้วยเลเซอร์ การดูดของชิ้นงานเซรามิก และพลศึกษาเทคโนโลยีฟิล์มบางซิลิคอนคาร์ไบด์พารามิเตอร์ในการสังเคราะห์ PLD มีอุณหภูมิต่ำศึกษาและ โดยเฉพาะ ผลของอุณหภูมิพื้นผิวของผลึกและทิศทางในองค์ประกอบ สมบัติเชิงกลและสัณฐานวิทยาของพื้นผิวของทดลองตัวอย่างมาวิเคราะห์ ในด้านบน 500 ในผลึกบีตา - ซิลิกอนระยะแบบฟอร์มบนศรี ( 100 ) และ( 111 ) ที่พื้นผิวอุณหภูมิ 950 ในการก่อตัวของพื้นผิว heteroepitaxial 3C –ซิคภาพยนตร์ )