However, doped films can be made to

However, doped films can be made to have very
stable electrical and optical properties. The electrical
properties of as-deposited films appear to be highly
dependent upon the deposition methods, perhaps due
to different stoichiometries and oxygen chemisorption
on the surface of films and grain boundaries in polycrystalline
ZnO films. Although aluminum-doped ZnO
(ZnO:A1) films can be deposited using many methods,
the sol-gel process is simpler and less expensive and has the general advantage of producing high purity,
homogeneous films at relatively low temperatures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อย่างไรก็ตาม doped ฟิล์มจะมีมากมีเสถียรภาพไฟฟ้า และแสงคุณสมบัติ การไฟฟ้าคุณสมบัติของฟิล์มฝากเป็นต้องสูงวิธีสะสม ทีครบกำหนดขึ้นที่แตกต่างกัน stoichiometries และออกซิเจน chemisorptionบนพื้นผิวของฟิล์มและขอบเขตของเมล็ดในคZnO ฟิล์ม ถึงแม้ว่าอะลูมิเนียม-doped ZnOสามารถฝากฟิล์ม (ZnO:A1) ใช้วิธีการมากมายกระบวนการโซลเจลเรียบง่าย และไม่แพง และมีประโยชน์ทั่วไปของการผลิตความบริสุทธิ์สูงฟิล์มเหมือนอุณหภูมิค่อนข้างต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อย่างไรก็ตามภาพยนตร์เจือสามารถทำมากที่จะมีคุณสมบัติไฟฟ้าและแสงที่มีเสถียรภาพ ไฟฟ้าคุณสมบัติของภาพยนตร์ตามที่ฝากดูเหมือนจะสูงขึ้นอยู่กับวิธีการสะสมที่อาจจะเป็นเพราะการstoichiometries แตกต่างกันและออกซิเจนทางเคมีบนพื้นผิวของภาพยนตร์และข้าวเขตแดนในpolycrystalline ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ แม้ว่าอลูมิเนียมเจือซิงค์ออกไซด์(ZnO: A1) ภาพยนตร์ที่สามารถฝากโดยใช้วิธีการหลายกระบวนการโซลเจลเป็นที่เรียบง่ายและราคาไม่แพงและมีประโยชน์ทั่วไปของการผลิตมีความบริสุทธิ์สูง, ภาพยนตร์เหมือนกันที่อุณหภูมิค่อนข้างต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อย่างไรก็ตาม ด้วยภาพยนตร์ที่สามารถทำให้มีเสถียรภาพมาก
ไฟฟ้าและสมบัติทางแสง . ไฟฟ้า
คุณสมบัติเป็นฝากภาพยนตร์ปรากฏเป็นอย่างสูง
ขึ้นอยู่กับการวิธีการ อาจเนื่องจากการดูดซับทางเคมีแตกต่างกันและ

stoichiometries ออกซิเจนบนพื้นผิวของฟิล์มและขอบเขตในเม็ดผลึก
ซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม แม้ว่าอลูมิเนียมด้วยเช่นกัน
( P :A1 ) ภาพยนตร์สามารถฝากโดยใช้วิธีการหลาย
กระบวนการโซลเจลใช้ง่ายและราคาไม่แพงและมี ประโยชน์ทั่วไปของการผลิตมีความบริสุทธิ์สูง ,
ฟิล์มเนื้อเดียวกันที่อุณหภูมิต่ำที่สุด