The majority carriers(electrons) of

The majority carriers(electrons) of the n-type material must overcome the attractive forces of the layer of positive ions in the n-type material and the shield of negative ions in the p-type material to migrate into the area beyond the depletion region of the p-type mate- rial. However, the number of majority carriers is so large in the n-type material that there will invariably be a small number of majority carriers with kinetic energy to pass through the depletion region into the p-type material. Again, the same type of discussion can be applied to the majority carriers(holes) of the p-type material The resulting flow due to the majority carriers is shown at the bottom of Fig. 1.12c. A close examination of Fig. 1.12c will reveal that the relative magnitudes of the flow vectors are such that the net flow in either direction is zero. This cancellation of for each type of carrier flow is indicated by the crossed lines. The length of the vector representing hole flow is drawn longer than that of electron flow to demonstrate that the two magnitudes need not be the same for cancellation and that the doping levels for each material may result in an unequal carrier flow of holes and electrons. In summary therefore In the absence of applied bias across a semiconductor diode, the net flow of charge an in one direction is zero. In other words, the current under no-bias conditions is zero, as shown in Figs. 1.12a and 1.12b

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผู้ให้บริการส่วนใหญ่ (อิเล็กตรอน) ของวัสดุชนิดเอ็นจะต้องเอาชนะกองกำลังที่น่าสนใจของชั้นของประจุบวกในวัสดุชนิดเอ็นและโล่ของประจุลบในวัสดุ P-type ที่จะย้ายเข้ามาในพื้นที่ภาคเหนือพร่องที่ ของ P-ประเภท mate- เรียล อย่างไรก็ตามจำนวนของผู้ให้บริการส่วนใหญ่มีขนาดใหญ่ดังนั้นในวัสดุชนิดเอ็นที่มีอย่างสม่ำเสมอจะมีจำนวนเล็ก ๆ ของผู้ให้บริการส่วนใหญ่มีพลังงานจลน์ผ่านภูมิภาคพร่องลงในวัสดุ P-type อีกครั้งชนิดเดียวกันของการสนทนาสามารถนำไปใช้กับผู้ให้บริการส่วนใหญ่ (หลุม) ของวัสดุ P-ประเภทผลจากการไหลเนื่องจากผู้ให้บริการส่วนใหญ่จะแสดงที่ด้านล่างของมะเดื่อ 1.12c สนิทตรวจสอบของรูป 1.12c จะเปิดเผยว่าเคาะญาติของเวกเตอร์ไหลดังกล่าวว่าการไหลสุทธิในทิศทางใดทิศทางหนึ่งเป็นศูนย์ ยกเลิกสำหรับแต่ละประเภทของการไหลของสายการบินนี้จะแสดงด้วยเส้นข้าม ความยาวของเวกเตอร์ที่เป็นตัวแทนของการไหลของหลุมจะถูกดึงมานานกว่านั้นของการไหลของอิเล็กตรอนจะแสดงให้เห็นว่าทั้งสองเคาะไม่จำเป็นต้องเหมือนกันสำหรับการยกเลิกและว่าระดับยาสลบสำหรับแต่ละวัสดุที่อาจส่งผลให้การไหลเวียนของผู้ให้บริการที่ไม่เท่ากันของหลุมและอิเล็กตรอน สรุปดังนั้นในกรณีที่ไม่มีอคติคร่อมไดโอดสารกึ่งตัวนำการไหลสุทธิจากค่าใช้จ่ายในทิศทางเดียวเป็นศูนย์ ในคำอื่น ๆ ในปัจจุบันภายใต้ไม่มีอคติเงื่อนไขเป็นศูนย์ดังแสดงในมะเดื่อ และ 1.12a 1.12b

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนใหญ่ผู้ให้บริการ ( อิเล็กตรอน ) ของวัสดุทั่วไปต้องเอาชนะมีเสน่ห์แรงของชั้นของประจุบวกในทั่วไปวัสดุและโล่ของประจุลบในวัสดุพีที่จะอพยพเข้ามาในพื้นที่นอกเหนือจากการเขตของพีเมท - เรียล . อย่างไรก็ตาม หมายเลขของผู้ให้บริการส่วนใหญ่เป็นขนาดใหญ่มากในวัสดุทั่วไปนั้นจะต้องเป็นจำนวนเล็ก ๆของผู้ให้บริการส่วนใหญ่มีพลังงานจลน์ที่ผ่านการเขตเป็นวัสดุพี . อีก ประเภทเดียวกันของการสนทนาสามารถใช้กับส่วนใหญ่ผู้ให้บริการ ( หลุม ) ของวัสดุ ทำให้เกิดการไหลของพี เนื่องจากส่วนใหญ่ผู้ให้บริการจะแสดงที่ด้านล่างของรูปที่ 1.12c . ตรวจสอบการปิดของรูปที่ 1.12c จะเปิดเผยว่า ขนาดสัมพัทธ์ของการไหลของเวกเตอร์เป็นเช่นที่ตาข่ายการไหลในทิศทางใดเป็น ศูนย์ นี้ยกเลิกแต่ละประเภทของผู้ให้บริการการไหลที่ระบุโดยข้ามเส้น ความยาวของเวกเตอร์แสดงหลุมลากยาวกว่าการไหลของการไหลของอิเล็กตรอนเพื่อแสดงให้เห็นว่าทั้งสองขนาดไม่ต้องเหมือนกันสำหรับการยกเลิกและเติมระดับสำหรับวัสดุแต่ละชนิดอาจส่งผลในการไหลของผู้ให้บริการในหลุม และอิเล็กตรอน สรุป ดังนั้นในการใช้อคติในสารกึ่งตัวนำไดโอด , ตาข่ายการไหลของประจุในทิศทางเดียว คือ ศูนย์ ในคำอื่น ๆปัจจุบันภายใต้เงื่อนไขไม่ย้วย เป็นศูนย์ที่แสดงในผลมะเดื่อ . 1.12b 1.12a และ