with a compressive stress which ten

with a compressive stress which tends to extend the thin film. Herein, silicon substrate
takes a convex curvature shape described by σ(−). It should be noted
here that the curvature method considers the elasticity of silicon substrate,
but it ignores the elasticity of the thin film.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กับความเครียดอัดซึ่งมีแนวโน้มจะขยายฟิล์มบาง ในที่นี้ พื้นผิวซิลิโคนใช้รูปทรงโค้งนูนโดยσ(−) ควรสังเกตที่นี่วิธีการโค้งถือว่าความยืดหยุ่นของพื้นผิวซิลิโคน ที่แต่ละเว้นความยืดหยุ่นของฟิล์มบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กับความเครียดอัดซึ่งมีแนวโน้มที่จะขยายฟิล์มบาง ในที่นี้ซิลิคอนตั้งต้น
ใช้รูปทรงโค้งนูนอธิบายโดยσ (-) มันควรจะตั้งข้อสังเกต
ว่าที่นี่วิธีโค้งพิจารณาความยืดหยุ่นของพื้นผิวซิลิกอน,
แต่มันไม่สนใจความยืดหยุ่นของฟิล์มบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ด้วยแรงอัดซึ่งมีแนวโน้มที่จะขยายฟิล์มบาง ในที่นี้ ซิลิคอนใช้ความโค้งนูนรูปอธิบายโดยσ ( − ) มันควรจะสังเกตที่นี่ที่โค้งวิธีพิจารณาความยืดหยุ่นของซิลิคอนตั้งต้นแต่มันถึงความยืดหยุ่นของฟิล์มบาง