Quenching of fluorescence from semi

Quenching of fluorescence from semiconducting SWNTs has been ascribed to their interactions with metallic SWNTs or bundles.(3, 8) Alternatively, weak fluorescence from SWNTs has been attributed to structural defects introduced during synthesis or processing,(24) hole doping of the SWNT sidewall via oxygen adsorption,(17) or direct protonation.(16) Structural defects are thought to generate trap states that open new nonradiative decay channels to photoexcited excitons via Auger recombination.(17) Further, the asymmetric line shape observed for individual SWNTs at low temperatures has been attributed to unintentional doping, which can occur during synthesis or processing.(4) Recent preparation of SWNTs in an oxygen-excluding surfactant led to an ensemble QY as high as 20% for SWNTs in an organic solvent,(10) although this value is still debated and the QY for SWNTs suspended in this surfactant in water remained low (∼1%).(10, 25)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชุบของ fluorescence จาก SWNTs ที่ตัวมีแล้ว ascribed เพื่อการโต้ตอบกับ SWNTs หรือรวมกลุ่มโลหะ(3, 8) หรือ fluorescence อ่อนแอจาก SWNTs มีการบันทึกข้อบกพร่องโครงสร้างที่นำมาใช้ในการสังเคราะห์หรือ processing,(24) รูโดปปิงค์ของแก้ม SWNT ออกซิเจน adsorption,(17) หรือ protonation โดยตรง(16) ข้อบกพร่องโครงสร้างคิดว่า การสร้างกับดักรัฐที่เปิดช่องผุ nonradiative ใหม่กับ excitons photoexcited ผ่าน recombination ชอน(17) เพิ่มเติม รูปบรรทัด asymmetric สังเกตสำหรับแต่ละ SWNTs ที่อุณหภูมิต่ำได้ถูกบันทึกโดปปิงค์ตั้งใจ ซึ่งอาจเกิดขึ้นระหว่างการสังเคราะห์หรือการประมวลผล(4) ล่าสุดเตรียม SWNTs ใน surfactant ออกซิเจนไม่นำการเพลิดเพลินสูงถึง 20% สำหรับ SWNTs ใน solvent,(10) การเกษตรอินทรีย์แม้ว่าค่านี้จะยังคงยังคง QY และ QY SWNTs ที่ถูกระงับใน surfactant นี้น้ำยังคงต่ำ (∼1%) . (10, 25)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดับของการเรืองแสงจากสารกึ่งตัวนำ SWNTs ได้รับการกำหนดให้ปฏิสัมพันธ์กับ SWNTs โลหะหรือการรวมกลุ่ม. (3, 8) หรือเรืองแสงอ่อนจาก SWNTs ได้รับการบันทึกข้อบกพร่องของโครงสร้างแนะนำในช่วงการสังเคราะห์หรือการประมวลผล (24) ยาสลบรูแก้ม SWNT ผ่านการดูดซับออกซิเจน (17) หรือโปรตอนโดยตรง. (16) ข้อบกพร่องโครงสร้างมีความคิดที่จะสร้างรัฐกับดักที่เปิดใหม่ช่องสลาย nonradiative เพื่อเอ็กซิตอน photoexcited ผ่านสว่านรวมตัวกันอีก. (17) นอกจากนี้เส้นไม่สมมาตรสังเกต SWNTs บุคคลที่ต่ำ อุณหภูมิที่ได้รับการบันทึกให้ยาสลบโดยไม่ได้ตั้งใจซึ่งสามารถเกิดขึ้นได้ในระหว่างการสังเคราะห์หรือการประมวลผล. (4) การเตรียมความพร้อมล่าสุดของ SWNTs ในลดแรงตึงผิวออกซิเจนไม่รวมนำให้วงดนตรี QY สูงถึง 20% สำหรับ SWNTs ในตัวทำละลายอินทรีย์ (10) แม้ว่า ค่านี้จะยังคงถกเถียงกันและ QY สำหรับ SWNTs แขวนลอยในลดแรงตึงผิวในน้ำนี้ยังคงอยู่ในระดับต่ำ (~ 1%). (10, 25)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การดับของเรืองแสงจากกึ่งตัวนำ swnts ได้รับ ascribed เพื่อการปฏิสัมพันธ์กับ swnts โลหะหรือการรวมกลุ่ม ( 3 , 8 ) หรือ อ่อนเรือง จาก swnts ได้รับมาประกอบกับโครงสร้างบกพร่องแนะนำในระหว่างการสังเคราะห์หรือการประมวลผล ( 24 ) เติมหลุมของแก้มยาง swnt ผ่านการดูดซับออกซิเจน ( 17 ) หรือโปรตอนโดยตรง( 16 ) ความบกพร่องเชิงโครงสร้างมีความคิดที่จะสร้างกับดักรัฐที่เปิดใหม่ nonradiative สลายช่องทางที่จะ photoexcited ผ่านการ excitons สว่าน ( 17 ) เพิ่มเติม รูปร่างเส้นไม่สมมาตร ) swnts แต่ละที่อุณหภูมิต่ำได้โดยไม่ได้ตั้งใจโด๊ป ซึ่งสามารถเกิดขึ้นได้ในระหว่างการสังเคราะห์หรือการประมวลผล( 4 ) การเตรียมการล่าสุดของ swnts ในออกซิเจนยกเว้นสารลดแรงตึงผิวนำไปสู่ชุด qy สูงเป็น 20% swnts ในตัวทำละลายอินทรีย์ ( 10 ) แม้ว่าค่านี้ยังคงถกเถียงและ qy สำหรับ swnts แขวนลอยในน้ำมันนี้ในน้ำยังคงต่ำ ( ∼ 1% ) ( 10 , 25 )