The bias circuit is shown in Fig. 8

The bias circuit is shown in Fig. 8.42. It consists of two deliberately mismatched transistors, Q12 and Q13, with Q12 usually about four times wider than Q13. A resistor RB is connected
in series with the source of Q12. Since, as will be shown, RB determines both the bias current
I
B and the transconductance gm12, its value should be accurate and stable; in most applications, RB would be an off-chip resistor. In order to minimize the channel-length modulation
effect on Q12, we include a cascode transistor Q10 and a matched diode-connected transistor
Q11 to provide a bias voltage for Q10. Finally, a p-channel current mirror formed by a pair of
matched devices, Q8 and Q9, both replicates the current IB back to Q11 and Q13, and provides
a bias line for Q5 and Q7 of the CMOS op-amp circuit of Fig. 8.41.5
The circuit operates as follows: The current mirror (Q8, Q9) causes Q13 to conduct a current equal to that in Q12, that is, IB. Thus,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วงจรตั้งแสดงใน Fig. 8.42 มันประกอบด้วยสอง transistors ไม่ตั้งใจตรง Q12 และ Q13 กับ Q12 ปกติประมาณ 4 เท่ากว้างกว่า Q13 เชื่อมต่อกับตัวต้านทาน RBในชุดที่มีแหล่งที่มาของ Q12 ตั้งแต่ จะถูกแสดง RB กำหนดทั้งเส้นทแยงปัจจุบันฉันB และ transconductance gm12 ควรมีค่า ความแม่นยำ สูง ในการใช้งานมากที่สุด RB จะเป็นตัวต้านทานการออกชิป เพื่อลดเอ็มช่องยาวลักษณะพิเศษบน Q12 เรารวมทรานซิสเตอร์ cascode Q10 และทรานซิสเตอร์ไดโอดเชื่อมต่อตรงกันQ11 เพื่อให้แรงดันที่ตั้งสำหรับ Q10 สุดท้าย ช่อง p ปัจจุบันกระจกรูปคู่จับคู่อุปกรณ์ Q8 Q9, IB ปัจจุบันเหมือนกับกลับกับ Q11 Q13 และช่วยให้เส้นทแยง Q5 และ Q7 ของวงจร op amp CMOS ของ Fig. 8.41.5วงจรการทำงานเป็นดังนี้: ปัจจุบันกระจก (Q8, Q9) สาเหตุ Q13 ทำกระแสเท่ากับที่ใน Q12 คือ IB ดังนั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วงจรอคติที่มีการแสดงในรูป 8.42 ประกอบด้วยสองทรานซิสเตอร์ที่ไม่ตรงกันจงใจ Q12 และ Q13 ด้วย Q12 มักจะเกี่ยวกับสี่ครั้งที่กว้างกว่า Q13 ตัวต้านทาน RB
มีการเชื่อมต่อในชุดที่มีแหล่งที่มาของQ12 เนื่องจากเป็นจะแสดง RB
กำหนดทั้งในปัจจุบันอคติฉันบีและ
gm12 transconductance มูลค่าที่ควรจะถูกต้องและมีเสถียรภาพ; ในการใช้งานมากที่สุด RB จะเป็นตัวต้านทานออกชิป เพื่อลดการปรับช่องทางที่มีความยาวผลกระทบต่อ Q12 เรารวมถึง Q10 ทรานซิสเตอร์ cascode และไดโอดทรานซิสเตอร์จับคู่เชื่อมต่อ Q11 เพื่อให้แรงดันไบอัสสำหรับ Q10 สุดท้ายกระจกพีปัจจุบันช่องทางที่เกิดขึ้นจากคู่ของอุปกรณ์ที่จับคู่ Q8 และ Q9 ทั้งการลอกเลียนแบบในปัจจุบัน IB กลับไป Q11 และ Q13 และให้สายอคติสำหรับQ5 และ Q7 ของวงจรสหกรณ์แอมป์ CMOS ของรูป 8.41.5 วงจรดำเนินดังนี้กระจกปัจจุบัน (Q8, Q9) ทำให้เกิด Q13 ที่จะดำเนินการในปัจจุบันเท่ากับว่าใน Q12, ที่อยู่, IB ดังนั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หรือวงจรที่แสดงในรูปที่ 8.42 . มันประกอบด้วยสองจงใจไม่ตรงกัน Q12 ทรานซิสเตอร์ และ q13 กับ Q12 มักจะประมาณสี่ครั้ง กว้างกว่า q13 . มีความต้านทาน RB เชื่อม
ในชุดกับแหล่ง Q12 . ตั้งแต่ , จะแสดง , RB กำหนดทั้งอคติในปัจจุบัน
ผม
b และทราน คอนดักแตนซ์ gm12 มูลค่าที่ควรจะถูกต้องและมีเสถียรภาพในการใช้งานมากที่สุดRB จะออกชิปตัวต้านทาน . เพื่อลดช่องความยาวเอฟเอ็ม
มีผลต่อ Q12 เรารวม cascode ทรานซิสเตอร์ และไดโอดทรานซิสเตอร์ Q10 คู่เชื่อม
อาชีพเพื่อให้ความต่างศักย์สำหรับ Q10 . ในที่สุด p-channel ปัจจุบันกระจกรูปแบบโดยคู่จับคู่อุปกรณ์ และ q9 Q8
, , ทั้งแบบ IB ปัจจุบันกลับไปและให้
q13 อาชีพและบรรทัดที่แสดงอคติ Q7 ของ CMOS OP แอมป์ และวงจรของรูปที่ 8.41.5
วงจรทำงานดังนี้ : กระจกปัจจุบัน ( Q8 q9 , ) สาเหตุ q13 ดำเนินการในปัจจุบัน เท่ากับว่าใน Q12 นั่นคือ สามารถดังนั้น