Detail: A mixture with high concent

Detail: A mixture with high concentration of HNO3 and HF & H2SO4 is applied to etching the edge and rear side of wafer. The surrounding N-type silicon is erased to insulation upper and lower surfaces. Alkaline Rinse the wafer dipped into KOH solution to remove the porous silicon and dipped into HF solution to remove phosphorus silicon glass (PSG) formed during diffusion process. However, HF react with PSG very fast but almost don't react with Si. So acidic rinse can remove PSG and also can ensure the P-N junction in good condition.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รายละเอียด: ส่วนผสม มีความเข้มข้นสูงของ HNO3 HF และกำมะถันจะใช้กับการแกะสลักขอบและด้านหลังของแผ่นเวเฟอร์ ซิลิคอนชนิด N รอบลบกับผิวฉนวนกันความร้อนบน และล่าง ด่างล้างแผ่นเวเฟอร์จุ่มลงในโซลูชันเกาะเอาซิลิคอน porous และจุ่มลงในโซลูชัน HF เอาฟอสฟอรัสซิลิกอแก้ว (PSG) เกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการแพร่ อย่างไรก็ตาม HF ทำปฏิกิริยากับ PSG รวดเร็วมาก แต่เกือบจะไม่ทำปฏิกิริยากับซี ดังนั้นกรดล้างสามารถเอา PSG และยัง สามารถทำให้เชื่อมต่อ P-N ในสภาพที่ดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รายละเอียด: ส่วนผสมที่มีความเข้มข้นสูงของ HNO3 และ HF และ H2SO4 ถูกนำไปใช้แกะสลักขอบและด้านหลังของแผ่นเวเฟอร์ ซิลิคอน N-ประเภทโดยรอบจะถูกลบฉนวนกันความร้อนพื้นผิวบนและล่าง อัลคาไลน์ล้างเวเฟอร์จุ่มลงในสารละลาย KOH เพื่อเอา​​ซิลิกอนที่มีรูพรุนและจุ่มลงในสารละลายที่จะลบ HF แก้วฟอสฟอรัสซิลิกอน (PSG) ที่เกิดขึ้นในระหว่างขั้นตอนการแพร่กระจาย อย่างไรก็ตาม HF ทำปฏิกิริยากับเปแอสเชได้อย่างรวดเร็วมาก แต่เกือบจะไม่ทำปฏิกิริยากับศรี ล้างเป็นกรดดังนั้นสามารถเอาเปแอสเชและยังสามารถมั่นใจได้ว่าทางแยก PN ในสภาพที่ดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รายละเอียด : ส่วนผสมมีความเข้มข้นสูงของกรดดินประสิวและ HF &กรดซัลฟิวริกที่ใช้กับการกัดขอบและด้านหลังของเวเฟอร์ โดยทั่วไปซิลิคอนเป็นลบเพื่อฉนวนกันความร้อนบนพื้นผิวลดลง ด่างล้างแผ่นเวเฟอร์จุ่มลงในสารละลายซิลิคอนรูพรุนเกาะเอาจุ่มในสารละลายธาตุซิลิคอน HF เอาแก้ว ( PSG ) ที่เกิดขึ้นในระหว่างกระบวนการแพร่ อย่างไรก็ตามกรดทำปฏิกิริยากับ PSG ได้รวดเร็วมาก แต่เกือบจะไม่ทำปฏิกิริยากับซี เพื่อล้างกรดสามารถเอา PSG และยังสามารถตรวจสอบรอยต่อพีเอ็นที่เป็นสารกึ่งตัวนำ

สภาพดี