As shown in Fig. 2b, an entirely op

As shown in Fig. 2b, an entirely opposite EQE response was noted where the EQE response below 600 nm remain constant while the EQE response above 600 nm increases with the increase of CdS cycles in the PbS/CdS anode for the study of CdS thickness variation while keeping the thickness of PbS at 1 SILAR cycle.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังแสดงในรูป 2b การตอบสนอง EQE ตรงข้ามทั้งหมดถูกบันทึกไว้ที่การตอบสนอง EQE ด้านล่าง 600 nm คงในขณะที่การตอบสนอง EQE เหนือ 600 nm เพิ่มกับเพิ่มซีดีวงจรในแอโนด PbS/ซี ดีสำหรับการศึกษาการเปลี่ยนแปลงความหนาซีดีในขณะที่รักษาความหนาของ PbS ที่ 1 SILAR รอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังแสดงในรูป 2B, การตอบสนอง EQE ตรงข้ามอย่างสิ้นเชิงก็สังเกตเห็นที่ตอบสนอง EQE ด้านล่าง 600 นาโนเมตรคงที่ในขณะที่การตอบสนอง EQE เหนือ 600 นาโนเมตรเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของรอบซีดีพีบีเอสซีดี / ขั้วบวกสำหรับการศึกษาของการเปลี่ยนแปลงความหนาของแผ่นซีดีขณะที่การรักษาความหนาของ พีบีเอสวันที่ 1 SILAR วงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังแสดงในรูปที่ 2B ตอบสนอง eqe ตรงข้ามทั้งหมดเป็นข้อสังเกตที่ eqe คำตอบด้านล่าง 600 nm คงที่ในขณะที่ eqe ตอบสนองเหนือ 600 nm เพิ่มขึ้น ด้วยการเพิ่มแผ่นวงจรใน PBS / ซีดีแอโนดสำหรับการศึกษารูปแบบซีดีหนาในขณะที่การรักษาความหนาของ PBS ที่ 1 รอบ silar .