Its Fermi surface is characterized

Its Fermi surface is characterized by six double cones, as shown in Figure 2. In intrinsic (undoped) graphene the Fermi level is situated at the connection points of these cones. Since the density of states of the material is zero at that point, the electrical conductivity of intrinsic graphene is quite low and is of the order of the conductance quantum σ~e2/h; the exact prefactor is still debated. The Fermi level can however be changed by an electric field so that the material becomes either n-doped (with electrons) or p-doped (with holes) depending on the polarity of the applied field. Graphene can also be doped by adsorbing, for example, water or ammonia on its surface. The electrical conductivity for doped graphene is potentially quite high, at room temperature it may even be higher than that of copper.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พื้นผิวของพลังงานแฟร์มีเป็นลักษณะ โดยหกกรวยคู่ ดังที่แสดงในรูปที่ 2 Graphene intrinsic (undoped) อยู่ระดับพลังงานแฟร์มีจุดเชื่อมต่อของกรวยนี้ เนื่องจากความหนาแน่นของสถานะของวัสดุเป็นศูนย์ ที่จุด ค่าการนำไฟฟ้าของ intrinsic graphene ค่อนข้างต่ำ และเป็นลำดับσควอนตัมต้านทาน ~ e2/h ยังจะยังคง prefactor แน่นอน ระดับพลังงานแฟร์มีได้อย่างไรก็ตามการเปลี่ยนแปลงตามการไฟฟ้าเพื่อให้กลายเป็นวัสดุ หรือ doped n (มีอิเล็กตรอน) หรือ p doped (มีหลุม) ขึ้นอยู่กับขั้วของฟิลด์ที่ใช้ได้ Graphene สามารถยังสามารถ doped โดย adsorbing เช่น น้ำ หรือแอมโมเนียบนพื้นผิวของ ค่าการนำไฟฟ้าสำหรับ doped graphene อาจค่อนข้างสูง อุณหภูมิห้อง ก็อาจจะมีสูงกว่าของทองแดง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พื้นผิวแฟร์มันเป็นลักษณะหกกรวยคู่ดังแสดงในรูปที่ 2 ในเนื้อแท้ (โคบอลต์) graphene ระดับแฟร์ตั้งอยู่ที่จุดเชื่อมต่อของกรวยเหล่านี้ เนื่องจากความหนาแน่นของรัฐของวัสดุที่เป็นศูนย์ที่จุดนั้นการนำไฟฟ้าของกราฟีนที่แท้จริงเป็นเรื่องที่ค่อนข้างต่ำและเป็นคำสั่งของควอนตัมเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าσ ~ e2 / h; ที่แน่นอน prefactor ยังคงถกเถียงกัน ระดับแฟร์ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยสนามไฟฟ้าเพื่อให้วัสดุที่จะกลายเป็นทั้ง n เจือ (อิเล็กตรอน) หรือ P-เจือ (มีหลุม) ขึ้นอยู่กับขั้วของสนามประยุกต์ แกรฟีนยังสามารถเจือโดยการดูดซับเช่นน้ำหรือแอมโมเนียบนพื้นผิว การนำไฟฟ้าสำหรับ graphene เจืออาจค่อนข้างสูงที่อุณหภูมิห้องมันอาจจะสูงกว่าทองแดง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ของแฟร์มีพื้นผิวเป็นลักษณะกรวยคู่หก ดังแสดงในรูปที่ 2 ในเนื้อแท้ ( เคมีไฟฟ้า ) กราฟีนระดับเฟอร์มิตั้งอยู่ที่จุดเชื่อมต่อของกรวยเหล่านี้ เนื่องจากความหนาแน่นของสหรัฐอเมริกาของวัสดุที่เป็นศูนย์ที่จุด ค่าการนำไฟฟ้าของกราฟีน ภายในค่อนข้างต่ำ และมีคำสั่งของระบบควอนตัมσ ~ E / h ;การ prefactor แน่นอนยังถกเถียงกัน ระดับเฟอร์มีได้แต่ต้องเปลี่ยนโดยสนามไฟฟ้าเพื่อให้วัสดุที่เป็นทั้ง n-doped ( อิเล็กตรอน ) หรือ p-doped ( ที่มีรู ) ขึ้นอยู่กับขั้วของสนามไฟฟ้า . กราฟีนยังสามารถดูดซับเจือด้วย เช่น น้ำ หรือ แอมโมเนียบนพื้นผิวของมัน ค่าการนำไฟฟ้าด้วยกราฟีนอาจค่อนข้างสูงที่อุณหภูมิห้อง แม้มันอาจจะสูงกว่าของทองแดง