The parameter α is a dimensionless

The parameter α is a dimensionless sensitivity parameter that varies between 0 and 1,
depending on the intrinsic buffer capacity, βint, of the oxide surface and the
differential double-layer capacitance Cdif. If α=1, the ISFET has a so-called Nernstian
sensitivity of precisely-59.2 mV/pH at 298K, which is also the maximum achievable
sensitivity.

It appears that the usual SiO2 from the MOSFET process does not fulfil the
requirements of a high value of βint. The pH sensitivity is only about 30mV/dec
depending also on the electrolyte concentration via Cdif. Therefore other layers have
been introduced such as Si3N4, Al2O3 and Ta2O5 with increased values of βint. The
intrinsic buffer capacity of Ta2O5 is even so high that the value of Cdif becomes less
important which means that independent of the electrolyte concentration a pH
sensitivity of 58 mV/dec can be achieved over a pH range from 1 to 12.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นαพารามิเตอร์พารามิเตอร์ dimensionless ความไวที่แตกต่างกันระหว่าง 0 และ 1ขึ้นอยู่กับความจุบัฟเฟอร์ intrinsic, βint ของพื้นผิวของออกไซด์และส่วนที่แตกต่างสองชั้นความจุ Cdif ถ้าα = 1, ISFET มี Nernstian เรียกว่าความไวแสงได้อย่างแม่นยำ-59.2 mV/ค่า ph ที่ 298K ซึ่งยังเป็นจำนวนสูงสุดที่ทำได้ความไวแสงปรากฏว่า SiO2 ปกติจาก MOSFET กระบวนการตอบสนองความต้องการของค่าสูงของ βint ความไวต่อค่า pH เป็นเพียงเกี่ยวกับ 30mV/ธ.ค.นอกจากนี้ยังขึ้นอยู่กับความเข้มข้นของอิเล็กโทรไลท์ผ่าน Cdif ดังนั้น ชั้นอื่น ๆ ได้เข้ามาเช่น Si3N4, Al2O3 และ Ta2O5 มีค่า βint เพิ่มขึ้น การintrinsic บัฟเฟอร์ของ Ta2O5 กำลังสูงดังนั้นแม้ว่า ค่าของ Cdif กลายเป็นน้อยลงสำคัญซึ่งหมายความ ว่า เป็นอิสระจากความเข้มข้นอิเล็กโทรไลต์ค่า pHจะได้ความไวของ mV/ธ.ค. 58 ในช่วงค่า pH ตั้งแต่ 1 ถึง 12

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

αพารามิเตอร์เป็นพารามิเตอร์ที่ไวมิติที่แตกต่างกันระหว่าง 0 และ 1,
ขึ้นอยู่กับความสามารถในการบัฟเฟอร์ภายในβintของพื้นผิวออกไซด์และ
ค่าสองชั้นความจุ Cdif ถ้าα = 1, ISFET มีสิ่งที่เรียกว่า Nernstian
ความไวของแม่นยำ 59.2 mV / ค่า pH ที่ 298K ซึ่งยังเป็นผู้ประสบความสำเร็จสูงสุด
ไว. ปรากฏว่า SiO2 ปกติจากกระบวนการ MOSFET ไม่ได้ตอบสนองความต้องการของสูง ค่าของβint ความไวเป็นกรดเป็นด่างเป็นเพียงประมาณ 30mV / Dec ขึ้นยังอยู่ในความเข้มข้นของอิเล็กโทรผ่าน Cdif ดังนั้นชั้นอื่น ๆ ได้รับการแนะนำเช่น Si3N4, Al2O3 และ Ta2O5 กับค่านิยมที่เพิ่มขึ้นของβint จุบัฟเฟอร์ที่แท้จริงของ Ta2O5 จะยิ่งสูงเพื่อให้ค่าของ Cdif จะกลายเป็นน้อยที่สำคัญซึ่งหมายความว่าระดับความเข้มข้นของอิเล็กโทรไลค่า pH ความไวของ 58 mV / Dec สามารถทำได้ในช่วงค่า pH 1-12

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวแปรไร้มิติความไวαเป็นพารามิเตอร์ที่แตกต่างกันระหว่าง 0 และ 1ขึ้นอยู่กับความจุของบัฟเฟอร์ภายในบีตา int , พื้นผิวของออกไซด์และความแตกต่างหลากหลายความจุ cdif . ถ้าα = 1 , isfet มี nernstian ที่เรียกว่าความไวของ precisely-59.2 MV / pH 298k ซึ่งเป็นสิ่งสูงสุดความไวปรากฏว่า SiO2 ปกติจากกระบวนการมอสเฟตไม่ตอบสนองความต้องการของค่า pH ความไวสูงของบีตา int แค่ 30mv / ธันวาคมทั้งนี้ในอิเล็กโทรไลต์ความเข้มข้นทาง cdif . ดังนั้น ชั้นอื่น ๆแนะนำเช่น Si3N4 , Al2O3 ta2o5 เพิ่มขึ้นและค่า int และบีตาความจุของบัฟเฟอร์ภายใน ta2o5 เป็นดังนั้นสูงที่มูลค่าของ cdif กลายเป็นน้อยลงที่สำคัญซึ่งหมายความว่าอิสระของอิเล็กโทรไลต์ความเข้มข้นของอความไวของ 58 MV / ธ.ค. สามารถเกิดขึ้นได้ในช่วง pH จาก 1 ถึง 12