The Au-coated silicon wafers were c

The Au-coated silicon wafers were cleaned with acetone and
dried under nitrogen, then dipped in the ZIF-8 colloidal
solution with a commercial dip-coater (Chemat Technology,
Inc., 180 mm·min−1 withdraw speed, 10 s still time, ambient
conditions). Samples were dipped in fresh ethanol between
each cycle after drying in air. The quantity of adsorbed
nanoparticles is controllable by conducting multiple dip/rinse
cycles. In our study, we investigated samples of 2 and 4 dip-coat
cycles, hereafter referred to as “2-cycle” and “4-cycle”. After
achieving the desired particle loading, the sample was dried
under N2 and set onto a preheated hot plate at 130 °C for 5
min to remove any residual solvent. For ATR-FTIR measurements,
the Au-coated Si sample was left in a ZIF-8 NP solution
overnight to achieve a thicker film for a stronger IR signal. For
all samples studied in UHV (for XPS and TPRS analysis),
before dip-coating, the Au-coated Si wafer was set into a
custom-made tantalum plate with a thin Ta wire wrapped ∼1
mm from the top edge, and a k-type thermocouple was fixed in
a small notch on the top side using UHV compatible glue
(Aremco, Ceramabond 503). The mounted sample along with
the Ta plate was rinsed in acetone and dip-coated in ZIF-8 NP
solution for the desired number of cycles. After drying at 130
°C, a second Ta wire was wrapped on the bottom part of the
sample, about 1 mm from the bottom edge to fix the sample on
the metal plate and ensure good thermal contact. Finally, the
coated sample was mounted in the UHV chamber approximately
2 mm in front of a tungsten heating element.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รับเคลือบ Au ซิลิคอนถูกล้าง ด้วยอะซิโตน และอบแห้งภายใต้ไนโตรเจน แล้ว จุ่มลงใน ZIF-8 colloidalโซลูชันที่ มีการค้าบริการ-coater (Chemat เทคโนโลยีInc., 180 mm·min−1 ถอนเร็ว 10 ยังคงเวลา ล้อมรอบสภาพ) ตัวอย่างที่ถูกจุ่มลงในเอทานอลสดระหว่างแต่ละรอบหลังการอบแห้งในอากาศ ปริมาณของ adsorbedเก็บกักได้ควบคุม โดยทำการจุ่มล้างหลายรอบ ในการศึกษาของเรา เราตรวจสอบตัวอย่างของ 2 และ 4 ออกตรารอบ โดยเรียกว่า "รอบ 2" และ "รอบ 4" หลังจากบรรลุอนุภาคต้องโหลด ตัวอย่างที่แห้งN2 และชุดใส่จานร้อนต่ำที่ 130 ° C สำหรับ 5นาทีเอาตัวทำละลายใด ๆ ตกค้าง สำหรับเอทีอาร์-FTIR วัดตัวอย่างศรีเคลือบ Au ถูกทิ้งในโซลูชัน NP ZIF-8นอนให้ฟิล์มหนาสำหรับสัญญาณ IR แรงกว่า สำหรับตัวอย่างทั้งหมดที่ศึกษาใน UHV (XPS และ TPRS วิเคราะห์),ก่อนที่จะชุบเคลือบ แผ่นเวเฟอร์เคลือบอูซีถูกตั้งค่าเป็นการจานแทนทาลัมภาพ ด้วยสายตาบางห่อ ∼1มม.จากขอบด้านบน และ k-ประเภท thermocouple ที่ถาวรในรอยเล็ก ๆ ด้านบนใช้ UHV กาวเข้ากัน(Aremco, Ceramabond 503) ตัวอย่างติดไปด้วยแผ่นตา rinsed ในอะซิโตน และจุ่มเคลือบใน NP ZIF-8โซลูชั่นสำหรับจำนวนของรอบ หลังจากการอบแห้งที่ 130° C ลวดตาสองถูกห่อส่วนล่างของใบตัวอย่าง ประมาณ 1 มม.จากขอบด้านล่างเมื่อต้องการแก้ไขตัวอย่างบนโลหะแผ่น และให้ความร้อนติดต่อดี ในที่สุด การตัวอย่างเคลือบถูกติดตั้งในห้อง UHV ประมาณ2 มม.หน้าทังสเตนให้ความร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Au-เคลือบซิลิคอนเวเฟอร์ถูกทำความสะอาดด้วยอะซิโตนและ
แห้งภายใต้ไนโตรเจนแล้วจุ่มลงในคอลลอยด์ ZIF-8
การแก้ปัญหาด้วยการค้าจุ่ม Coater (Chemat เทคโนโลยี
อิงค์ 180 มิลลิเมตร·นาที 1 ถอนความเร็ว 10 วินาทียังมีเวลา ล้อมรอบ
เงื่อนไข) ตัวอย่างที่ถูกจุ่มลงในเอทานอลสดระหว่าง
แต่ละรอบหลังจากการอบแห้งในอากาศ ปริมาณการดูดซับ
อนุภาคนาโนสามารถควบคุมโดยการดำเนินการหลายแช่ / ล้าง
รอบ ในการศึกษาของเราที่เราตรวจสอบตัวอย่างที่ 2 และ 4 จุ่มเสื้อ
รอบเรียกว่าต่อจากนี้จะเป็น "2 รอบ" และ "4 จังหวะ" หลังจากที่
ประสบความสำเร็จในการโหลดอนุภาคที่ต้องการตัวอย่างแห้ง
ภายใต้ N2 และตั้งลงบนจานร้อนอบอุ่นที่ 130 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 5
นาทีเพื่อขจัดตัวทำละลายใด ๆ ที่เหลือ สำหรับการตรวจวัด ATR-FTIR,
ตัวอย่างศรี Au-เคลือบถูกทิ้งไว้ในการแก้ปัญหา NP ZIF-8
ในชั่วข้ามคืนเพื่อให้บรรลุฟิล์มหนาสำหรับสัญญาณ IR แข็งแรง สำหรับ
ตัวอย่างการศึกษาใน UHV (สำหรับ XPS และการวิเคราะห์ tprs)
ก่อนที่จะจุ่มเคลือบ Au-เคลือบเวเฟอร์ศรีได้รับการกำหนดให้เป็น
แผ่นแทนทาลัมที่กำหนดเองที่ทำด้วยลวดตาบางห่อ ~ 1
มิลลิเมตรจากขอบด้านบนและ ทน k ชนิดได้รับการแก้ไขใน
รอยเล็ก ๆ บนด้านบนโดยใช้ UHV กาวเข้ากันได้
(Aremco, Ceramabond 503) ตัวอย่างการติดตั้งพร้อมกับ
แผ่นตาได้รับการล้างด้วยอะซิโตนและจุ่มเคลือบใน ZIF-8 NP
โซลูชั่นสำหรับจำนวนที่ต้องการของรอบ หลังจากการอบแห้งที่ 130
° C, ลวดตาสองถูกห่อในส่วนด้านล่างของ
ตัวอย่างประมาณ 1 มิลลิเมตรจากขอบด้านล่างเพื่อแก้ไขตัวอย่างบน
แผ่นโลหะและให้แน่ใจว่าการสัมผัสความร้อนที่ดี ในที่สุด
ตัวอย่างเคลือบถูกติดตั้งในห้อง UHV ประมาณ
2 มิลลิเมตรที่ด้านหน้าขององค์ประกอบความร้อนทังสเตน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Au ซิลิคอนเวเฟอร์เคลือบถูกล้างด้วยอะซิโตนและ
แห้งภายใต้ไนโตรเจน แล้วจุ่มลงในสารละลาย คอลลอยด์ zif-8
ด้วยจุ่มพาณิชย์เครื่องเคลือบ ( chemat เทคโนโลยี
อิงค์ , 180 มม. ด้วยมิน− 1 ถอนความเร็ว 10 ยังทัน สภาวะ
) ตัวอย่างถูกจุ่มลงในแอลกอฮอล์สดระหว่าง
แต่ละรอบหลังการอบแห้งในอากาศ ปริมาณการดูดซับ
อนุภาคนาโนสามารถควบคุมได้โดยการล้างรอบ /
จิ้มหลาย ในการศึกษาของเรา เราได้ตรวจสอบตัวอย่างที่ 2 และ 4 รอบเสื้อ
จิ้ม ภายหลังเรียกว่า " รอบ 2 " และ " 4-cycle " หลังจาก
ขบวนการที่ต้องการอนุภาคโหลดตัวอย่างแห้ง
ภายใต้ N2 และตั้งลงบนจานร้อนเตาอบที่ 130 องศา C 5
มินเพื่อลบใด ๆที่เหลือเป็นตัวทำละลาย สำหรับการวัด ATR-FTIR
,AU ศรีเคลือบตัวอย่างถูกทิ้งไว้ใน zif-8 เอ็นพีโซลูชั่น
ข้ามคืนเพื่อให้บรรลุฟิล์มหนาสำหรับสัญญาณ IR ที่แข็งแกร่ง . สำหรับตัวอย่างที่ศึกษาทั้งหมดใน uhv
( สำหรับ XPS และ tprs การวิเคราะห์ )
ก่อนจุ่มเคลือบ , AU ไว้เป็นเวเฟอร์เคลือบซิ
จานแทนทาลัม custom-made กับลวดทาบางๆห่อ∼ 1
มม. จากขอบด้านบน และประเภท thermocouple ถูกถาวรใน
รอยเล็กๆอยู่ด้านบน ใช้ uhv เข้ากันได้กาว
( aremco ceramabond , 503 ) การติดตั้งตัวอย่างพร้อมกับ
TA จานถูกล้าง ) และจุ่มเคลือบสารละลาย NP
zif-8 สำหรับหมายเลขที่ต้องการของรอบ หลังจากการอบแห้งที่ 130
° C , ลวดตาที่สองถูกห่อในส่วนด้านล่างของ
ตัวอย่างประมาณ 1 มม. จากขอบด้านล่างเพื่อแก้ไขตัวอย่าง
จานโลหะ และให้ติดต่อทางความร้อนที่ดี ในที่สุด ตัวอย่างที่เคลือบติดอยู่

uhv ห้องประมาณ 2 มม. ในด้านหน้าของทังสเตนองค์ประกอบความร้อน