It is postulated that the transitio

It is postulated that the transition metal oxides are involved in the formation of
interfacial states and deep bulk traps, both of which contribute to the highly nonlinear
resistivity property. The grain size, hence the breakdown voltage per each
grain boundary, could be controlled with additives such as TiO2, Sb2O3, BeO, Al2O3,
K2O and SiC. The electrical stability has been improved by adding ZrO2, Cr2O3 or
Nb2O5 to bismuth oxide rich compositions. Table 5.1 summarises the effect of various
additives on ZnO varistor properties reported in the presently reviewed literature.
5.3.2 Fabrication process
Figure 5.1 shows a diagram of the ZnO surge arrester fabrication process. The
basic material used to manufacture metal oxide varistors is pulverised, very finely
grained and highly pure (99.9 per cent) ZnO with a particle size of 1–10 μm. Several
doping elements and specially prepared powders [43, 50] are added in the form of
fine oxide powders. The concentration of the individual components range from

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จะมีการตั้งสมมติฐานว่าออกไซด์โลหะทรานมีส่วนร่วมในการก่อตัวของรัฐ
สัมผัสและกับดักกลุ่มลึกซึ่งทั้งสองนำไปสู่​​การไม่เชิงเส้นสูง
ต้านทานสถานที่ให้บริการ ขนาดเม็ดจึงแรงดันไฟฟ้าเสียต่อแต่ละ
เขตแดนข้าวจะได้รับการควบคุมด้วยสารเติมแต่งเช่น TiO2, sb2o3, beo, Al2O3,
K2O และ sicเสถียรภาพไฟฟ้าได้รับการปรับปรุงโดยการเพิ่ม ZrO2 Cr2O3 หรือ
nb2o5 ออกไซด์จะอุดมไปด้วยองค์ประกอบบิสมัท 5.1 ตารางสรุปผลกระทบของสารเติมแต่งต่างๆ
บน ZnO คุณสมบัติวาริสเตอร์รายงานในวรรณคดีปัจจุบันดู.
5.3.2 กระบวนการผลิต
รูป 5.1 แสดงแผนภาพของคลื่น ZnO กระบวนการผลิตสายดิน
วัสดุพื้นฐานที่ใช้ในการผลิตวาริสเตอร์โลหะออกไซด์แหลกลาญ, ZnO มากประณีต
เนื้อและบริสุทธิ์สูง (ร้อยละ 99.9) ที่มีขนาดอนุภาค 1-10 ไมโครเมตร หลายองค์ประกอบ
ยาสลบและผงที่เตรียมไว้เป็นพิเศษ [43, 50] มีการเพิ่มในรูปแบบของผงออกไซด์
ดี ความเข้มข้นของแต่ละองค์ประกอบมีตั้งแต่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันเป็น postulated ว่า ออกไซด์โลหะทรานซิชันที่เกี่ยวข้องในการก่อตัวของ
interfacial อเมริกาและกับดักแบบกลุ่มลึก ซึ่งทั้งสองนำไปสู่การไม่เชิงเส้นสูง
คุณสมบัติความต้านทาน ของเมล็ดข้าวขนาด ดังนั้นแรงดันไฟฟ้าแบ่งสำหรับแต่ละ
เมล็ดขอบเขต ไม่สามารถควบคุมได้ ด้วยสาร TiO2, Sb2O3, BeO, Al2O3,
K2O และ SiC เสถียรภาพไฟฟ้าได้ถูกปรับปรุง โดยการเพิ่ม ZrO2, Cr2O3 หรือ
Nb2O5 กับบิสมัทออกไซด์จนร่ำรวย ตาราง 5.1 summarises ผลของต่าง ๆ
วัตถุเจือปนใน ZnO วาริสเตอร์คุณสมบัติรายงานในปัจจุบันทบทวนวรรณกรรม
5.3.2 กระบวนการผลิต
รูป 5.1 แสดงไดอะแกรมของกระบวนการผลิตของ ZnO คลื่น arrester ใน
วัสดุพื้นฐานที่ใช้ในการผลิตโลหะออกไซด์ varistors เป็น pulverised ประณีตมาก
grained และบริสุทธิ์สูง (ร้อยละ 99.9) ZnO ขนาดอนุภาค 1–10 μm หลาย
doping องค์และผงเตรียมพิเศษ [43, 50] เพิ่มในรูปแบบของ
ดีผงออกไซด์ ความเข้มข้นของแต่ละส่วนประกอบจาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โรงแรมคือ human utilization of the Earth ' s photosynthetic ที่ๆเป็นโลหะที่มีส่วนเกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลงในการก่อตัวขึ้นมาของรัฐ
interfacial และดักจับเป็นจำนวนมากทั้งลึกซึ่งมีส่วนช่วยในการเป็นที่พักที่
พิกัดความต้านทาน nonlinear เป็นอย่างสูง ขนาดเมล็ดออกดังนั้นจึงแบ่งระดับแรงดันไฟฟ้าที่ต่อเขต
ธัญพืชแต่ละตัวสามารถถูกควบคุมด้วยสารเติมแต่งเช่นป่าติ้ว 2 SB 2 O 3 beo Al 2 O 3
K 2 O และเช่นนั้น.เสถียรภาพ ของระบบไฟฟ้าที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นโดยการเพิ่มส่วนประกอบที่ CR 2 O 3 หรือ
NB 2 O 5 เป็นออกไซด์ Bismuth zro 2 ตาราง 5.1 ได้รวบรวมผลของสารต่างๆ
เกี่ยวกับคุณสมบัติของ varistor zno รายงานในวรรณคดีในปัจจุบันการดำเนินงานได้.
5.3.2 กระบวนการแปรรูป
รูปที่ 5.1 แสดงแผนผังของกระบวนการแต่งเครื่องป้องกันไฟกระชาก zno ได้ ที่
ตามมาตรฐานวัสดุแบบเรียบง่ายใช้ในการผลิตตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide เป็น pulverised
ซึ่งจะช่วยให้ละเอียดเป็นอย่างมากเนื้อละเอียดและบริสุทธิ์อย่างสูง( 99.9% ) zno พร้อมด้วยขนาด อนุภาค ของ μm. 1-10 1-10 1-10 ส่วนประกอบ
doping หลายอย่างเป็นพิเศษและเตรียมปนเปื้อน[ 4350 ]จะถูกเพิ่มลงในรูปแบบของเจ้าออกไซด์
ชั้นดี การทำสมาธิของแต่ละคอมโพเนนต์จะอยู่ในช่วงตั้งแต่