Large area (Gen5, 1.4 m2) LPCVD sys

Large area (Gen5, 1.4 m2) LPCVD systems were used for depositing boron-doped ZnO front and back electrodes. a-Si:H and mc-Si:H doped and intrinsic silicon based layers for thin film solar cell fabrication were deposited in conventional wide gap (28 mm inter-electrode separation) large area (Gen5, 1.4 m2) KAI™ PECVD reactors [15–17].

Large

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พื้นที่ขนาดใหญ่ (Gen5 1.4 m2) ระบบ LPCVD ถูกนำมาใช้ในการฝากด้านหน้าซิงค์ออกไซด์เจือโบรอนและอิเล็กโทรกลับ ที่ศรี: H และ Mc-Si: H เจือและภายในชั้นตามซิลิคอนสำหรับสายบาง LM ผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ที่ถูกฝากไว้ในช่องว่างกว้างธรรมดา (28 มมแยกระหว่างขั้ว) พื้นที่ขนาดใหญ่ (Gen5 1.4 m2) ไก™เครื่องปฏิกรณ์ PECVD [ 15-17]. ขนาดใหญ่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พื้นที่ขนาดใหญ่ ( gen5 1.4 ตารางเมตร ) ระบบ lpcvd นำมาฝากโบรอนด้วยเช่นกัน ด้านหน้าและด้านหลังขั้วไฟฟ้า อะมอร์ฟัสซิลิคอน Si : H H และ MC เจือประกอบด้วยซิลิคอนตามชั้นผอม จึงถ่ายเซลล์แสงอาทิตย์ผลิตฝากเงินแบบกว้างในช่องว่าง ( 28 มม. ระหว่างแยกไฟฟ้า ) พื้นที่ขนาดใหญ่ ( gen5 1.4 ตารางเมตร ) ไค™ pecvd เครื่องปฏิกรณ์ [ 15 – 17 ] .

ขนาดใหญ่