This suggests that the inhi- bition

This suggests that the inhi- bition of net assimilation of leaves was not only due to stomata factors,
but also due to non-stomata factors.

The improvement of photosynthetic ability by added silicon under salt stress should be associated with the positive effect of silicon on the plant growth, which resulted from the reduction in chloride accumulation in the shoot. In order to exclude the “dilution” effect of growth on the con- centrations of chloride and sodium in the shoot, we determined the shoot relative growth rate in saline conditions. The relative growth rate of shoot was only increased by silicon which was provided with NaCl simultaneously, and the increase in relative growth rate was less than the decreases in sodium and chloride concentrations (Table 2). Moreover, silicon pretreatment before salt stress slightly, but did not significantly increase the relative growth rate of shoot as compared to salt treatment alone. Therefore, the “dilution” effect of shoot growth could be excluded for silicon-mediated decrease of chloride accumulation in rice.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นี้แสดงให้เห็นว่า bition inhi ของสุทธิดูดซึมใบไม่เป็นเท่านั้นเนื่องจากปากใบปัจจัย แต่ยังเนื่องจากปากใบไม่ใช่ปัจจัย การปรับปรุงความสามารถในการสังเคราะห์แสงโดยการเพิ่มซิลิคอนภายใต้ความเครียดเกลือควรจะสัมพันธ์กับผลบวกของซิลิคอนที่พืชเจริญเติบโต ซึ่งผลจากการลดสะสมคลอไรด์ในการถ่ายภาพ เพื่อแยก "เจือจาง" ผลของการเจริญเติบโตบนคอน-centrations ของคลอไรด์และโซเดียมในการถ่ายภาพ เรากำหนดอัตราการเจริญเติบโตสัมพัทธ์ยิงในสภาพน้ำเกลือ อัตราการเจริญเติบโตสัมพัทธ์ยิงเพียงเพิ่ม โดยซิลิกอนซึ่งจัดหาให้กับ NaCl พร้อมกัน และเพิ่มขึ้นในอัตราการเติบโตสัมพัทธ์มีค่าน้อยกว่าลดลงในความเข้มข้นของโซเดียมและคลอไรด์ (ตาราง 2) นอกจากนี้ ซิลิโคนปรับสภาพก่อนเกลือความเครียดเล็กน้อย แต่ไม่ significantly ไม่เพิ่มอัตราการเจริญเติบโตสัมพัทธ์ยิงเมื่อเทียบกับเกลือเพียงอย่างเดียว ดังนั้น "เจือจาง" ผลของการเติบโตยิงสามารถแยกสำหรับสื่อซิลิคอนลดคลอไรด์สะสมในข้าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี้แสดงให้เห็นว่า bition inhi- การดูดซึมสุทธิของใบไม่เพียง แต่เนื่องจากปัจจัยปากใบ,
แต่ยังเกิดจากปัจจัยที่ไม่ใช่ปากใบ.

การปรับปรุงความสามารถในการสังเคราะห์แสงโดยเพิ่มซิลิกอนภายใต้ความเครียดเกลือควรเชื่อมโยงกับผลบวกของซิลิคอน การเจริญเติบโตของพืชซึ่งเป็นผลมาจากการลดลงของการสะสมคลอไรด์ในการถ่ายทำ เพื่อที่จะไม่รวม "เจือจาง" ผลของการเจริญเติบโตใน centrations งคลอไรด์และโซเดียมในการถ่ายทำเราได้พิจารณาแล้วยิงอัตราการเติบโตเมื่อเทียบกับในเงื่อนไขน้ำเกลือ อัตราการเจริญเติบโตของการถ่ายญาติเพิ่มขึ้นโดยเฉพาะซิลิกอนซึ่งมีให้กับโซเดียมคลอไรด์พร้อมกันและการเพิ่มขึ้นของอัตราการเจริญเติบโตญาติน้อยกว่าการลดลงในโซเดียมและคลอไรด์ความเข้มข้น (ตารางที่ 2) นอกจากนี้ก่อนที่จะปรับสภาพซิลิคอนความเครียดเกลือเล็กน้อย แต่ไม่ได้อย่างมีนัยสำคัญเพิ่มอัตราการเจริญเติบโตของการถ่ายญาติเมื่อเทียบกับการรักษาเกลือเพียงอย่างเดียว ดังนั้น "เจือจาง" ผลของการเจริญเติบโตยิงอาจได้รับการยกเว้นการลดซิลิคอนสื่อกลางของการสะสมคลอไรด์ในนาข้าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้แสดงให้เห็นว่า inhi - bition รับสุทธิของใบไม่เพียง แต่เนื่องจากปัจจัยใบแต่เนื่องจากปัจจัยจำนวนไม่พัฒนาความสามารถในการสังเคราะห์แสง โดยเพิ่มซิลิกอนภายใต้ความเครียดเกลือควรจะเกี่ยวข้องกับผลบวกของซิลิกอนต่อการเจริญเติบโตของพืช ซึ่งเป็นผลจากการลดการสะสมคลอไรด์ในการยิง ในการแยก " เจือจาง " ผลของการเติบโตในคอน - centrations คลอไรด์และโซเดียมในการถ่ายภาพ เราตั้งใจยิงอัตราการเจริญเติบโตสัมพัทธ์ในภาวะเค็ม อัตราการเจริญเติบโตสัมพัทธ์ของการยิงเพิ่มขึ้นโดยเฉพาะซิลิคอนที่ได้รับกับเกลือพร้อมกัน และเพิ่มอัตราการเจริญเติบโตสัมพัทธ์น้อยกว่าการลดลงของโซเดียมและคลอไรด์ความเข้มข้น ( ตารางที่ 2 ) นอกจากนี้ ซิลิคอนโดยก่อนที่เค็มเล็กน้อย แต่ไม่ได้ signi จึงลดลงอย่างมีนัยสําคัญเมื่อเพิ่มอัตราการเจริญเติบโตสัมพัทธ์ของยิงเมื่อเทียบกับเกลือรักษาคนเดียว ดังนั้น " เจือจาง " ผลของการยิงอาจจะไม่รวมกับซิลิคอน โดยลดการสะสมของคลอไรด์ในข้าว