Initially transistor Q1 is triggere

Initially transistor Q1 is triggered, through the collector near the ground potential; resulting in about 300 V between the collector and emitter voltage across the second transistor Q2. This second transistor, Q2 experiences a nondestructive avalanche breakdown due to this over voltage. Consequently each transistor in turn experienced an even greater overvoltage due to a faster rise time and a shorter delay. Finally, transistor Q16 is turn to experience the high voltages, fast fall time.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เริ่มต้นด้วยทรานซิสเตอร์ Q1 เกอร์ ผ่านเก็บใกล้ศักยภาพดิน เกิดขึ้นในประมาณ 300 V ระหว่างแรงดันตัวเก็บรวบรวมและตัวส่งผ่านทรานซิสเตอร์สองไตรมาสที่ 2 ทรานซิสเตอร์นี้ 2 ไตรมาสที่ 2 ประสบการณ์แบ่งหิมะถล่มทำลายเนื่องจากนี้มากกว่าแรงดัน ดังนั้น ทรานซิสเตอร์แต่ละในประสบการณ์มี overvoltage ยิ่งเวลาขึ้นเร็วและเลื่อนสั้น สุดท้าย ทรานซิสเตอร์ Q16 เปิดประสบการณ์สูงแรงดัน รวดเร็วเวลาฤดูใบไม้ร่วง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไตรมาสที่ 1 ของทรานซิสเตอร์ในขั้นต้นจะถูกเรียกเก็บผ่านใกล้พื้นดินที่มีศักยภาพ; ส่งผลให้ประมาณ 300 V ระหว่างเก็บและแรงดันไฟฟ้าอีซีแอลทั่วทรานซิสเตอร์สองไตรมาสที่ 2 นี้ทรานซิสเตอร์สองไตรมาสที่ 2 ประสบการณ์การสลายถล่มทำลายเนื่องจากแรงดันมากกว่านี้ ดังนั้นในการเปิดทรานซิสเตอร์แต่ละประสบการณ์ไฟแรงดันสูงมากยิ่งขึ้นเนื่องจากเวลาเพิ่มขึ้นได้เร็วขึ้นและความล่าช้าที่สั้นกว่า สุดท้าย Q16 ทรานซิสเตอร์จะหันไปสัมผัสกับแรงดันไฟฟ้าที่สูงเวลาฤดูใบไม้ร่วงอย่างรวดเร็ว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตอนแรกทรานซิสเตอร์ Q1 จะถูกเรียกใช้ผ่านสะสมใกล้พื้นดินอาจเกิดขึ้น ส่งผลให้ประมาณ 300 v ระหว่างสะสมและส่งสัญญาณแรงดันในทรานซิสเตอร์ในไตรมาสที่สอง ทรานซิสเตอร์สองนี้ จากประสบการณ์การสลายทลายความนี้เนื่องจากแรงดันไฟฟ้าเกินดังนั้นแต่ละทรานซิสเตอร์เปิดประสบการณ์ได้มากขึ้น เนื่องจากมีแรงดันสูงขึ้น เร็วขึ้น และมีความล่าช้าเวลาสั้น ในที่สุด ทรานซิสเตอร์ q16 เปิดประสบการณ์แรงดันไฟฟ้าสูง รวดเร็ว ตกเวลา