The micromechanical switch is witho

The micromechanical switch is without doubt the paradigm RF MEMS device. However, a major drawback is that these switches are usually electrostatic in nature and commonly driven by bias voltages in the 40--100 V range. The focus of this investigation was the development of a low actuation voltage RF MEMS switch in the K/Ka-band frequency region. The switch structure is composed of four multi-meander folded suspensions attached to actuation pads over the ground planes of FGCPW lines, resulting in a compact design and low spring design. This allowed for the development of capacitive switches with actuation voltages as low as 6 V (one of the lowest values to date) with switching speeds of approximately 50 musec. Furthermore, top electrodes were added over the actuation pads in order to mitigate the effect of

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Micromechanical สวิตช์เป็นอุปกรณ์ RF MEMS กระบวนทัศน์โดยไม่ต้องสงสัย อย่างไรก็ตาม อุปสรรคสำคัญคือการที่สวิตช์เหล่านี้มักจะสถิตในธรรมชาติ และโดยทั่วไปที่ขับเคลื่อน โดยแรงดัน bias ใน 40 - 100 V ช่วง จุดเน้นของการตรวจสอบนี้เป็นการพัฒนาของ actuation ต่ำที่แรงดันไฟฟ้า RF MEMS สลับในภูมิภาคความถี่ K/Ka-วง โครงสร้างสวิตช์ประกอบด้วยสี่ลวดหลายบริการพับแนบกับแผ่น actuation ผ่านเครื่องบินพื้น FGCPW บรรทัด กะทัดรัดและการออกแบบสปริงต่ำ นี้อนุญาตให้สำหรับการพัฒนาของสวิตช์ควบคุมด้วย actuation แรงดันต่ำสุดที่ 6 V (ต่ำสุดค่าหนึ่งวัน) ด้วยการเปลี่ยนความเร็วประมาณ 50 musec นอกจากนี้ เพิ่มผ่านแผ่น actuation ขั้วไฟฟ้าด้านบนเพื่อลดผลของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สวิทช์จิ๋วโดยไม่ต้องสงสัยอุปกรณ์ MEMS กระบวนทัศน์ RF อย่างไรก็ตามอุปสรรคสำคัญคือการที่สวิทช์เหล่านี้มักจะไฟฟ้าสถิตในธรรมชาติและขับเคลื่อนโดยทั่วไปแรงดันไฟฟ้าอคติในช่วง 40--100 V จุดเน้นของการสืบสวนคดีนี้คือการพัฒนาของแรงดันไฟฟ้าที่ดำเนินการต่ำ MEMS RF สลับใน K / Ka-Band ความถี่ภูมิภาค โครงสร้างสวิทช์ประกอบด้วยสี่หลายคดเคี้ยวแขวนลอยพับที่แนบมากับแผ่นการดำเนินการมากกว่าพื้นระนาบของเส้น FGCPW ผลในการออกแบบที่กะทัดรัดและการออกแบบฤดูใบไม้ผลิต่ำ นี้ได้รับอนุญาตสำหรับการพัฒนาของสวิทช์แบบ capacitive กับแรงดันไฟฟ้าการดำเนินการที่ต่ำเป็น 6 V (หนึ่งในค่าต่ำสุดไป Date) ที่มีความเร็วในการเปลี่ยนประมาณ 50 musec นอกจากนี้ขั้วไฟฟ้าด้านบนถูกเพิ่มกว่าแผ่นการดำเนินการเพื่อบรรเทาผลกระทบของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เปลี่ยน micromechanical โดยไม่ต้องสงสัยกระบวนทัศน์ RF MEMS อุปกรณ์ อย่างไรก็ตาม อุปสรรคสำคัญคือ สวิตช์เหล่านี้มักจะสถิตในธรรมชาติและมักเกิดจากอคติ แรงดันไฟฟ้าในช่วง 40 - 100 V . โฟกัสของการสืบสวนนี้คือการพัฒนา RF MEMS แรงดันไฟฟ้าต่ำสลับปลุกเร้าใน K / KA แถบความถี่ ) โครงสร้างสลับประกอบด้วยสี่หลายเลี้ยวลดพับช่วงล่างแนบแผ่นซื้อเหนือพื้นดินของเครื่องบินของ fgcpw เส้น เป็นผลในการออกแบบขนาดกะทัดรัดและการออกแบบสปริงน้อย นี้ได้รับอนุญาตสำหรับการพัฒนาสวิตช์ตัวเก็บประจุแรงดันไฟฟ้าต่ำพอๆ กับซื้อ 6 V ( หนึ่งของค่าต่ำสุดวันที่ ) กับเปลี่ยนความเร็วประมาณ 50 musec . นอกจากนี้ บนขั้วไฟฟ้าเพิ่มมากกว่าซื้อแผ่น เพื่อลดผลกระทบของ