To improve field emission (FE) prop

To improve field emission (FE) properties of V2O5, ZnO nanowires were used as templates and V2O5 nanoparticles were successfully grown and coated on them via a chemical vapor deposition (CVD) route followed by a rapid anneal treatment. The particle size and shape were determined by the temperature sensitive crystallization of V2O5. Three different samples having different surface morphologies were obtained at 370, 450 and 510 °C, respectively, in which V2O5 nanoparticles were grown on the surface forming sharp tips. SEM results revealed that the sample of 450 °C had the sharpest tips, and its chemical states and components were examined by XRD analysis, confirming the coating of V2O5 on ZnO. FE measurements for the three samples showed enhanced FE properties compared with pure V2O5 and bare ZnO. Moreover, FE properties for the sample of 450 °C are the best in the three samples, showing a low turn-on field reduced markedly from 4.38 V/μm (V2O5) to 2.25 V/μm and a high current density (at 5 V/μm) increased markedly from 0.21 mA/cm2 (V2O5) to 4.98 mA/cm2. The corresponding field enhancement factor (β) also increased greatly to 3066, much higher than the value of pure V2O5 nanoparticles (βV2O5≈920) and higher than the value of bare ZnO (βZnO ≈ 1590). The equipotential model analyses revealed that the enhanced FE properties were attributed to sharp tips formed by V2O5 nanoparticles, where the introduced V2O5 tips act as independent emitters on the surface and high local electric field around these tips increased the tunneling probability.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่อปรับปรุงฟิลด์มลพิษ (FE) คุณสมบัติของ V2O5, ZnO nanowires ถูกใช้เป็นแม่แบบ และรักษาหลอมแบบ V2O5 เก็บกักสำเร็จเติบโตขึ้น และเคลือบได้ผ่านไอเคมีสะสม (เกี่ยวกับกระบวนการผลิตตาม โดยรวดเร็ว ขนาดอนุภาคและรูปร่างถูกกำหนด โดยเกิดความไวต่ออุณหภูมิของ V2O5 ตัวอย่างแตกต่างกันสามที่มี morphologies ผิวแตกต่างกันได้รับที่ 370, 450 และ 510 ° C ตามลำดับ ในการเก็บกัก V2O5 ได้เติบโตบนพื้นผิวที่เป็นเคล็ดลับคม SEM ผลเปิดเผยว่า ตัวอย่างของ 450 ° C มีเคล็ดลับคมชัด และอเมริกาเคมีและคอมโพเนนต์ถูกตรวจสอบ โดยการวิเคราะห์ XRD ยืนยันเคลือบของ V2O5 ใน ZnO FE วัดตัวอย่าง 3 แสดงให้เห็นคุณสมบัติ FE เพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับ V2O5 บริสุทธิ์และ ZnO เปลือย นอกจากนี้ FE คุณสมบัติสำหรับตัวอย่างของ 450 ° C มีส่วนในตัวอย่าง 3 แสดงเขต turn-on ต่ำลดลงอย่างเด่นชัดจาก V 4.38 μm (V2O5) เป็น μm หุ้น 2.25 V และความหนาแน่นปัจจุบันสูง (ที่ 5 V/μm) เพิ่มขึ้นอย่างเด่นชัดจาก mA 0.21 cm2 (V2O5) 4.98 mA/cm2 ตรงฟิลด์ปรับปรุงปัจจัย (β) นอกจากนี้ยังเพิ่มขึ้นอย่างมาก 3066 สูงกว่าค่าเก็บกัก V2O5 บริสุทธิ์ (βV2O5≈920) และสูงกว่าค่าของ ZnO เปลือย (βZnO ≈ 1590) วิเคราะห์แบบจำลอง equipotential เปิดเผยว่า FE คุณสมบัติขั้นสูงที่บันทึกเคล็ดลับที่ก่อตั้งขึ้น โดยเก็บกัก V2O5 เคล็ดลับ V2O5 นำทำหน้าที่เป็น emitters อิสระบนพื้นผิว และสนามไฟฟ้าภายในเครื่องสูงรอบเคล็ดลับเหล่านี้เพิ่มความน่าเป็นลแบบ tunneling ที่คมชัด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อปรับปรุงการปล่อยสนาม (FE) คุณสมบัติของ V2O5, เส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ถูกนำมาใช้เป็นแม่แบบและอนุภาคนาโน V2O5 ปลูกที่ประสบความสำเร็จและเคลือบบนพวกเขาผ่านทางไอสารเคมีสะสม (CVD) เส้นทางตามด้วยการรักษาหลอมอย่างรวดเร็ว ขนาดอนุภาคและรูปร่างที่ถูกกำหนดโดยอุณหภูมิการตกผลึกความละเอียดอ่อนของ V2O5 สามตัวอย่างที่แตกต่างกันมีรูปร่างลักษณะพื้นผิวที่แตกต่างกันได้รับที่ 370, 450 และ 510 องศาเซลเซียสตามลำดับซึ่งในอนุภาคนาโน V2O5 ปลูกบนพื้นผิวการขึ้นรูปเคล็ดลับคม SEM ผลการศึกษาพบว่ากลุ่มตัวอย่าง 450 ° C มีเคล็ดลับที่คมชัดและรัฐทางเคมีและส่วนประกอบมีการตรวจสอบโดยการวิเคราะห์ XRD ยืนยันการเคลือบ V2O5 ในซิงค์ออกไซด์ FE วัดสามตัวอย่างที่แสดงให้เห็นคุณสมบัติที่เพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับ FE V2O5 บริสุทธิ์และซิงค์ออกไซด์เปลือย นอกจากนี้ยังมีคุณสมบัติ FE ตัวอย่าง 450 ° C ที่ดีที่สุดในสามตัวอย่างที่แสดงให้เห็นถึงการเปิดในสนามลดลงอย่างเห็นได้ชัดในระดับต่ำจาก 4.38 V / ไมครอน (V2O5) 2.25 V / ไมโครเมตรและมีความหนาแน่นสูงในปัจจุบัน (ที่ 5 V / ไมครอน) ที่เพิ่มขึ้นอย่างเห็นได้ชัดจาก 0.21 mA / cm2 (V2O5) เพื่อ 4.98 mA / cm2 ปัจจัยการเพิ่มประสิทธิภาพของฟิลด์ที่สอดคล้องกัน (β) นอกจากนี้ยังเพิ่มขึ้นอย่างมากใน 3066 สูงกว่ามูลค่าของอนุภาคนาโน V2O5 บริสุทธิ์ (βV2O5≈920) และสูงกว่ามูลค่าของซิงค์ออกไซด์เปลือย (βZnO≈ 1590) รูปแบบสมศักย์วิเคราะห์เปิดเผยว่าการปรับปรุงคุณสมบัติ FE ถูกประกอบกับเคล็ดลับความคมชัดที่เกิดขึ้นจากอนุภาคนาโน V2O5 ที่แนะนำเคล็ดลับการทำหน้าที่เป็น V2O5 emitters อิสระบนพื้นผิวและสนามไฟฟ้าสูงท้องถิ่นทั่วเคล็ดลับเหล่านี้ที่เพิ่มขึ้นน่าจะเป็นอุโมงค์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปรับปรุงสนามออก ( Fe ) คุณสมบัติของซิงค์ออกไซด์นาโน V2O5 ถูกใช้เป็นแม่แบบ และได้ปลูกและเคลือบนาโน V2O5 เรียบร้อยแล้วนั้นทาง chemical vapor deposition ( CVD ) เส้นทางตามอย่างรวดเร็ว เนล รักษา ขนาดและรูปร่างที่ถูกกำหนดโดยความไวต่ออุณหภูมิการตกผลึกของ V2O5 .สามตัวอย่างที่แตกต่างกันมีลักษณะพื้นผิวที่แตกต่างกันได้รับที่ 370 , 450 และ 510 องศาองศาเซลเซียส ตามลำดับ ซึ่งในอนุภาคนาโน V2O5 เติบโตบนพื้นผิวเป็นเคล็ดลับที่คมชัด จากผลการศึกษาพบว่า กลุ่มตัวอย่าง 450 องศา C มีเคล็ดลับที่คมชัด และสภาพทางเคมีและส่วนประกอบที่ถูกตรวจสอบโดยการวิเคราะห์ XRD , ยืนยันเคลือบ V2O5 บนเช่นกันเหล็กวัดสำหรับสามตัวอย่าง พบเพิ่มขึ้นเมื่อเทียบกับคุณสมบัติของเหล็กบริสุทธิ์และ ZnO V2O5 เปลือย นอกจากนี้ เฟคุณสมบัติสำหรับจำนวน 450 องศา C จะดีที่สุดในสามตัวอย่าง แสดงที่สนามเปิดต่ำลดลงจาก 4.38 v / M ( μ V2O5 ) 2.25 V / μเมตรและสูงความหนาแน่นกระแส ( ที่ 5 V / μ M ) เพิ่มขึ้นอย่างเด่นชัดใน MA / cm2 ( V2O5 ) ถึง 4.98 มา / cm2ที่สนามเพิ่มปัจจัย ( บีตา ) ยังเพิ่มขึ้นอย่างมาก 3066 , มากขึ้นกว่าค่าของอนุภาคนาโน V2O5 บริสุทธิ์ ( บีตา V2O5 ≈ 920 ) และสูงกว่ามูลค่าของซิงค์ออกไซด์ ( ZnO ≈เปลือยบีตา 1549 ) รูปแบบ EQUIPOTENTIAL พบว่าเพิ่มขึ้น Fe คุณสมบัติได้ ประกอบกับ ชาร์ปเคล็ดลับที่เกิดขึ้นจากอนุภาคนาโน V2O5 ,ที่แนะนำเคล็ดลับ V2O5 เป็นอิสระ emitters บนพื้นผิวและสนามไฟฟ้าท้องถิ่นสูงเคล็ดลับเหล่านี้เพิ่มอุโมงค์ความน่าจะเป็น