Manufacture of a silicon diode junc

Manufacture of a silicon diode junction.

After the mask is removed in Figure above (f), the positive resist can be developed (g) in an alkaline solution, opening windows in the UV softened resist. The purpose of the resist is to protect the silicon dioxide from the hydrofluoric acid etch (h), leaving only open windows corresponding to the mask openings. The remaining resist (i) is stripped from the wafer before returning to the diffusion furnace. The wafer is exposed to a gaseous P-type dopant at high temperature in a diffusion furnace (j). The dopant only diffuses into the silicon through the openings in the silicon dioxide layer. Each P-diffusion through an opening produces a PN junction. If diodes were the desired product, the wafer would be diamond scribed and broken into individual diode chips. However, the whole wafer may be processed further into bipolar junction transistors.

To convert the diodes into transistors, a small N-type diffusion in the middle of the existing P-region is required. Repeating the previous steps with a mask having smaller openings accomplishes this. Though not shown in Figure above (j), an oxide layer was probably formed in that step during the P-diffusion. The oxide layer over the P-diffusion is shown in Figure below (k). Positive photo resist is applied and dried (l). The chrome on glass emitter mask is applied (m), and UV exposed (n). The mask is removed (o). The UV softened resist in the emitter opening is removed with an alkaline solution (p). The exposed silicon dioxide is etched away with hydrofluoric acid (HF) at (q)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การผลิตซิลิคอนไดโอดแยกหลังจากที่หน้ากากจะถูกเอาออกในรูปข้างบน (f), ต่อต้านบวกสามารถพัฒนา (g) ในโซลูชัน ต่อต้านการเปิดหน้าต่างใน UV ที่นุ่มนวล วัตถุประสงค์ของการต่อต้านจะปกป้องซิลิกอนไดออกไซด์จากกรดไฮโดรฟลูออริกกัด (h), เฉพาะเปิด windows ที่ตรงกับช่องเปิดหน้ากากออกจากนั้น ต้านทานที่เหลือ (i) จะถูกตัดออกจากแผ่นเวเฟอร์การเพื่อเตาแพร่ เวเฟอร์มีสัมผัสกับ dopant ชนิด P เป็นก๊าซที่อุณหภูมิสูงในเตาไฟกระจาย (j) Dopant เพียงแพร่เข้าสู่ซิลิกอนผ่านช่องในชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ แต่ละ P แพร่ผ่านการเปิดให้แยก PN ถ้าไดโอด ผลิตภัณฑ์ต้องการ ในเวเฟอร์จะเป็นเพชร scribed และหักเป็นไดโอดแต่ละเกล็ด อย่างไรก็ตาม เวเฟอร์ทั้งหมดอาจถูกประมวลผลในทรานซิสเตอร์สองขั้วแยกการแปลงของไดโอดทรานซิสเตอร์ การกระจายประเภท N เล็กกลาง P-ภูมิภาคที่มีอยู่ถูกต้อง ทำซ้ำขั้นตอนก่อนหน้านี้ มีรูปแบบที่มีช่องเปิดขนาดเล็กสำเร็จนี้ แม้ไม่ได้แสดงในรูปข้างบน (j), มีชั้นออกไซด์อาจก่อตั้งขึ้นในขั้นตอนระหว่าง P-แพร่ ชั้นออกไซด์ผ่าน P-แพร่จะแสดงในรูปด้านล่าง (k) บวกต่อต้านภาพถูกนำไปใช้ และแห้ง (l) Chrome บนหน้ากากแก้วยิงใช้ (m), และ UV สัมผัส (n) หน้ากากคือ เอา (o) ต้านทานรังสียูวีลงในยิงเปิดจะถูกเอาออก ด้วยละลายด่าง (p) ซิลิกอนไดออกไซด์สัมผัสฝังไปกับกรดไฮโดรฟลูออริก (HF) (q)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การผลิตของซิลิคอนไดโอด.

หลังจากหน้ากากจะถูกลบออกในรูปด้านบน (F) บวกต่อต้านสามารถพัฒนา (ช) ในสารละลายด่างเปิดหน้าต่างยูวีชะลอตัวต้านทาน วัตถุประสงค์ของการต่อต้านคือการปกป้องซิลิคอนไดออกไซด์จากกัดกรดไฮโดรฟลูออริก (H) ออกจากหน้าต่างเปิดเฉพาะที่สอดคล้องกับการเปิดหน้ากาก ส่วนที่เหลืออีกต้านทาน (I) ปล้นจากเวเฟอร์ก่อนจะกลับไปเตาแพร่ เวเฟอร์จะสัมผัสกับก๊าซ P-ชนิดเจือปนที่อุณหภูมิสูงในเตาเผากระจาย (ญ) เจือปนเพียงกระจายเข้าไปในซิลิคอนผ่านช่องเปิดในชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ที่ แต่ละ P-แพร่กระจายผ่านการเปิดผลิตแยก PN ถ้าไดโอดเป็นผลิตภัณฑ์ที่ต้องการ, เวเฟอร์จะเพชร scribed และบุกเข้าไปในชิปแต่ละไดโอด อย่างไรก็ตามเวเฟอร์ทั้งอาจจะมีการประมวลผลต่อไปในทรานซิสเตอร์สองขั้วแยก.

เพื่อแปลงไดโอดทรานซิสเตอร์เข้าไปเป็น N-ชนิดแพร่กระจายขนาดเล็กที่อยู่ตรงกลางของที่มีอยู่ P-ภูมิภาคเป็นสิ่งจำเป็น ทำซ้ำขั้นตอนก่อนหน้าด้วยหน้ากากมีช่องเปิดขนาดเล็กสำเร็จนี้ แม้ว่าจะไม่ได้แสดงในรูปข้างต้น (ญ), ชั้นออกไซด์อาจจะเกิดขึ้นในขั้นตอนที่ว่าในช่วง P-แพร่ ชั้นออกไซด์มากกว่า P-แพร่จะแสดงในรูปด้านล่าง (k) ภาพบวกต่อต้านถูกนำไปใช้และแห้ง (L) โครเมี่ยมหน้ากากแก้วอีซีแอลถูกนำไปใช้ (M) และยูวีสัมผัส (N) หน้ากากจะถูกลบออก (O) รังสียูวีชะลอลงต่อต้านในการเปิดอีซีแอลจะถูกลบออกด้วยสารละลายด่าง (P) ซิลิกอนไดออกไซด์สัมผัสจะถูกกัดไปด้วยกรดไฮโดรฟลูออริก (HF) ที่ (Q)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การผลิตซิลิกอนไดโอด Junctionหลังหน้ากากจะถูกลบออกในรูปข้างบน ( F ) , บวกต้านทานสามารถพัฒนา ( G ) ในสารละลายด่าง , เปิดหน้าต่างใน UV นิ่มขัดขืน วัตถุประสงค์ของการต่อต้านก็เพื่อปกป้องซิลิคอนไดออกไซด์จากกรดไฮโดรฟลูออริกกัด ( H ) เหลือเพียงหน้าต่างที่เปิดอยู่ที่หน้ากากเปิด . เหลือต้านทาน ( ผม ) ถูกปลดออกจากเวเฟอร์ก่อนกลับแพร่เตา เวเฟอร์จะสัมผัสกับก๊าซพีโดพันท์ที่อุณหภูมิสูงเตาแพร่ ( J ) โดยเฉพาะในซิลิคอน dopant แพร่กระจายผ่านช่องเปิดในซิลิคอนไดออกไซด์ ชั้น แต่ละ p-diffusion ผ่านการสร้าง PN Junction ถ้าไดโอดเป็นสินค้าที่ต้องการ , เวเฟอร์จะเป็นเพชรและ scribed แตกเป็นไดโอดแต่ละชิป อย่างไรก็ตาม เวเฟอร์ ทั้งหมดอาจจะถูกประมวลผลต่อไปในชุมทางไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์เพื่อแปลงเป็นไดโอดทรานซิสเตอร์ , การแพร่กระจายทั่วไป ขนาดเล็ก กลาง p-region ที่มีอยู่เป็นสิ่งจำเป็น ทำซ้ำขั้นตอนเดิมกับหน้ากากมีช่องขนาดเล็กที่ประสบความสำเร็จนี้ แม้ว่าจะไม่ได้แสดงในรูปข้างบน ( J ) , ออกไซด์ชั้นอาจจะเกิดขึ้นในขั้นตอนระหว่าง p-diffusion . ออกไซด์ทับ p-diffusion แสดงไว้ในรูปด้านล่าง ( K ) บวกภาพต่อต้านที่ใช้อบแห้ง ( L ) Chrome บนหน้ากากใช้อีซีแก้ว ( M ) และตาก UV ( N ) หน้ากากออก ( O ) UV นิ่มขัดขืนในตัวส่งสัญญาณที่เปิดออกด้วยสารละลายด่าง ( P ) สัมผัสซิลิคอนไดออกไซด์ คือฝังไปกับกรดกัดแก้ว ( HF ) ที่ ( Q )