Laser direct write CVD is shown to

Laser direct write CVD is shown to be capable of producing
feature sizes on the scale of a few hundred nanometers. It was
found that the narrowest linewidth was produced using an fs
pulsed laser on a silicon dioxide surface, due to multiphoton
absorption in silicon dioxide and confined heating by fs
pulses. There isminimal damage to the substrate surface after
deposition, and the deposited lines have the necessary electronic
properties for successful integration into an electronic
device.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เลเซอร์ผิว CVD จะแสดงสามารถผลิตเขียนโดยตรงขนาดลักษณะการทำงานในระดับของ nanometers กี่ร้อย มันเป็นพบว่า linewidth ที่แคบที่สุดที่ผลิตโดยใช้งบการเลเซอร์พัลบนพื้นผิวซิลิคอนไดออกไซด์ จาก multiphotonดูดซึมความร้อนจำกัด โดย fs และซิลิกอนไดออกไซด์กะพริบ มี isminimal ความเสียหายของพื้นผิวพื้นผิวหลังจากสะสม และใบนำฝากได้ทางอิเล็กทรอนิกส์ที่จำเป็นคุณสมบัติการรวมประสบความสำเร็จในทางอิเล็กทรอนิกส์อุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เลเซอร์ CVD
เขียนโดยตรงแสดงให้เห็นว่าสามารถผลิตขนาดคุณลักษณะโยไม่กี่ร้อยนาโนเมตร มันถูกพบว่า linewidth แคบที่ผลิตโดยใช้ FS เลเซอร์ชีพจรบนพื้นผิวซิลิคอนไดออกไซด์เนื่องจาก multiphoton การดูดซึมในซิลิคอนไดออกไซด์และความร้อนที่ถูกคุมขังโดย FS พัลส์ มี isminimal ความเสียหายให้กับพื้นผิวหลังจากการสะสมและเส้นฝากมีอิเล็กทรอนิกส์ที่จำเป็นเพื่อบูรณาการที่ประสบความสำเร็จเป็นอิเล็กทรอนิกส์อุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เลเซอร์โดยตรงเขียน CVD เป็นแสดงให้เห็นความสามารถในการผลิต
มีขนาดในระดับไม่กี่ร้อยนาโนเมตร มันคือ
พบว่าโฟโตลูมิเนสเซนต์แคบที่ผลิตใช้ FS
แสงเลเซอร์พัลส์ในซิลิคอนไดออกไซด์พื้นผิว เนื่องจาก multiphoton
การดูดซึมในซิลิคอนไดออกไซด์และกักขังความร้อนโดย FS
พั . มี isminimal ความเสียหายพื้นผิวพื้นผิวหลังจาก
สะสม ,และฝากเส้นมีความสำเร็จในการอิเล็กทรอนิกส์
คุณสมบัติสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์