Pure silicon is deliberately ‘impur

Pure silicon is deliberately ‘impurified’ (doped) with tri- and pentavalent impurity atoms to make a p- or n-type semi-conductor. If we put a p-and n-type crystal together we get a junction (pn-junction, Fig. 3) whose electrical properties determine the performance of the solar cell. In equilibrium (with no external voltage) the Fermi characteristic energy level EF will be the same throughout. Because of the difference in the concentrations of electrons and holes in the p- and n-regions, electrons diffuse into the pregion and holes into the n-region. The immobile impurity atoms create a space charge-limited current region; the diffusion current and the field current offset one another in equilibrium. The diffusion potential UD in the pn-junction depends on the amount of doping and corresponds to the original difference between the Fermi energy levels of the separate p- and n-regions. The distance between the valence band and the conduction band in silicon at room temperature is

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซิลิคอนบริสุทธิ์ตั้งใจเป็น 'impurified' (doped) กับ tri - และมลทิน pentavalent อะตอมให้เป็น p หรือ n-ชนิดกึ่งนำ ถ้าเราใส่เป็น p-n ชนิดผลึกรวมกันเราได้รับการเชื่อมต่อ (pn-ชุมทาง Fig. 3) คุณสมบัติทางไฟฟ้ากำหนดประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์และการ ในสมดุลกับแรงดันไฟฟ้าไม่ภายนอก) ระดับพลังงานแฟร์มีลักษณะพลังงาน EF จะเหมือนกันตลอดไป ความแตกต่างของความเข้มข้นของอิเล็กตรอนและหลุมใน p - และ n-ภูมิภาค อิเล็กตรอนกระจาย pregion และหลุมเป็น n-ภูมิภาค มลทิน immobile อะตอมสร้างภูมิภาคปัจจุบันค่าธรรมเนียมพื้นที่จำกัด แพร่ปัจจุบันและปัจจุบันฟิลด์ออฟเซ็ตอื่นในสมดุล แพร่ที่อุดมีศักยภาพในการเชื่อมต่อพีเอ็นขึ้นอยู่กับจำนวนของโดปปิงค์ และสอดคล้องกับข้อแตกต่างระหว่างระดับพลังงานแฟร์มีพลังงานของการแยก p - และ n-ภาคต้นฉบับ ระยะห่างระหว่างแถบเวเลนซ์และวงในการนำซิลิคอนที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิกอนบริสุทธิ์จงใจ 'impurified (ยา) กับไตรและอะตอม pentavalent บริสุทธิ์ที่จะทำให้ p- หรือชนิดเอ็นกึ่งตัวนำ ถ้าเราใส่พีและคริสตัล n ชนิดด้วยกันที่เราได้รับเป็นจุดเชื่อมต่อ (PN-แยกรูปที่. 3) ที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าตรวจสอบประสิทธิภาพการทำงานของเซลล์แสงอาทิตย์ อยู่ในภาวะสมดุล (ไม่มีแรงดันภายนอก) แฟร์ลักษณะระดับพลังงานของ EF จะไม่เหมือนเดิมตลอด เพราะความแตกต่างในระดับความเข้มข้นของอิเล็กตรอนและหลุมใน p- และ n-ภูมิภาคอิเล็กตรอนไหลเข้าสู่ pregion และหลุมเข้าไป n-ภูมิภาค อะตอมบริสุทธิ์เคลื่อนที่สร้างค่าใช้จ่ายที่ จำกัด เขตพื้นที่ปัจจุบัน; ปัจจุบันการแพร่กระจายและเขตข้อมูลปัจจุบันชดเชยอีกคนหนึ่งอยู่ในภาวะสมดุล การแพร่กระจายที่อาจเกิดขึ้นใน UD PN-ทางแยกขึ้นอยู่กับปริมาณของยาสลบและสอดคล้องกับความแตกต่างระหว่างเดิมแฟร์ระดับพลังงานของ p- แยกต่างหากและ n-ภูมิภาค ระยะห่างระหว่างวงจุและการนำวงดนตรีในซิลิกอนที่อุณหภูมิห้องเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิคอนบริสุทธิ์ จงใจ impurified ' ' ( เจือก ) กับ Tri - เพนตะวาเลนท์ความมัวหมองอะตอมเพื่อให้ p - กึ่งตัวนํา หรือทั่วไป . ถ้าเราใส่ p-and ทั่วไปคริสตัลกันเราได้แยก ( PN Junction , รูปที่ 3 ) ที่มีสมบัติทางไฟฟ้าตรวจสอบประสิทธิภาพของโซล่าเซลล์ สมดุล ( ไม่มีภายนอกแรงดัน ) แฟร์มีลักษณะระดับพลังงาน EF จะเหมือนกันตลอดเพราะความแตกต่างของความเข้มข้นของอิเล็กตรอนและหลุมใน P - n-regions อิเล็กตรอนกระจายเข้าไปใน pregion และหลุมใน n-region . อะตอมปลอมปนซึ่งสร้างพื้นที่เก็บ จำกัด ปัจจุบันเขต ; กระแสแพร่และสนามปัจจุบันชดเชยกันในภาวะสมดุลการแพร่กระจายศักยภาพ UD ใน PN Junction ขึ้นอยู่กับปริมาณของยาสลบและสอดคล้องกับความแตกต่างระหว่างแฟร์มีพลังงานระดับเดิมของแยก P - n-regions . ระยะห่างระหว่าง 2 วง และนำวงดนตรีในซิลิคอนที่อุณหภูมิห้อง