Advancement of large-scale integrat

Advancement of large-scale integrated interconnect structure requires an ultra-thin and uniform diffusion barrier
layer between Cu interconnect and insulating layers. As a promising alternative barrier to the conventional
Ta/TaN, the self-forming barrier layer from the CuMnTi alloy layer was investigated in this work. In order to
achieve the self-forming barrier layer, the CuMnTi alloy layer first was deposited on SiO2 substrate by magnetron
sputtering. Second, the alloying elements were driven and migrated to the interface, and moreover, reacted with
SiO2 to form the self-forming barrier layer. The self-forming barrier layer has a thickness of about 5 nm. The annealing
leads to an obvious decrease of resistivity from 50.10 μΩ cm to 4.23 μΩ cm for the CuMnTi alloy layer. The
self-forming barrier can improve the adhesion of Cu interconnect layer and effectively prevent element diffusion
between Cu interconnect and insulating SiO2 substrate.
© 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
Keywords:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความก้าวหน้าของโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างวงจรขนาดใหญ่ต้องการเฉียบ และชุดแผงไม้ชั้นระหว่าง Cu interconnect และฉนวนชั้น เป็นอุปสรรคแนวโน้มอื่นไปทั่วตาตาล ชั้นกั้นการขึ้นรูปตัวเองจากชั้นโลหะผสม CuMnTi รับการตรวจสอบในงานนี้ เพื่อเป็นการบรรลุชั้นกั้นการขึ้นรูปด้วยตนเอง ชั้นของโลหะผสม CuMnTi การแรกฝากบนพื้นผิวของ SiO2 โดยผลิตกล่องจากกระดาษสปัตเตอร์ ที่สอง องค์ประกอบผสมขับเคลื่อน และย้ายไปยังอินเทอร์เฟซ และนอกจากนี้ ปฏิกิริยาตอบสนองกับSiO2 เพื่อชั้นกั้นการขึ้นรูปด้วยตนเอง ชั้นกั้นการขึ้นรูปด้วยตนเองมีความหนาประมาณ 5 nm การหลอมนำไปสู่การลดเห็นได้ชัดของความต้านทานจาก 50.10 μΩซม.ถึง 4.23 μΩซม.สำหรับชั้นโลหะผสม CuMnTi การอุปสรรคที่ขึ้นรูปด้วยตนเองสามารถปรับปรุงการยึดเกาะของชั้นเชื่อมต่อระหว่าง Cu และป้องกันองค์ประกอบกระจายระหว่างเชื่อมต่อระหว่าง Cu และฉนวน SiO2 พื้นผิว© 2016 Elsevier b.v สงวนลิขสิทธิ์คำสำคัญ:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความก้าวหน้าของการเชื่อมต่อโครงสร้างขนาดใหญ่แบบบูรณาการต้องมีการแพร่ของบางเฉียบและสม่ำเสมอ
ชั้นระหว่าง Cu เชื่อมต่อระหว่างกันและชั้นฉนวน ในฐานะที่เป็นอุปสรรคทางเลือกที่มีแนวโน้มที่จะธรรมดา
TA / ตาลชั้นกั้นตัวเองขึ้นรูปจากชั้นอัลลอย CuMnTi ถูกตรวจสอบในงานนี้ เพื่อที่จะ
บรรลุชั้นกั้นตัวเองขึ้นรูปชั้นอัลลอย CuMnTi แรกถูกวางบนพื้นผิว SiO2 โดยแมก
สปัตเตอร์ ประการที่สององค์ประกอบผสมที่ถูกขับเคลื่อนและย้ายไปยังอินเตอร์เฟซและนอกจากนี้ยังมีปฏิกิริยาตอบสนองกับ
SiO2 ในรูปแบบชั้นกั้นตัวเองขึ้นรูป ชั้นกั้นตัวเองขึ้นรูปมีความหนาประมาณ 5 นาโนเมตร อบอ่อน
นำไปสู่การลดลงอย่างเห็นได้ชัดของความต้านทานจาก 50.10 μΩซม 4.23 μΩซม. สำหรับชั้นอัลลอย CuMnTi
กั้นตัวเองขึ้นรูปสามารถเพิ่มการยึดเกาะของชั้นเชื่อมต่อระหว่างกัน Cu และประสิทธิภาพในการป้องกันการแพร่กระจายขององค์ประกอบ
ระหว่าง Cu เชื่อมต่อระหว่างกันและฉนวนตั้งต้น SiO2.
© 2016 Elsevier BV สงวนลิขสิทธิ์.
คำสำคัญ:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความก้าวหน้าของการรวมขนาดใหญ่เชื่อมโครงสร้างต้องมีบางเฉียบและชุดกั้นการแพร่ชั้นระหว่าง Cu ( และชั้นฉนวน เป็นสิ่งกีดขวางทางเลือกสัญญาทั่วไปตา / ตัน ตนเองสร้างกั้นชั้นจาก cumnti โลหะผสมชั้นสอบสวน ในงานนี้ เพื่อให้ตนเองเป็นชั้นกั้น , cumnti โลหะผสมชั้นแรกฝากบนพื้นผิวซิลิกาโดยโลหะสปัตเตอร์ริง . ที่สอง , ธาตุอัลลอยด์ถูกขับเคลื่อน และโยกย้ายไปยังอินเตอร์เฟซและนอกจากนี้ปฏิกิริยาSiO2 แบบตนเองเป็นชั้นกั้น ตนเองเป็นชั้นกั้น มีความหนาประมาณ 5 นาโนเมตร การอบอ่อนนำไปสู่การลดลงที่ชัดเจนของค่าความต้านทานจาก 50.10 μΩซม. ถึง 4.23 μΩซม. สำหรับ cumnti โลหะผสมชั้น ที่สร้างสิ่งกีดขวางสามารถปรับปรุงการยึดติดของจุฬาฯ 3 ชั้นและมีประสิทธิภาพป้องกันการแพร่กระจายของตนเองระหว่างทองแดงและฉนวนพ่นได้อย่างหลากหลายสงวนลิขสิทธิ์ 2552 สามารถนำเสนอสงวนสิทธิ์ทั้งหมดคำสำคัญ :