Wide band gap semiconductors are st

Wide band gap semiconductors are starting to see increasing
use in power electronics devices due to their better performance
over silicon devices of similar voltage ratings [1][2].
To achieve fast switching speeds, the parasitic inductance
loops must be minimized. Efficient Power Conversion’s (EPC)
EPC2015 40 V, 33 A GaN transistor utilizes flip-chip technology
to minimize the packaging inductance of the transistor.
Consequently, layout parasitic inductance becomes a dominant
inductance in the high frequency loop, shown in Fig. 1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างวงกว้างจะเริ่มเห็นการเพิ่ม
การใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังเนื่องจากประสิทธิภาพที่ดีขึ้นของพวกเขา
มากกว่าอุปกรณ์ซิลิกอนของการจัดอันดับแรงดันไฟฟ้าที่คล้ายกัน [1] [2].
เพื่อให้เกิดการเปลี่ยนความเร็วที่รวดเร็วและเหนี่ยวนำปรสิต
ลูปจะต้องลดลง การแปลงพลังงานที่มีประสิทธิภาพของ (EPC)
EPC2015 40 V, 33 ทรานซิสเตอร์กานใช้เทคโนโลยีพลิกชิป
เพื่อลดการเหนี่ยวนำบรรจุภัณฑ์ของทรานซิสเตอร์.
ดังนั้นการเหนี่ยวนำปรสิตกลายเป็นรูปแบบที่โดดเด่น
เหนี่ยวนำในวงความถี่สูงที่แสดงในรูป 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กว้างช่องว่างแถบเซมิคอนดักเตอร์จะเริ่มเห็นการเพิ่ม
ในการใช้พลังงานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เนื่องจากของพวกเขาได้ดีกว่าซิลิโคน อุปกรณ์กันแรงดัน
อันดับ [ 1 ] [ 2 ] .
เพื่อให้บรรลุเร็ว เปลี่ยนเร็ว ลูปตัวเหนี่ยวนำ
ปรสิตจะต้องลดลง มีประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน ( EPC )
epc2015 40 V , 33 กานทรานซิสเตอร์ใช้
เทคโนโลยีชิปพลิกบรรจุภัณฑ์เพื่อลดการเหนี่ยวนำของทรานซิสเตอร์ .
ดังนั้นเค้าโครงปรสิตตัวเหนี่ยวนำเป็นตัวเหนี่ยวนำเด่น
ในการวนรอบความถี่สูง , แสดงในรูปที่ 1