1. First, a 99.9999% pure silicon c

1. First, a 99.9999% pure silicon crystal ingot is sliced into thin wafers.
2. Polishing the wafer removes surface scratches and impurities, leaving a near-perfect base for building chips.
3. Portions of the silicon are chemically altered to create the source and drain regions of the transistor, which control the flow defined by photolithography, where the wafer is coated with a light-sensitive material called photoresist. Next, light is shined through a patterned mask onto a chip-size section of the wafer -- a process similar to printing a photograph from a negative. A machine called a stepper repeats this process for each chip on the wafer.
4. The exposed areas of the photoresist harden. During the development process, non-hardened photoresist is washed away.

5. Atoms of dopant materials -- such as boron or arsenic -- are forced into an area by ion bombardment in a process called doping, aand are "activated" by a thermal annealing step. The resist material blocks the dopants from entering any areas where they are not intended to be. After ion implantation, the hardened resist is stripped off, and the process is repeated for other types of dopants implanted in different areas. In subsequent steps, a similar patterning process is used, but the resist acts as an etch mask.
6. Next, the gate of the transistor is formed by depositing and patterning a layer of silicon dioxide (which forms the gate oxide) and then a layer of polysilicon, which is then heavily doped. This polysilicon gate acts as a "faucet" to turn the flow of electrons between the source and drain on and off.
7. The rest of the fabricaction steps involve forming the "wires" that connect the gate, source and drain of the transistors to one another and to the outside world. Layers of silicon dioxide -- a dielectric, or insulator -- are deposited on the wafer using chemical vapor deposition (CVD). During CVD processing, gases that contain atoms of the material to be deposited react on the heated wafer surface, forming a thin film of solid material. Metals, primarily aluminum, are deposited by the physical vapor deposition (PVD). During PVD -- also called sputtering -- gas ions accelerate toward a "target" of the material to be deposited. The ions chip off atoms of the target material, which fall and accumulate on the wafer.
8. Steps 3,4 and 5 are repeated to build up patterned layers of silicon dioxide, metals and other materials to complete the circuit design. A layer of conducting metal (usually aluminum) is deposited (CVD or PVD), exposed (photolithography), and etched to form tiny metal interconnects. Complex chips require several metal layers, with vertical connections between them called vias.
9. The wafer is cut up, or diced, to form chips. The chips are put in packages, and a wirebonder electrically connects the chips to the appropriate package pins or leads.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ครั้งแรก หั่นเป็นแท่งคริสตัลซิลิคอนบริสุทธิ์ 99.9999% เป็นบางเว2. เวเฟอร์การขัดลบรอยขีดข่วนที่พื้นผิวและสิ่งสกปรก ออกจากที่ใกล้สมบูรณ์แบบพื้นฐานสำหรับการสร้างชิ3. ส่วนของซิลิโคนจะมีการเปลี่ยนแปลงทางเคมีเพื่อสร้างแหล่งที่มา และท่อระบายน้ำต่าง ๆ ของทรานซิสเตอร์ ควบคุมการไหลที่กำหนด โดย photolithography ที่เวเฟอร์ที่เคลือบ ด้วยวัสดุไวแสงที่เรียกว่าเพียง ถัดไป ไฟเป็น shined ผ่านหน้ากากลวดลายลงบนส่วนชิปขนาดของเวเฟอร์ - กระบวนการคล้ายกับการพิมพ์ภาพถ่ายจากในแง่ลบ เครื่องจักรที่เรียกว่าสเต็ปการทำซ้ำกระบวนการนี้สำหรับแต่ละเกล็ดบนเวเฟอร์4. พื้นที่สัมผัสเพียงการแข็ง ในระหว่างกระบวนการพัฒนา เพียงไม่แข็งจะล้างออกไป5 ขั้นตอนที่อะตอม dopant วัสดุ - เช่นโบรอนหรือสารหนู - ถูกบังคับลงในพื้นที่ โดยการระดมยิงไอออนในกระบวนการเรียกว่ายาสลบ aand "เปิด" โดยการหลอมความร้อน วัสดุต้านทานบล็อก dopants เข้ามาในพื้นที่ใด ๆ ที่พวกเขาไม่ได้มีเจตนาจะ หลังจากฝังไอออน ต้านทานแข็งคือถอดเครื่อง และซ้ำกระบวนการสำหรับชนิดอื่น ๆ dopants ฝังในพื้นที่ต่าง ๆ ในขั้นตอนต่อไป ใช้กระบวนการสร้างคล้ายกัน แต่ต้านทานทำหน้าที่เป็นรูปแบบการ etch6. ถัดไป ประตูของทรานซิสเตอร์จะเกิดขึ้นจากการฝาก และการเลียนแบบชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์ (ซึ่ง gate ออกไซด์) และชั้นของ polysilicon ซึ่งเป็นแล้วหนักเจือ Polysilicon gate นี้ทำหน้าที่เป็น "ก๊อกน้ำ" เพื่อเปิดการไหลของอิเล็กตรอนระหว่างต้นทาง และท่อระบายน้ำ และปิด7. ขั้นตอน fabricaction เหลือที่เกี่ยวข้องกับการขึ้นรูป "สายไฟ" ที่เชื่อมต่อประตู แหล่งที่มา และท่อระบายน้ำของทรานซิสเตอร์ เพื่อคนอื่น และโลกภายนอก ชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์--ความเป็นฉนวน หรือฉนวน - ฝากบนเวเฟอร์ที่ใช้สะสมไอสารเคมี (CVD) ในระหว่างกระบวนการ CVD ก๊าซที่ประกอบด้วยอะตอมของวัสดุที่จะฝากทำปฏิกิริยาบนผิวแผ่นอุ่น ขึ้นรูปด้วยฟิล์มบางของวัสดุแข็ง โลหะ อลูมิเนียมเป็นหลัก มีการฝากเงิน โดยการสะสมไอกายภาพ (PVD) ระหว่าง PVD - เรียกว่าสปัตเตอร์ - ประจุก๊าซเร่งไปสู่ "เป้าหมาย" ของวัสดุที่จะฝาก ไอออนเราะอะตอมของวัสดุเป้าหมาย ซึ่งตก และสะสมบนแผ่นเวเฟอร์การ8. ขั้นตอนที่ 3, 4 และ 5 มีการทำซ้ำเพื่อสร้างลวดลายชั้นของซิลิคอนไดออกไซด์ โลหะ และวัสดุอื่น ๆ เพื่อทำการออกแบบวงจร ชั้นของโลหะ (อลูมิเนียมปกติ) การดำเนินการจะถูกฝาก (CVD หรือ PVD), แสดง (photolithography), และสลักโลหะเล็ก ๆ เชื่อมต่อฟอร์ม ชิปที่ซับซ้อนต้องหลายชั้นโลหะ แนวเชื่อมต่อระหว่างกันเรียกว่า viasเวเฟอร์การตัดขึ้น หรือเตรียม การ การชิฟอร์ม เบี้ยถูกใส่ในแพคเกจ และ wirebonder เป็นเบี้ยที่เชื่อมต่อกับพินแพคเกจที่เหมาะสม หรือนำไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. ขั้นแรกให้ 99.9999% ลิ่มซิลิคอนผลึกบริสุทธิ์หั่นเป็นเวเฟอร์บาง.
2 ขัดเวเฟอร์ขจัดรอยขีดข่วนบนพื้นผิวและสิ่งสกปรกออกจากฐานใกล้ที่สมบูรณ์แบบสำหรับการสร้างชิป.
3 บางส่วนของซิลิกอนที่มีการเปลี่ยนแปลงทางเคมีในการสร้างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำภูมิภาคของทรานซิสเตอร์ซึ่งควบคุมการไหลที่กำหนดโดย photolithography ที่เวเฟอร์เคลือบด้วยวัสดุที่ไวต่อแสงที่เรียกว่าไวแสง ถัดไปแสงส่องผ่านหน้ากากลวดลายลงบนส่วนชิปขนาดของแผ่นเวเฟอร์ - กระบวนการที่คล้ายกันกับการพิมพ์ภาพจากเชิงลบ เครื่องที่เรียกว่าก้าวซ้ำกระบวนการนี้สำหรับแต่ละชิปบนแผ่นเวเฟอร์.
4 พื้นที่โล่งแข็งน้ํายาไวแสง ในระหว่างขั้นตอนการพัฒนาไวแสงที่ไม่แข็งจะถูกชะล้างออกไป.

5 อะตอมของวัสดุเจือปน - เช่นโบรอนหรือสารหนู - ถูกบังคับเข้ามาในพื้นที่โดยการระดมยิงไอออนในกระบวนการที่เรียกว่ายาสลบ aand เป็น "เปิดใช้งาน" โดยขั้นตอนการอบความร้อน ต่อต้านบล็อกวัสดุสารเจือจากการเข้าพื้นที่ใดที่พวกเขาไม่ได้มีเจตนาที่จะเป็น หลังจากไอออนแข็งต่อต้านถอดออกและกระบวนการซ้ำแล้วซ้ำอีกประเภทอื่น ๆ ของสารเจือฝังอยู่ในพื้นที่ที่แตกต่างกัน ในขั้นตอนต่อมากระบวนการเลียนแบบคล้าย ๆ กันคือใช้ แต่ต่อต้านการทำหน้าที่เป็นหน้ากากจำหลัก.
6 ถัดไปประตูทรานซิสเตอร์จะเกิดขึ้นโดยการฝากและการเลียนแบบชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์ (ซึ่งรูปแบบออกไซด์ประตู) และจากนั้นชั้นของโพลีซิลิคอนซึ่งเป็นแล้วเจืออย่างมาก นี้โพลีซิลิคอนประตูทำหน้าที่เป็น "ก๊อกน้ำ" เพื่อเปิดการไหลของอิเล็กตรอนระหว่างแหล่งที่มาและการระบายน้ำในและนอก.
7 ส่วนที่เหลือของขั้นตอน fabricaction ปริมาณเกี่ยวข้องกับการสร้าง "สาย" ที่เชื่อมต่อประตูแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำของทรานซิสเตอร์เพื่อคนอื่นและกับโลกภายนอก ชั้นของซิลิคอนไดออกไซด์ - อิเล็กทริกหรือฉนวนกันความร้อน - จะถูกวางลงบนแผ่นเวเฟอร์ใช้สะสมไอเคมี (CVD) ระหว่างการประมวลผล CVD ก๊าซที่ประกอบด้วยอะตอมของวัสดุที่นำมาฝากกันตอบสนองบนพื้นผิวเวเฟอร์อุ่นขึ้นรูปเป็นฟิล์มบางของวัสดุที่เป็นของแข็ง โลหะอลูมิเนียมส่วนใหญ่จะฝากโดยสะสมไอกายภาพ (PVD) ในช่วง PVD - เรียกว่าสปัตเตอร์ - ไอออนก๊าซเร่งไปสู่ ​​"เป้าหมาย" ของวัสดุที่นำมาฝากกัน ไอออนเราะอะตอมของวัสดุเป้าหมายที่ตกและสะสมบนแผ่นเวเฟอร์.
8 ขั้นตอนที่ 3,4 และ 5 มีการทำซ้ำที่จะสร้างขึ้นชั้นลวดลายของซิลิคอนไดออกไซด์, โลหะและวัสดุอื่น ๆ เพื่อให้การออกแบบวงจร ชั้นของการทำโลหะ (ปกติลูมิเนียม) เป็นเงินฝาก (CVD หรือ PVD) สัมผัส (photolithography) และฝังในรูปแบบอุปกรณ์เชื่อมโลหะเล็ก ๆ ชิปที่ซับซ้อนต้องใช้ชั้นโลหะหลายแนวตั้งด้วยการเชื่อมต่อระหว่างพวกเขาเรียกว่า VIAS.
9 เวเฟอร์ถูกตัดขึ้นหรือหั่นสี่เหลี่ยมลูกเต๋าในรูปแบบชิป ชิปจะใส่ในแพคเกจและ wirebonder ไฟฟ้าเชื่อมต่อชิปหมุดแพคเกจที่เหมาะสมหรือโอกาสในการขาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . แรก , 99.9999 % บริสุทธิ์ผลึกซิลิคอนเวเฟอร์แท่งถูกหั่นบาง ๆ2 . ขัดลบรอยขีดข่วนบนแผ่นเวเฟอร์และสิ่งสกปรกออก ใกล้ฐานที่สมบูรณ์แบบสำหรับชิปที่อาคาร3 . ส่วนของซิลิกอนจะเปลี่ยนแปลงทางเคมีเพื่อสร้างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำภูมิภาคของทรานซิสเตอร์ ซึ่งควบคุมการไหลที่กำหนดโดย 43 ที่เวเฟอร์เคลือบด้วยวัสดุที่เรียกว่าระบบ light-sensitive . ต่อไป แสงจะส่องผ่านลวดลายบนหน้ากากขนาดชิปส่วนของเวเฟอร์ -- กระบวนการที่คล้ายกับการพิมพ์ภาพถ่ายจากลบ เครื่องเรียก Stepper ทำซ้ำกระบวนการนี้สำหรับแต่ละชิปบนเวเฟอร์4 . สัมผัสพื้นที่ของระบบทำให้แข็ง ในระหว่างกระบวนการการพัฒนาระบบไม่แข็งถูกล้างออกไป5 . อะตอมของวัสดุโคบอลต์ - เช่นโบรอนหรือสารหนู -- ถูกบังคับเข้าไปในพื้นที่โดยไอออนโจมตีในกระบวนการที่เรียกว่าเป็น " เปิด " และการเติมด้วยการอบความร้อน ขั้นตอน การต้านทานบล็อกวัสดุคุณภาพจากการป้อนพื้นที่ใด ๆที่พวกเขาไม่ได้เป็น หลังจากฝังไอออน , แข็งกระด้างต้านทานไม่ได้ปิด และกระบวนการนี้ซ้ำสำหรับประเภทอื่น ๆในที่ฝังอยู่ในพื้นที่ต่างๆ ในขั้นตอนต่อมา คล้ายการเลียนแบบกระบวนการใช้ แต่ต้านทานการกัดกร่อนเป็นหน้ากาก6 . หน้าประตูของทรานซิสเตอร์ถูกสร้างขึ้นโดยการฝากและการเลียนแบบชั้นของซิลิคอนไดออกไซด์ ( ซึ่งรูปแบบประตูออกไซด์ ) และชั้นของ polysilicon ซึ่งก็หนักด้วย . นี้ Polysilicon ประตูทำหน้าที่เป็น " ก๊อก " เพื่อเปิดการไหลของอิเล็กตรอนระหว่างแหล่งที่มาและระบายน้ำในและนอก7 . ส่วนที่เหลือของขั้นตอนที่เกี่ยวข้องกับการสร้าง fabricaction " สายไฟ " ที่เชื่อมต่อเกท แหล่งที่มา และท่อระบายน้ำของทรานซิสเตอร์อีกแบบหนึ่ง และโลกภายนอก ชั้นของซิลิคอนไดออกไซด์ - ฉนวน หรือฉนวนกันความร้อน . . . ฝากไว้บนแผ่นเวเฟอร์ที่ใช้ chemical vapor deposition ( CVD ) ในระหว่างการประมวลผล ซีวีดี แก๊สที่ประกอบด้วยอะตอมของวัสดุที่จะฝากปฏิกิริยาบนพื้นผิวเวเฟอร์ อุ่นขึ้นรูปฟิล์มบางของวัสดุของแข็ง . โลหะที่เป็นอลูมิเนียมจะฝากโดยสะสมไอทางกายภาพ ( PVD ) ระหว่าง PVD -- เรียกว่า sputtering -- ไอออนแก๊สเร่งไปยัง " เป้าหมาย " ของวัสดุที่จะฝาก ไอออนชิปออกจากอะตอมของวัสดุเป้าหมายที่ตกสะสมบนเวเฟอร์8 . ขั้นตอนที่ 3 , 4 และ 5 ซ้ำเพื่อสร้างลวดลายชั้นของซิลิคอนไดออกไซด์ , โลหะและวัสดุอื่น ๆที่จะเสร็จสมบูรณ์ในการออกแบบวงจร ชั้นของตัวนำโลหะ ( มักจะเป็นอลูมิเนียม ) ฝาก ( Stroke หรือ PVD ) ตาก ( 43 ) และฝังฟอร์มเล็ก ๆเชื่อมโลหะ . ชิปที่ซับซ้อนต้องใช้โลหะหลายชั้นด้วยการเชื่อมต่อแนวตั้งระหว่างพวกเขาเรียกว่า Vias .9 . เวเฟอร์จะตัดหรือหั่นสี่เหลี่ยมลูกเต๋าในรูปชิป ชิปไว้ในแพคเกจ และ wirebonder ไฟฟ้าเชื่อมต่อกับชิปที่เหมาะสมแพคเกจพินหรือนัก