Abstract-Thecontinuedphysicalfeatur

Abstract-Thecontinuedphysicalfeature size scalingofcomplementaryMetalOxideSemiconductor(CMOS) transistors is
experiencingasperitiesdueto severalfactors, andit is expected
to reach its boundaryatsizeof22nmtechnology by2018.This
paperdiscussesandanalyzesthe mainchallengesandlimitations
of CMOSscaling, not only from physical and technological
point of view, but also from material(e.g., high-k vs. lowk) and economical point of view as well. The paper also
addressesalternativenon-CMOSdevices(i.e., nanodevices)that
arepotentiallyableto solvethe CMOSproblemsandlimitations

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นนามธรรม-Thecontinuedphysicalfeature ขนาด scalingofcomplementaryMetalOxideSemiconductor(CMOS) transistors
คาดว่า experiencingasperitiesdueto severalfactors, andit
ถึง by2018 ของ boundaryatsizeof22nmtechnologyนี้
paperdiscussesandanalyzesthe mainchallengesandlimitations
CMOSscaling ไม่เพียงแต่จากทางกายภาพ และเทคโนโลยีของ
มอง แต่จากวัสดุ (เช่น k สูง vs lowk) และประหยัดมองเช่นกัน กระดาษยัง
addressesalternativenon CMOSdevices(i.e., nanodevices) ที่
arepotentiallyableto solvethe CMOSproblemsandlimitations

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ-Thecontinuedphysicalfeature scalingofcomplementaryMetalOxideSemiconductor ขนาด (CMOS) ทรานซิสเตอร์เป็น
severalfactors experiencingasperitiesdueto, andit คาดว่า
จะไปถึง by2018.This boundaryatsizeof22nmtechnology ของ
paperdiscussesandanalyzesthe mainchallengesandlimitations
ของ CMOSscaling ไม่เพียง แต่จากทางกายภาพและเทคโนโลยี
มุมมอง แต่ยังจากวัสดุ (เช่นสูง k กับ lowk) และจุดของมุมมองทางเศรษฐกิจได้เป็นอย่างดี กระดาษยัง
-CMOSdevices addressesalternativenon (เช่น nanodevices) ที่
arepotentiallyableto CMOSproblemsandlimitations solvethe

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทคัดย่อ thecontinuedphysicalfeature ขนาด scalingofcomplementarymetaloxidesemiconductor ( CMOS ) ซึ่งเป็น experiencingasperitiesdueto severalfactors
,
andit คาดว่าจะถึง boundaryatsizeof22nmtechnology by2018 นี้

paperdiscussesandanalyzesthe mainchallengesandlimitations ของ cmosscaling , ไม่เพียง แต่จากจุดเทคโนโลยี
ทางกายภาพและในมุมมองของ แต่ยังจากวัสดุ ( เช่น ไฮ เค กับlowk ) และจุดของมุมมองทางเศรษฐกิจได้เป็นอย่างดี กระดาษยัง
addressesalternativenon cmosdevices ( เช่น nanodevices )
arepotentiallyableto แก้ไข cmosproblemsandlimitations