In etching, a liquid ("wet") or pla

In etching, a liquid ("wet") or plasma ("dry") chemical agent removes the uppermost layer of the substrate in the areas that are not protected by photoresist. In semiconductor fabrication, dry etching techniques are generally used, as they can be made anisotropic, in order to avoid significant undercutting of the photoresist pattern. This is essential when the width of the features to be defined is similar to or less than the thickness of the material being etched (i.e. when the aspect ratio approaches unity). Wet etch processes are generally isotropic in nature, which is often indispensable for microelectromechanical systems, where suspended structures must be "released" from the underlying layer.
The development of low-defectivity anisotropic dry-etch process has enabled the ever-smaller features defined photolithographically in the resist to be transferred to the substrate material.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการกัด ของเหลว ("เปียก") หรือพลาสม่า ("แห้ง") สารเคมีตัวเอาชั้นบนสุดของพื้นผิวในพื้นที่ที่ไม่ได้รับการป้องกัน โดย photoresist ในการผลิตสารกึ่งตัวนำ เทคนิคกัดแห้งโดยทั่วไปใช้ ตามที่พวกเขาสามารถทำ anisotropic เพื่อหลีกเลี่ยง undercutting สำคัญของรูปแบบ photoresist นี้เป็นสิ่งจำเป็นเมื่อความกว้างของคุณลักษณะการกำหนดคล้ายกับ หรือน้อยกว่าความหนาของวัสดุที่ถูกฝัง (เช่นเมื่ออัตรายื่นความสามัคคี) กระบวนกัดเปียกเป็น isotropic โดยทั่วไปในธรรมชาติ ซึ่งมักจะขาดไม่ได้สำหรับไมโคร ซึ่งโครงสร้างที่พักชั่วคราวต้อง "ออก" จากชั้นพื้นฐาน
การพัฒนาต่ำ defectivity anisotropic แห้งกัดกระบวนการได้เปิดใช้งานลักษณะการทำงานเคยเล็กที่กำหนด photolithographically ในการต่อต้านจะโอนย้ายไปพื้นผิววัสดุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการแกะสลักของเหลว ("เปียก") หรือพลาสม่า ("แห้ง") สารเคมีเอาชั้นบนสุดของพื้นผิวในพื้นที่ที่ไม่ได้รับการคุ้มครองจากสารไวแสง ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์เทคนิคการแกะสลักแห้งโดยทั่วไปจะใช้เช่นที่พวกเขาสามารถทำ anisotropic เพื่อที่จะหลีกเลี่ยง undercutting ที่สำคัญของรูปแบบไวแสง นี้เป็นสิ่งจำเป็นเมื่อความกว้างของคุณสมบัติที่จะกำหนดเป็นที่คล้ายกันหรือน้อยกว่าความหนาของวัสดุที่มีการแกะสลัก (เช่นเมื่ออัตราส่วนแนวทางความสามัคคี) กระบวนการกัดเปียกเป็น isotropic โดยทั่วไปในธรรมชาติซึ่งมักจะขาดไม่ได้สำหรับระบบ Microelectromechanical ที่โครงสร้างระงับต้อง "ปล่อย" จากชั้นที่อยู่ภายใต้
การพัฒนาต่ำ defectivity anisotropic กระบวนการแห้งกัดได้เปิดใช้งานคุณสมบัติที่เคยมีขนาดเล็กกว่าที่กำหนดไว้ photolithographically ในการต่อต้านที่จะถูกโอนไปยังพื้นผิววัสดุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการกัดกรด , ของเหลว ( " เปียก " ) หรือพลาสมา ( " บริการ " ) สารเคมีลบเลเยอร์บนสุดของพื้นผิวในพื้นที่ที่ไม่ได้รับการคุ้มครองจากระบบ . ในการผลิตสารกึ่งตัวนำ , เทคนิคกัดกรดแห้งโดยทั่วไปจะใช้เช่นที่พวกเขาสามารถทำให้ทิศทาง เพื่อหลีกเลี่ยงความตัดราคาของระบบในรูปแบบนี้เป็นสิ่งจำเป็นเมื่อความกว้างของคุณสมบัติที่ถูกกำหนดเป็นใกล้เคียงหรือน้อยกว่าความหนาของวัสดุที่ถูกฝัง ( เช่นเมื่ออัตราส่วนแนวทางความสามัคคี ) โดยทั่วไปในกระบวนการเปียกแกะสลักแบบธรรมชาติ ซึ่งมักเป็นสิ่งที่ขาดไม่ได้สำหรับไมโครเทคโนโลยีที่ระงับโครงสร้างจะต้อง " เปิดตัว " จากต้นแบบ
ชั้นการพัฒนาต่ำ defectivity Anisotropic แกะสลักแห้งกระบวนการได้เปิดใช้งานคุณลักษณะที่กำหนด photolithographically ขนาดเล็กในต้านทานที่จะถูกโอนไปยังวัสดุพื้นผิว