For instance, the segregation coeff

For instance, the segregation coefficient of B in Si is
0.8 at the silicon melting point (1414°C), whereas it is around 0.2 when silicon is solidified from Si-Al melt at 1000°C. For phosphorus the segregation coefficient is 0.06 when silicon is solidified from Si-Al melt at 700°C, which is much less than 0.35 for recrystallization from liquid silicon

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่าง ค่าสัมประสิทธิ์การแบ่งแยกของ B ในซีเป็น
0.8 จุดซิลิคอนหลอมเหลว (1414 ° C), หลอมเป็นสถาน 0.2 เมื่อซิลิคอนจะหล่อจากอัลซีที่ 1000 องศาเซลเซียส ฟอสฟอรัสสัมประสิทธิ์การแบ่งแยกเป็น 0.06 เมื่อซิลิคอนจะหล่อจากอัลซี ละลายที่ 700° C ซึ่งน้อยกว่า 0.35 สำหรับ recrystallization จากซิลิคอนเหลว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่างเช่นค่าสัมประสิทธิ์การแยกของบีในศรีเป็น
0.8 ที่จุดละลายซิลิกอน (1414 ° C) ในขณะที่มันเป็นรอบ 0.2 เมื่อซิลิกอนจะแข็งจากศรีอัลละลายที่ 1000 ° C. สำหรับฟอสฟอรัสค่าสัมประสิทธิ์การแยกเป็น 0.06 เมื่อซิลิกอนจะแข็งจากศรีอัลละลายที่ 700 ° C ซึ่งเป็นมากน้อยกว่า 0.35 การ recrystallization จากซิลิกอนที่เป็นของเหลว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างสัมประสิทธิ์การกระจายตัว ของ B ในจังหวัดคือ
0.8 ในซิลิคอนจุดหลอมเหลว ( 509 ° C ) , ในขณะที่มันเป็นประมาณ 0.2 เมื่อซิลิคอนจะแข็งจากศรีลละลายที่ 1000 องศา ธาตุฟอสฟอรัสแยกโดย 0.06 เมื่อซิลิคอนจะแข็งจากศรีลละลายที่ 700 องศา C ซึ่งเป็น มาก น้อยกว่า 0.35 สำหรับการตกผลึกจากซิลิคอนเหลว