The product was purified AgBiS2 pro

The product was purified AgBiS2 produced by the 200 °C and 24 h reaction in EG, corresponding to selected area electron diffraction (SAED) and simulation patterns.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลิตภัณฑ์ที่บริสุทธิ์ AgBiS2 ผลิต โดยปฏิกิริยา 200 ° C และ 24 h ใน EG ที่สอดคล้องกับพื้นที่ที่เลือกรูปแบบจำลองและการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอน (SAED)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลิตภัณฑ์บริสุทธิ์ AgBiS2 ผลิตโดย 200 ° C และ 24 ชั่วโมงปฏิกิริยาใน EG สอดคล้องกับการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนพื้นที่ที่เลือก (SAED) และรูปแบบการจำลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลิตภัณฑ์ บริสุทธิ์ ผลิตโดย agbis2 200 องศา C และปฏิกิริยาใน 24 ชั่วโมง เช่น ที่สอดคล้องกับพื้นที่ที่เลือกการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอน ( saed ) และรูปแบบจำลอง