Deposition parameters such as the s

Deposition parameters such as the substrate temperature,
the rate of evaporation and the process pressure
were carefully controlled to ensure the crystalline
columnar growth and to preserve the stoichiometry of the deposited film.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พารามิเตอร์การสะสมเช่นอุณหภูมิพื้นผิว อัตราการระเหยและความดันของกระบวนการถูกควบคุมอย่างระมัดระวังเพื่อให้แน่ใจเป็นผลึกคอลัมน์การเจริญเติบโต และรักษา stoichiometry ฟิล์มนำฝาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พารามิเตอร์สะสมเช่นอุณหภูมิพื้นผิว,
อัตราการระเหยและความดันกระบวนการ
ที่ถูกควบคุมอย่างระมัดระวังเพื่อให้แน่ใจว่าผลึก
การเจริญเติบโตของเสาและเพื่อรักษาปริมาณสารสัมพันธ์ของภาพยนตร์ฝาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สะสมพารามิเตอร์เช่นพื้นผิวอุณหภูมิ
อัตราการระเหยและกระบวนการความดัน
ถูกควบคุมเพื่อให้แน่ใจว่าการเติบโตอย่างระมัดระวังโดยผลึก
และรักษาปริมาณสัมพันธ์ของฝากภาพยนตร์