Image Credit: EG&G Optoelectronics

Image Credit: EG&G Optoelectronics

• Base current (Iλ) is produced when light strikes the collector base PN
• junction. The base current is directly proportional to the light intensity. If the size of the base region is doubled, the amount of generated base photocurrent is also doubled.
• Peak wavelength is the wavelength value at which a phototransistor is most sensitive. It is measured in nanometers (nm). Phototransistors respond to light over a broad range of wavelengths from fluorescent or incandescent light sources. They perform the best when matched with infrared (IR) LED light sources. This is because phototransistors have a peak spectral response in the near IR at about 840 nm.
• Collector-to-emitter breakdown voltage (VCE) is the maximum voltage allowed between the collector and emitter. Exceeding the maximum voltage can cause permanent damage to the phototransistor.
• Collect-emitter breakdown voltage (VBRCEO) typically ranges from 20 V to 50 V.
• Emitter-collector breakdown voltage (VBRECO) typically ranges from 4 V to 6 V.
• Dark current (ID) is the small amount of current can flow through a phototransistor even when it is not exposed to light. Dark current is thermally generated collector-emitter leakage current. It prevents a device from ever being considered completely "off." Dark current increases with the temperature and is measured in milliamps (mA).
• Power dissipation (PD or Ptot) describes power dissipation of the phototransistor measured in watts or milliwatts (mW). Actual dissipation isdeterminedby multiplying the voltage across the transistor and the current through the collector.Itis normally quoted for an ambient external temperature of 25°C.
• Rise time and fall time are measures of the phototransistor's speed of response. Both are expressed in nanoseconds (ns).
• Rise time (tR) is the amount of time it takes for a pulse waveform to increase from 10% to 90% of its maximum value.
• Fall time (tF) is the amount of time it takes for the output to fall from 90% to 10%.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เครดิตภาพ: EG&G ใยแก้วนำแสง

• (Iλ) ปัจจุบันฐานผลิตเมื่อแสงนัดตัวเก็บรวบรวมฐาน PN
•เชื่อมต่อ ปัจจุบันฐานเป็นสัดส่วนโดยตรงกับความเข้มแสง ถ้าขนาดของพื้นที่ฐานเป็นสองเท่า สองยังเท่าจำนวนสร้างฐาน photocurrent.
•ช่วงความยาวคลื่นมีค่าความยาวคลื่นที่เป็น phototransistor เป็นสำคัญที่สุด วัดใน nanometers (nm) Phototransistors ตอบสนองแสงช่วงความยาวคลื่นที่หลากหลายจากแหล่งแสงฟลูออเรส หรือยอง พวกเขาทำดีสุดเมื่อจับคู่กับอินฟราเรด (IR) LED แหล่งแสง ทั้งนี้เนื่องจาก phototransistors มีการตอบสนองสูงสุดสเปกตรัมใน IR ใกล้ที่ประมาณ 840 nm.
•เก็บตัวส่งแบ่งแรงดัน (VCE) เป็นแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่อนุญาตระหว่างการเก็บรวบรวมและตัวส่ง แรงดันไฟฟ้าสูงเกินอาจทำให้เกิดความเสียหายถาวรให้ phototransistor
•ตัวส่งรวบรวมการแบ่งแรงดัน (VBRCEO) โดยทั่วไปมีตั้งแต่ 20 V ไป 50 V.
•ตัวส่งตัวเก็บรวบรวมการแบ่งแรงดัน (VBRECO) โดยทั่วไปมีตั้งแต่ 4 V ไป 6 V.
•ปัจจุบันเข้ม (ID) คือ จำนวนกระแสสามารถไหลผ่าน phototransistor แม้ไม่ได้สัมผัสแสง ปัจจุบันเข้มเก็บงานตัวส่งแพสร้างกระแสรั่วไหลได้ ป้องกันไม่ให้อุปกรณ์จากเคยถูกถือโดยสิ้นเชิง "ปิด" ปัจจุบันเข้มเพิ่มขึ้นกับอุณหภูมิ และวัดใน milliamps (mA)
•กระจายอำนาจ (PD หรือ Ptot) อธิบายการกระจายพลังงานของ phototransistor วัดวัตต์หรือ milliwatts (mW) Isdeterminedby กระจายจริงคูณแรงดันไฟฟ้าผ่านตัวทรานซิสเตอร์และปัจจุบันผ่านทางตัวเก็บรวบรวมItis เสนอราคาปกติอุณหภูมิภายนอก 25 ° C.
•เวลาขึ้นและเวลาตกมีวัดความเร็วของ phototransistor ตอบสนอง ทั้งสองถูกแสดงใน nanoseconds (ns) .
•ขึ้นเวลา (tR) คือ จำนวนเวลารูปคลื่นชีพจรเพิ่มขึ้นจาก 10% ถึง 90% ของความสูงค่า
•นี้เวลาฤดูใบไม้ร่วง (tF) ระยะเวลาที่ใช้เพื่อการส่งออกจะลดลงจาก 90% เป็น 10%

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพเครดิต: EG & G ใยแก้วนำแสงในปัจจุบัน•ฐาน (Iλ) ที่ผลิตเมื่อแสงนัด PN ฐานสะสม•แยก ฐานปัจจุบันเป็นสัดส่วนโดยตรงกับความเข้มของแสง ถ้าขนาดของพื้นที่ฐานเป็นสองเท่าปริมาณของกระแสโฟโตฐานที่สร้างขึ้นยังเป็นสองเท่า•ความยาวคลื่นสูงสุดเป็นค่าความยาวคลื่นที่ Phototransistor มีความสำคัญมากที่สุด มีหน่วยวัดเป็นนาโนเมตร (nm) Phototransistors ตอบสนองต่อแสงในช่วงความยาวคลื่นที่กว้างของแหล่งที่มาจากหลอดนีออนหรือหลอดไส้ พวกเขาดำเนินการที่ดีที่สุดเมื่อจับคู่กับอินฟาเรด (IR) มาไฟ เพราะนี่คือ Phototransistors มีการตอบสนองสเปกตรัมสูงสุดใน IR ใกล้ที่ประมาณ 840 นาโนเมตร•แรงดันสะสมไปอีซีแอลสลาย (VCE) เป็นแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่อนุญาตระหว่างนักสะสมและอีซีแอล เกินแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่สามารถทำให้เกิดความเสียหายถาวรให้ Phototransistor •รวบรวม-อีซีแอลแรงดันไฟฟ้าเสีย (VBRCEO) โดยปกติช่วงจาก 20 V ถึง 50 โวลต์•แรงดันไฟฟ้าเสีย Emitter-สะสม (VBRECO) โดยปกติช่วงจาก 4 ถึง 6 V V. •เข้ม ปัจจุบัน (ID) เป็นจำนวนเงินขนาดเล็กของกระแสไฟฟ้าสามารถไหลผ่าน Phototransistor ถึงแม้มันจะไม่ได้สัมผัสกับแสง ปัจจุบันที่มืดจะถูกสร้างขึ้นความร้อนสะสมอีซีแอลในปัจจุบันการรั่วไหล จะป้องกันไม่ให้อุปกรณ์จากที่เคยได้รับการพิจารณาอย่างสมบูรณ์ "ปิด". ที่เพิ่มขึ้นในปัจจุบันเข้มกับอุณหภูมิและมีหน่วยวัดเป็นมิลลิแอมป์ (mA) •การกระจายพลังงาน (PD หรือ Ptot) อธิบายกระจายอำนาจของ Phototransistor วัดในวัตต์หรือมิลลิวัตต์ (MW) การกระจายความจริง isdeterminedby คูณแรงดันไฟฟ้าในทรานซิสเตอร์และปัจจุบันผ่าน collector.Itis ยกมาตามปกติสำหรับอุณหภูมิภายนอกรอบจาก 25 ° C. •เวลาลุกขึ้นและตกเวลามาตรการของความเร็ว Phototransistor ของการตอบสนอง ทั้งสองจะแสดงในนาโนวินาที (NS) •เพิ่มขึ้นเวลา (TR) คือปริมาณของเวลาที่ใช้สำหรับสัญญาณชีพจรจะเพิ่มขึ้นจาก 10% ถึง 90% ของมูลค่าสูงสุด•เวลาในฤดูใบไม้ร่วง (tF) เป็นระยะเวลา ก็จะใช้เวลาสำหรับการส่งออกจะลดลงจาก 90% เป็น 10%

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เครดิตภาพ : เช่น& G ออปโตอิเล็กทรอนิกส์

- ฐานปัจจุบัน ( ผมλ ) ผลิตเมื่อมีแสงกระทบสะสมฐาน PN
- ชุมทาง ฐานที่ปัจจุบันมีสัดส่วนโดยตรงกับความเข้มแสง ถ้าขนาดของฐานเขตเพิ่มเป็นสองเท่าของ จำนวนสร้างกระแสโฟโต ฐานเป็นสองเท่า .
- ค่าความยาวคลื่นที่ความยาวคลื่นสูงสุดที่โฟโต้ทรานซิสเตอร์มีความไวมากที่สุดมันเป็นวัดในนาโนเมตร ( nm ) phototransistors ตอบสนองต่อแสงช่วงกว้างของแสงจากหลอดนีออนหรือหลอดไส้แหล่งแสง พวกเขาจะทำงานได้ดีที่สุดเมื่อจับคู่กับอินฟราเรด ( IR ) LED แหล่งกำเนิดแสง นี้เป็นเพราะ phototransistors มีการตอบสนองสเปกตรัมสูงสุดใน IR ใกล้ประมาณ 850 nm .
- การแบ่งแรงดันสะสมอีซี ( vce ) คือแรงดันสูงสุดที่ได้รับอนุญาตระหว่างสะสมและอีซี . เกินแรงดันสูงสุดที่สามารถก่อให้เกิดความเสียหายถาวรให้โฟโต้ทรานซิสเตอร์ .
- เก็บรายละเอียดมิเตอร์แรงดันไฟฟ้า ( vbrceo ) มักจะช่วงจาก 20 ถึง 50 โวลต์มิเตอร์ V
- สะสมแบ่งแรงดันไฟฟ้า ( vbreco ) มักจะช่วงจาก 4 ถึง 6 V .
V- กระแสมืด ( ID ) เป็นจำนวนเงินที่เล็ก ๆของกระแสไฟฟ้าสามารถไหลผ่านโฟโต้ทรานซิสเตอร์แม้จะไม่ได้สัมผัสกับแสง ความมืดในปัจจุบันซึ่งสร้างสะสมอีซีการรั่วไหลในปัจจุบัน ป้องกันอุปกรณ์จากการเคยได้รับการพิจารณาอย่างสมบูรณ์ " ปิด " กระแสมืดเพิ่มขึ้นตามอุณหภูมิและวัดใน milliamps
( MA )- การกระจายอำนาจ ( PD หรือ ptot ) อธิบายการกระจายพลังงานของโฟโตทรานซิสเตอร์หรือเครื่องมือวัดวัตต์ ( MW ) จริงการ isdeterminedby ทวีแรงดันในทรานซิสเตอร์ และกระแสที่ผ่านการสะสม ซึ่งโดยปกติจะยกมาเป็นอากาศภายนอกอุณหภูมิ 25 ° C .
- เพิ่มขึ้นและเวลาที่ตก เป็นมาตรการของโฟโตทรานซิสเตอร์ความเร็วของการตอบสนองทั้งสองจะแสดงในนาโนวินาที ( ns )
- ขึ้น ( TR ) เป็นปริมาณของเวลาที่ใช้สำหรับชีพจรเพิ่มขึ้นจาก 10% ถึง 90% ของมูลค่าสูงสุด .
- ตกเวลา ( TF ) เป็นปริมาณของเวลาที่ใช้สำหรับการแสดงผลลดลงจาก 90% เป็น 10 %