In this work, the ferromagnetic tra

In this work, the ferromagnetic transparent conducting
ZnO:Al/Fe65Co35/ZnO:Al multilayer films were fabricated
by inserting a middle magnetic Fe65Co35 thin layer into
ZnO:Al matrix using magnetron sputtering apparatus at
the different Ts . The dependence of the microstructure and
physical performance of ZnO:Al/Fe65Co35/ZnO:Al multifunctional
films on Ts was systematically investigated.
XRD spectra showed that all samples exhibited hexagonal
wurtzite structure and c-axis preferred orientation, which
were not changed by doping Al and introducing middle
Fe65Co35 layer. Raising the Ts increased the grain size
and improved the crystallinity of the sample but partially
oxidized the Fe65Co35 layer. The larger grain size and
good crystallinity could decrease the grain boundary and
point defects, thereby reducing the resistance and increasing
the carrier mobility. However, further increasing the
Ts (Ts > 350°C) increased the resistivity due to the severe
inter-diffusion of atoms between different layers and
the oxidation of the middle FeCo alloy layer. The oxidation
of the Fe65Co35 layer also resulted in a low saturation
magnetization but a large coercivity. The optimal preparation
condition for the ZnO:Al/Fe65Co35/ZnO:Al multifunctional
films was that the Ts = 350°C and the Fe65Co35 layer
thickness was 4 nm. Under this condition, the ferromagnetic
multifunctional film exhibited a low resistivity value
of 4.5 × 10−4 cm and an average transmittance of more
than 80%.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในงานนี้ ferromagnetic โปร่งใสดำเนินการZnO:Al/Fe65Co35/ZnO:Al หลายชั้นฟิล์มได้หลังสร้างใส่กลางแม่เหล็ก Fe65Co35 บางชั้นเป็นZnO:Al เมทริกซ์ magnetron เครื่องที่พ่นTs ที่แตกต่างกัน การพึ่งพาการต่อโครงสร้างจุลภาค และประสิทธิภาพการทำงานจริงของ ZnO:Al/Fe65Co35/ZnO:Al โดยฟิล์มใน Ts ถูกตรวจสอบอย่างเป็นระบบแรมสเป็คตรา XRD พบว่า ตัวอย่างทั้งหมดจัดแสดงหกเหลี่ยมโครงสร้าง wurtzite และแกน c ต้องวางแนว ที่ไม่มีการเปลี่ยนแปลง โดยอัลโดปปิงค์ และแนะนำกลางชั้น Fe65Co35 เพิ่ม Ts ที่เพิ่มขนาดเมล็ดข้าวและปรับปรุง crystallinity ของตัวอย่างแต่บางส่วนออกซิไดซ์ชั้น Fe65Co35 เมล็ดขนาดใหญ่ และcrystallinity ดีสามารถลดขอบเขตเมล็ดข้าว และชี้ข้อบกพร่อง จึงช่วยลดการต่อต้าน และเพิ่มเคลื่อนไหวของผู้ขนส่ง อย่างไรก็ตาม ต่อเพิ่มTs (Ts > 350° C) เพิ่มความต้านทานเนื่องจากการรุนแรงระหว่างแพร่ของอะตอมระหว่างชั้นต่าง ๆ และออกซิเดชันของชั้นโลหะผสม FeCo กลาง เกิดออกซิเดชันเลเยอร์ Fe65Co35 นอกจากนี้ยังส่งผลให้ความเข้มต่ำmagnetization แต่ coercivity ขนาดใหญ่ การเตรียมที่เหมาะสมเงื่อนไขสำหรับการ ZnO:Al/Fe65Co35/ZnO:Al โดยฟิล์มนะ Ts = 350° C และชั้น Fe65Co35ความหนา 4 nm ภายใต้เงื่อนไขนี้ ที่ ferromagneticภาพยนตร์โดยจัดแสดงค่าความต้านทานต่ำtransmittance ที่เฉลี่ยมากกว่าและ 4.5 × 10−4 ซม.กว่า 80%

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในงานนี้ ferromagnetic
โปร่งใสการดำเนินการซิงค์ออกไซด์: อัล / Fe65Co35 / ZnO:
อัลภาพยนตร์หลายถูกประดิษฐ์โดยการใส่Fe65Co35 แม่เหล็กกลางชั้นบาง ๆ
ลงไปในซิงค์ออกไซด์: อัลเมทริกซ์โดยใช้อุปกรณ์สปัตเตอร์แมกที่แตกต่างกัน Ts
การพึ่งพาอาศัยกันของโครงสร้างจุลภาคและสมรรถภาพทางกายของซิงค์ออกไซด์: อัล / Fe65Co35 / ZnO: อัลมัลติฟังก์ชั่. ภาพยนตร์ใน Ts ถูกตรวจสอบอย่างเป็นระบบXRD สเปกตรัมแสดงให้เห็นว่ากลุ่มตัวอย่างทั้งหมดแสดงหกเหลี่ยมโครงสร้างwurtzite และคแกนการวางแนวทางที่ต้องการซึ่งไม่ได้มีการเปลี่ยนแปลงโดยยาสลบอัลและแนะนำกลางชั้น Fe65Co35 เพิ่ม Ts เพิ่มขนาดของเมล็ดข้าวและการปรับปรุงผลึกของกลุ่มตัวอย่างแต่บางส่วนออกซิไดซ์ชั้น Fe65Co35 ขนาดเม็ดขนาดใหญ่และผลึกที่ดีสามารถลดขอบเขตของเมล็ดข้าวและข้อบกพร่องจุดซึ่งจะช่วยลดความต้านทานและเพิ่มความคล่องตัวให้บริการ แต่ต่อไปเพิ่มขึ้นTs (Ts> 350 ° C) ความต้านทานเพิ่มขึ้นเนื่องจากความรุนแรงการแพร่กระจายระหว่างอะตอมระหว่างชั้นที่แตกต่างกันและการเกิดออกซิเดชันของกลางชั้นอัลลอยFeCo การเกิดออกซิเดชันของชั้น Fe65Co35 ยังส่งผลให้มีความอิ่มตัวต่ำดึงดูดแต่ coercivity ขนาดใหญ่ การเตรียมความพร้อมที่ดีที่สุดเงื่อนไขสำหรับซิงค์ออกไซด์: อัล / Fe65Co35 / ZnO: อัลมัลติฟังก์ชั่ภาพยนตร์คือการที่Ts = 350 ° C และชั้น Fe65Co35 ความหนา 4 นาโนเมตร ภายใต้เงื่อนไขนี้ ferromagnetic ภาพยนตร์มัลติฟังก์ชั่แสดงค่าความต้านทานต่ำ4.5 × 10-4 ซม.? และการส่งผ่านค่าเฉลี่ยของมากขึ้นกว่า80%

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในงานวิจัยนี้ ได้ทำการซิงค์ออกไซด์แข็งใส
: Al / fe65co35 / ZnO : อัลหลายชั้นฟิล์มประดิษฐ์
ใส่แม่เหล็กกลาง fe65co35 บางๆใน
ZnO : เมทริกซ์โดยใช้แมกนีตรอนสปัตเตอร์อัล
TS เครื่องมือที่แตกต่างกัน อิสระของโครงสร้างจุลภาคและ
ความสามารถทางกายของ ZnO : AL / fe65co35 / ZnO : ภาพยนตร์โดย
ล ใน TS
ศึกษาอย่างเป็นระบบวิเคราะห์สเปกตรัม พบว่าตัวอย่างทั้งหมดมีโครงสร้างหกเหลี่ยมและ wurtzite
c-axis ที่ต้องการการปฐมนิเทศ ซึ่งไม่ได้มีการเปลี่ยนแปลง โดยการเติม
อัลและแนะนำชั้น fe65co35 กลาง

เพิ่มขนาดเม็ด
TS เพิ่มและปรับปรุงความเป็นผลึกของตัวอย่าง แต่บางส่วนที่ fe65co35
จากชั้น ขนาดใหญ่และขนาดเม็ดผลึก
ที่ดีสามารถลดขอบเขตและ
เม็ดจุดบกพร่อง เพื่อลดความต้านทานและเพิ่ม
ผู้ให้บริการมือถือ อย่างไรก็ตาม เพิ่มเติม เพิ่ม
TS ( TS > 350 องศา C ) เพิ่มความต้านทานเนื่องจากการรุนแรง
อินเตอร์ การแพร่ของอะตอมระหว่างชั้นที่แตกต่างกันและ
ออกซิเดชันของโลหะผสม feco กลางชั้น ออกซิเดชันของ fe65co35
ชั้นยังส่งผลให้เกิดการสะกดจิตอิ่มตัว
ต่ำแต่ Coercivity ขนาดใหญ่เงื่อนไขที่เหมาะสมสำหรับการเตรียม
P : AL / fe65co35 / ZnO : ภาพยนตร์ลโดย
ที่ TS = 350 องศา C และชั้นความหนา fe65co35
4 นาโนเมตร ภายใต้เงื่อนไขนี้ ฟิล์ม โดยมี ค่าความต้านทานต่ำแข็ง

4 × 10 − 4  ซม. และเฉลี่ยการส่งผ่านมากขึ้น

กว่า 80%