An erbium-doped silica-on-silicon p

An erbium-doped silica-on-silicon planar waveguide optical amplifier is described. The active core is a topographic guide formed from aluminophosphosilicate glass doped with erbium and ytterbium. The buffer is formed from silica deposited by thermal oxidation and the cladding from borophosphosilicate glass obtained by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
The use of low process temperatures allows relatively heavy doping and careful control of the core etching allows low background insertion losses to be obtained. Spontaneous emission and gain measurements are given and 5.4-dB fiber-device-fiber gain is demonstrated using a 5-cm-long chip pumped using a 980-nm laser diode at 175-mW pump power.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

erbium เจือซิลิกาในซิลิกอนระนาบเครื่องขยายเสียงท่อนำคลื่นแสงที่อธิบายไว้ หลักที่ใช้งานเป็นคู่มือภูมิประเทศเกิดขึ้นจากแก้ว aluminophosphosilicate เจือด้วยเออร์เบียมและอิตเทอร์เบียม บัฟเฟอร์ที่จะเกิดขึ้นจากซิลิกาฝากออกซิเดชันความร้อนและหุ้มกระจก borophosphosilicate ที่ได้รับจากสารเคมีพลาสม่าเพิ่มการสะสมไอ.
การใช้อุณหภูมิกระบวนการต่ำช่วยให้ยาสลบค่อนข้างหนักและการควบคุมอย่างระมัดระวังของการแกะสลักแกนช่วยให้การสูญเสียการแทรกพื้นหลังต่ำที่จะได้รับ . ปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่เกิดขึ้นเองและการวัดกำไรที่จะได้รับและได้รับใยอุปกรณ์ไฟเบอร์ 5.4 เดซิเบลจะแสดงให้เห็นการใช้ชิป 5 ซม. ยาวสูบโดยใช้เลเซอร์ไดโอด 980 นาโนเมตรที่ 175 mW ปั๊มพลังงาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ erbium-doped ซิลิกาซิลิคอนระนาบในท่อนำคลื่นแสง เครื่องขยายเสียงจะอธิบาย หลักใช้งานอยู่เป็นภูมิประเทศคู่มือที่เกิดขึ้นจาก aluminophosphosilicate แก้วเจือด้วยแพทย์แผนจีน และ อิตเทอร์เบียม . บัฟเฟอร์จะเกิดขึ้นจากซิลิกาฝากโดยความร้อนจากปฏิกิริยาออกซิเดชันและหุ้ม borophosphosilicate แก้วได้ด้วยพลาสมาเพิ่มขึ้น chemical vapor deposition .
การใช้อุณหภูมิต่ำช่วยให้หนักค่อนข้างกระบวนการการเติมและควบคุมระวังแกนช่วยให้การสูญเสียการแทรกภาพพื้นหลังน้อยที่จะได้รับ ธรรมชาติและได้รับการวัดได้ 5.4-db ไฟเบอร์อุปกรณ์ไฟเบอร์ได้แสดงให้เห็นการใช้ 5-cm-long ชิปสูบใช้ 980 nm ไดโอดเลเซอร์ที่ 175 เมกะวัตต์ ปั๊มไฟฟ้า