For pulsed laser deposition (PLD),

For pulsed laser deposition (PLD), similar ion energies compared to arc process are encountered [31,32], while ion beam assisted deposition (IBAD) or plasma immersion ion implantation and deposition (PIIID) leads to even higher average particle
energies (see Figure 1 for a schematic overview of the typical energy ranges).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เลเซอร์พัลสะสม (PLD), คล้ายไอออนพลังงานเปรียบเทียบระหว่างส่วนโค้งจะพบ [31,32] , ในขณะที่ไอออนบีมช่วยสะสม (IBAD) หรือพลาสม่าแช่ไอออนประดิษฐ์ และสะสม (PIIID) นำไปสู่อนุภาคสูงเฉลี่ย
พลังงาน (ดูรูปที่ 1 ภาพรวมมันช่วงพลังงานทั่วไป)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการสะสมเลเซอร์ชีพจร (PLD) พลังงานไอออนที่คล้ายกันเมื่อเทียบกับกระบวนการโค้งจะพบ [31,32] ในขณะที่ลำแสงไอออนช่วยให้การของพยาน (ibad) หรือพลาสม่าไอออนแช่และการสะสม (PIIID) นำไปสู่การสูงขึ้นของอนุภาคเฉลี่ย
พลังงาน (ดู รูปที่ 1 สำหรับภาพรวมแผนผังของช่วงพลังงานทั่วไป)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เลเซอร์สำหรับการสะสม ( PLD ) พลังไอออนคล้ายคลึงกัน เมื่อเปรียบเทียบกับกระบวนการอาร์คพบ [ 31,32 ] ในขณะที่ลำแสงไอออนช่วยสะสม ( ibad ) หรือฝังไอออนในพลาสมา ( piiid ) นำไปสู่สูงกว่าอนุภาคเฉลี่ย
พลัง ( ดูรูปที่ 1 สำหรับภาพรวมแผนผังของพลังงานโดยทั่วไปช่วง )