In this study we deposited new, ter

In this study we deposited new, ternary thin films of copper aluminum oxide with p-type and n-type
behavior using RF magnetron sputtering for use as chemical gas sensors. p-Type materials are known to
be good catalysts and can be combined with the well-known n-type materials for chemiresistive sensors
application. Copper aluminum oxide in the delafossite phase CuAlO2 is a ternary oxide that has generated
interest as a transparent p-type conducting material, while in the spinel phase CuAl2O4 is known to be
n-type. We demonstrated that thin films of copper aluminum oxide with the proper resistance can be
successfully applied as p- and n-type resistive gas sensors for ozone detection. We have studied the
sputtering deposition conditions from a CuAlO2 sintered target by changing the substrate temperature in
inert Ar atmosphere. In addition, post-deposition annealing in O2 atmospheres was also tested. XRD, SEM
and Raman investigations were used to characterize the thin films. Selected films with mixed phases of
CuAlO2, CuAl2O4 and CuO were tested for gas sensing as resistive chemical sensors, showing promising
results with ozone, acetone and ethanol.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการศึกษานี้ เราฝากใหม่ ฐานสามฟิล์มบางทองแดงอลูมิเนียมออกไซด์ชนิด p และชนิด nลักษณะที่ใช้ RF magnetron สปัตเตอร์สำหรับใช้เป็นเซ็นเซอร์วัดก๊าซสารเคมี ทราบว่าวัสดุชนิด pเป็นสิ่งที่ดี และสามารถใช้ร่วมกับวัสดุประเภท n รู้จักเซนเซอร์ chemiresistiveการประยุกต์ใช้ ทองแดงอลูมิเนียมออกไซด์ในระยะ delafossite CuAlO2 เป็นออกไซด์แบบไตรภาคที่สร้างขึ้นสนใจเป็นชนิดใส p ทำวัสดุ ในขณะที่ใน spinel เรียกว่าระยะ CuAl2O4 จะประเภท n เราแสดงให้เห็นว่า สามารถเป็นฟิล์มบางของทองแดงอลูมิเนียมออกไซด์มีความต้านทานที่เหมาะสมนำไปใช้เป็นเซ็นเซอร์วัดก๊าซตัวต้านทานชนิด p และ n สำหรับการตรวจสอบโอโซน เรามีศึกษาเงื่อนไขสะสมสปัตเตอร์เป้าหมายเผา CuAlO2 โดยการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิพื้นผิวในบรรยากาศเฉื่อย Ar นอกจากนี้ การสะสมหลังหลอมในบรรยากาศที่มี O2 ก็ยังทดสอบ XRD, SEMและตรวจสอบราเป็นลักษณะฟิล์มบาง ผสมขั้นตอนของการเลือกเช่นCuAlO2, CuAl2O4 และ CuO ทดสอบสำหรับก๊าซเซนเซอร์เคมีความต้านทาน แสดงสัญญาผลลัพธ์ ด้วยโอโซน อะซีโตน และเอทานอล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการศึกษานี้เราฝากใหม่ฟิล์มบาง ternary ทองแดงอลูมิเนียมออกไซด์กับ P-ชนิดและชนิดเอ็น
พฤติกรรมการใช้ RF magnetron sputtering เพื่อใช้เป็นเซ็นเซอร์ก๊าซสารเคมี วัสดุ P-Type เป็นที่รู้จักกัน
เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาที่ดีและสามารถใช้ร่วมกับที่รู้จักกันดีวัสดุชนิดเอ็นเซ็นเซอร์ chemiresistive
แอพลิเคชัน อลูมิเนียมทองแดงออกไซด์ใน CuAlO2 เฟส delafossite เป็นออกไซด์ ternary ที่ได้สร้าง
ความสนใจเป็นโปร่งใส P-ประเภทวัสดุการดำเนินการในขณะที่อยู่ในขั้นตอนนิล CuAl2O4 เป็นที่รู้จักกัน
ชนิดเอ็น เราแสดงให้เห็นว่าฟิล์มบางของอลูมิเนียมออกไซด์ทองแดงที่มีความต้านทานที่เหมาะสมสามารถ
ใช้ประสบความสำเร็จเป็นเซ็นเซอร์ก๊าซทาน p- และชนิดเอ็นโอโซนสำหรับการตรวจสอบ เราได้ศึกษา
เงื่อนไขการสะสมสปัตเตอร์จากเป้าหมายเผา CuAlO2 โดยการเปลี่ยนอุณหภูมิพื้นผิวใน
บรรยากาศ Ar เฉื่อย นอกจากนี้การอบการโพสต์ของพยานในสภาพแวดล้อมที่ O2 ยังได้รับการทดสอบ XRD, SEM
และรามันสืบสวนถูกนำมาใช้เพื่ออธิบายลักษณะฟิล์มบาง ภาพยนตร์เลือกด้วยขั้นตอนการผสม
CuAlO2, CuAl2O4 และออกไซด์ได้ผ่านการตรวจวัดก๊าซเซ็นเซอร์เคมีทานแสดงให้เห็นแนวโน้ม
ผลกับโอโซน, อะซิโตนและเอทานอล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการศึกษานี้เราฝากใหม่ ประกอบไปด้วยฟิล์มบางของทองแดงอลูมิเนียมออกไซด์กับพี และทั่วไปพฤติกรรมการใช้ RF แมกนีตรอนสปัตเตอริงเพื่อใช้เป็นก๊าซเซนเซอร์ทางเคมี พีเป็นวัสดุเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาที่ดีและสามารถรวมกับที่รู้จักกันดีทั่วไปวัสดุ chemiresistive เซ็นเซอร์การประยุกต์ใช้ ทองแดงอลูมิเนียมออกไซด์ใน delafossite เฟส cualo2 เป็นออกไซด์ที่ได้สร้างขึ้น พ.ศ.ดอกเบี้ยเป็นวัสดุโปร่งใสพีดำเนินการในขณะที่ในเนลเฟส cual2o4 เป็นที่รู้จักกันเป็นทั่วไป . เราพบว่าฟิล์มบางของทองแดงอลูมิเนียมออกไซด์ที่มีความต้านทานที่เหมาะสมสามารถสมัครเรียบร้อยแล้วเป็น P - ทั่วไปก๊าซเซนเซอร์ Resistive ค้นหาโอโซน เราได้ศึกษาสปัตเตอร์กเงื่อนไขจาก cualo2 เผาเป้าหมายโดยการเปลี่ยนอุณหภูมิพื้นผิวบรรยากาศเฉื่อย AR . นอกจากนี้ การตอบกระทู้ใน O2 บรรยากาศยังทดสอบ XRD , SEMรามันการสืบสวนและใช้สำหรับวิเคราะห์ฟิล์มบาง เลือกภาพยนตร์กับระยะผสมcualo2 2 ( cual2o4 , และการทดสอบเป็นเซ็นเซอร์ตรวจวัดก๊าซเคมีความต้านทานแสดงสัญญาผลลัพธ์ ด้วยโอโซน อะซิโตน และเอทานอล