The optical properties of Tl2Ga2S3S

The optical properties of Tl2Ga2S3Se layered crystalline semiconductors were investigated from transmission, reflection and ellipsometric measurements. The experimental results of the room temperature transmission and reflection measurements performed in the wavelength range of 400–1100 nm showed the presence of both indirect and direct transitions in the band structure of the crystals with 2.38 and 2.62 eV band gap energies.

Spectroscopic ellipsometry measurements on Tl2Ga2S3Se crystals were carried out on the layer-plane (0 0 1) surfaces with light polarization E⊥c⁎ in the 1.20–4.70 eV spectral range at room temperature. The real and imaginary parts of the dielectric function as well as refractive and absorption indices were found as a result of analysis of ellipsometric data. The Wemple–DiDomenico single-effective-oscillator model was used to study the dispersion of the refractive index in the below band gap energy range. The structures of critical points have been characterized from the second derivative spectra of the dielectric function. The analysis revealed four interband transition structures with 3.14, 3.40, 3.86 and 4.50 eV critical point energies

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คุณสมบัติแสงของ Tl2Ga2S3Se ชั้นผลึกอิเล็กทรอนิกส์ถูกสอบสวนจากวัดส่ง สะท้อน และ ellipsometric ผลการทดลองวัดอุณหภูมิห้องส่งและสะท้อนในช่วงความยาวคลื่น 400 – 1100 nm พบของช่วงการเปลี่ยนภาพโดยตรง และทางอ้อมในโครงสร้างของผลึกมี 2 วงการ38 และ 2.62 eV แถบช่องว่างพลังงาน

วัดด้าน ellipsometry Tl2Ga2S3Se ผลึกถูกดำเนินการบนผิวชั้นบิน (0 0 1) ด้วย E⊥c⁎ โพลาไรซ์แสงในช่วงสเปกตรัม 1.20-4.70 eV ที่อุณหภูมิห้อง ส่วนจริง และจำนวนจินตภาพ ของฟังก์ชันเป็นฉนวน และจักษุและดัชนีดูดซึมพบจากการวิเคราะห์ข้อมูล ellipsometric แบบเดี่ยวประสิทธิภาพ-oscillator Wemple – DiDomenico ใช้ในการศึกษาการกระจายตัวของดรรชนีในการด้านล่างแถบช่องว่างพลังงานช่วงนั้น โครงสร้างของจุดที่สำคัญได้รับลักษณะจากแรมสเป็คตราแบบที่สองของฟังก์ชันเป็นฉนวน การวิเคราะห์โครงสร้างเปลี่ยน interband สี่กับ 3.14, 3.40, 3.86 และ 4.50 eV จุดสำคัญพลังงานที่เปิดเผย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คุณสมบัติทางแสงของผลึก Tl2Ga2S3Se เซมิคอนดักเตอร์ชั้นถูกตรวจสอบจากการส่งผ่านการสะท้อนและการวัด ellipsometric ผลการทดลองที่อุณหภูมิห้องส่งและสะท้อนให้เห็นถึงการวัดการดำเนินการในช่วงความยาวคลื่นของ 400-1100 นาโนเมตรแสดงให้เห็นว่าการปรากฏตัวของการเปลี่ยนทั้งทางอ้อมและทางตรงในโครงสร้างวงของผลึกกับ 2.38 และ 2.62 eV พลังงานช่องว่างแถบวัด ellipsometry สเปกโทรสโกเมื่อวันที่ ผลึก Tl2Ga2S3Se ได้ดำเนินการในชั้นระนาบ (0 0 1) พื้นผิวที่มีขั้วแสงE⊥c⁎ใน 1.20-4.70 eV ช่วงสเปกตรัมที่อุณหภูมิห้อง ชิ้นส่วนจริงและจินตนาการของฟังก์ชั่นอิเล็กทริกเช่นเดียวกับดัชนีหักเหและการดูดซึมที่พบเป็นผลมาจากการวิเคราะห์ข้อมูล ellipsometric Wemple-DiDomenico รูปแบบเดียวที่มีประสิทธิภาพ oscillator ถูกใช้ในการศึกษาการกระจายตัวของดัชนีหักเหในด้านล่างของวงช่วงพลังงานช่องว่าง โครงสร้างของจุดที่สำคัญที่ได้รับความโดดเด่นจากสเปกตรัมอนุพันธ์อันดับสองของฟังก์ชั่นอิเล็กทริก วิเคราะห์พบสี่โครงสร้างการเปลี่ยนแปลง Interband กับ 3.14, 3.40, 3.86 และ 4.50 eV พลังงานจุดวิกฤติ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คุณสมบัติทางแสงของ tl2ga2s3se ชั้นผลึกสารกึ่งตัวนำ คือจากเกียร์ การสะท้อน และการวัด ellipsometric . ผลของการส่งผ่านอุณหภูมิห้องและสะท้อนการวัดแสดงในช่วงความยาวคลื่นของ 400 – 1100 นาโนเมตร พบการปรากฏตัวของทั้งทางอ้อมและทางตรง การเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างของผลึกที่มีวง 238 และ 2.62 EV ช่องว่างแถบพลังงาน

ทางลิปโซมิตรีการวัดใน tl2ga2s3se คริสตัลถูกดำเนินการบนชั้นเครื่องบิน ( 0 0 1 ) พื้นผิวด้วยแสงโพลาไรซ์ อี⊥ C ⁎ใน 1.20 – 4.70 EV สเปกตรัมช่วงที่อุณหภูมิห้อง จริงและจินตนาการ ส่วนการทำงานของไดอิเล็กตริก เช่นเดียวกับดัชนีการหักเหและการดูดซับ พบว่า ผลจากการวิเคราะห์ข้อมูล ellipsometric .การ wemple – didomenico เดียวที่มีรูปแบบการใช้เพื่อศึกษาการกระจายตัวของค่าดัชนีหักเหในด้านล่างช่วงช่องว่างแถบพลังงาน . โครงสร้างของจุดที่สำคัญมีลักษณะที่สองของฟังก์ชันอนุพันธ์สเปกตรัมจากฉนวน . จากการวิเคราะห์พบสี่ interband เปลี่ยนโครงสร้างกับ 3.14 , 3.40 , 3.86 และ 4.50 EV จุดวิกฤตพลังงาน