While connecting together various M

While connecting together various MOSFETS in parallel may enable us to switch high currents or high voltage loads, doing so becomes expensive and impractical in both components and circuit board space. To overcome this problem Power Field Effect Transistors or Power FET’s where developed.

We now know that there are two main differences between field effect transistors, depletion-mode only for JFET’s and both enhancement-mode and depletion-mode for MOSFETs. In this tutorial we will look at using the Enhancement-mode MOSFET as a Switch as these transistors require a positive gate voltage to turn “ON” and a zero voltage to turn “OFF” making them easily understood as switches and also easy to interface with logic gates.

The operation of the enhancement-mode MOSFET, or e-MOSFET, can best be described using its i-v characteristics curves shown below. When the input voltage, ( VIN ) to the gate of the transistor is zero, the MOSFET conducts virtually no current and the output voltage ( VOUT ) is equal to the supply voltage VDD. So the MOSFET is “OFF” operating within its “cut-off” region.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขณะที่เชื่อมต่อเข้าด้วยกัน MOSFETS ต่างๆในแบบคู่ขนานอาจช่วยให้เราสามารถสลับกระแสสูงหรือโหลดไฟฟ้าแรงสูง, การทำเช่นนั้นจะกลายเป็นแพงและทำไม่ได้ทั้งในส่วนประกอบและพื้นที่แผงวงจร ที่จะเอาชนะปัญหานี้เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์สนามผลหรืออำนาจของ FET ที่พัฒนา. ตอนนี้เรารู้ว่ามีสองความแตกต่างที่สำคัญระหว่างทรานซิสเตอร์สนามผลพร่องโหมดเฉพาะสำหรับ JFET และการเพิ่มประสิทธิภาพของทั้งสองโหมดและการสูญเสียโหมดสำหรับ MOSFETs ในการกวดวิชานี้เราจะดูที่การใช้ MOSFET การเพิ่มประสิทธิภาพของโหมดเป็นสวิทช์เป็นทรานซิสเตอร์เหล่านี้ต้องใช้แรงดันประตูบวกที่จะเปิด "ON" และแรงดันไฟฟ้าเป็นศูนย์ที่จะเปิด "ปิด" ทำให้พวกเขาได้อย่างง่ายดายเข้าใจว่าเป็นสวิทช์และยังง่ายต่อการติดต่อกับ จิกเกต. การดำเนินงานของการเพิ่มประสิทธิภาพของ MOSFET โหมด, หรือ e-MOSFET สามารถดีที่สุดจะอธิบายโดยใช้ลักษณะของเส้นโค้ง IV แสดงด้านล่าง เมื่อแรงดันไฟฟ้าอินพุต (VIN) ถึงประตูทรานซิสเตอร์เป็นศูนย์ MOSFET ดำเนินแทบไม่มีในปัจจุบันและแรงดันเอาท์พุท (VOUT) มีค่าเท่ากับแรงดัน VDD ดังนั้น MOSFET คือ "OFF" การดำเนินงานภายในของ "ตัด" ภาค

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในขณะที่เชื่อมต่อด้วยกันต่างๆสอดแบบขนานอาจจะช่วยให้เราสามารถเปลี่ยนกระแสสูง หรือโหลดแรงดันสูง ทำให้กลายเป็นราคาแพงและยากมาก ทั้งองค์ประกอบและวงจรอวกาศ ที่จะเอาชนะปัญหานี้สนามผลทรานซิสเตอร์หรือเฟต พลังอำนาจที่พัฒนาตอนนี้เรารู้แล้วว่ามี สอง หลัก ความแตกต่างระหว่างสนามผลทรานซิสเตอร์ โหมดการ jfet เท่านั้นและทั้งเพิ่มโหมดและโหมดการสำหรับสอด ในกวดวิชานี้เราจะดูที่การเพิ่มโหมดมอสเฟตเป็นตัวเปลี่ยนเป็นทรานซิสเตอร์เหล่านี้ต้องใช้แรงดันประตูบวกกับเปิด " บน " และ " ปิด " แรงดันศูนย์ที่จะเปิดให้พวกเขาเข้าใจได้ง่าย เช่น สวิตช์ และยังง่ายต่อการอินเตอร์เฟซกับประตูตรรกะการเพิ่มโหมด MOSFET หรือ e-mosfet สามารถที่ดีที่สุดจะอธิบายลักษณะของไฟฟ้าใช้เส้นโค้งที่แสดงด้านล่าง เมื่อแรงดัน ( VIN ) ประตูของทรานซิสเตอร์คือศูนย์ มอสเฟตจึงแทบไม่มีกระแสและแรงดัน ( vout ) มีค่าเท่ากับแรงดัน VDD . ดังนั้น มอสเฟตเป็น " ปิด " งานภายใน " ตัด " )