The Cu/Ge/Pd/n-GaAs and Cu/Pt/Ti/Pt

The Cu/Ge/Pd/n-GaAs and Cu/Pt/Ti/Pt/p-Ge samples were annealed at 250
C for 3 h, 6 h and 9 h, and the specific contact resistance of the samples were measured

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างของ Cu/Ge/Pd/n-GaAs และ Cu/Pt/ตี้/Pt/p-Ge ได้ annealed ที่ 250 C สำหรับวัด 3 h, 6 h และ 9 h และต้านทานติดต่อเฉพาะของตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุฬาฯ / Ge / Pd / n-GaAs และทองแดง / Pt / ตี / Pt / ตัวอย่างพีจีอีได้รับการอบที่ 250 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 3 ชั่วโมง, 6 ชั่วโมงและ 9 ชั่วโมงและความต้านทานติดต่อที่เฉพาะเจาะจงของกลุ่มตัวอย่างถูกวัด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จุฬาฯ / GE / PD / n-gaas และตัวอย่าง Cu / PT / Ti / PT / p-ge ก็อบที่ 250
C เป็นเวลา 3 ชั่วโมง 6 ชั่วโมงและ 9 ชั่วโมง และเฉพาะติดต่อต้านทานของการเก็บรวบรวมข้อมูล