Porous layers were made using p-typ

Porous layers were made using p-type GaAs(100) substrates
doped with Zn hole concentration 1018 cm3 and
InP(100) wafers doped with 1016 cm3 S. The samples were
degreased with acetone, propanol and methanol and extensively
rinsed with deionized water and were then blown

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชั้นที่มีรูพรุนที่ถูกสร้างขึ้นโดยใช้ชนิดพี GaAs (100)
พื้นผิวยาที่มีความเข้มข้นหลุมZn 1018 ซม. 3 และ
InP (100) เวเฟอร์เจือด้วย 1016 ซม. 3 เอสกลุ่มตัวอย่างถูก
degreased
ด้วยอะซิโตนโพรและเมทานอลอย่างกว้างขวางและล้างด้วยdeionized น้ำและถูกลมพัดปลิวแล้ว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชั้นถูกสร้างโดยใช้พีรูพรุนแกลเลียมอาร์เซไนด์ ( 100 ) พื้นผิว
เจือด้วยสังกะสีความเข้มข้น 1018 ซม. หลุม  3
( 100 ) InP เวเฟอร์เจือด้วย  3 s 1184 ซม. จำนวน
degreased ด้วยอะซิโตน เมทานอล และโพรพานอล และอย่างกว้างขวาง
ล้างด้วยน้ำแล้วเป่าคล้ายเนื้อเยื่อประสาน