The highly anisotropic material CsB

The highly anisotropic material CsBi4Te6 was prepared by the reaction of Cs/Bi2Te3 around 600
°C. The compound crystallizes in the monoclinic space group C2/m with a ) 51.9205(8) Å, b ) 4.4025(1)
Å, c ) 14.5118(3) Å, â ) 101.480(1)°, V ) 3250.75(11) Å3, and Z ) 8. The final R values are R1 ) 0.0585
and wR2 ) 0.1127 for all data. The compound has a 2-D structure composed of NaCl-type [Bi4Te6] anionic
layers and Cs+ ions residing between the layers. The [Bi4Te6] layers are interconnected by Bi-Bi bonds at
a distance of 3.2383(10) Å. This material is a narrow gap semiconductor. Optimization studies on the
thermoelectric properties with a variety of doping agents show that the electrical properties of CsBi4Te6
can be tuned to yield an optimized thermoelectric material which is promising for low-temperature
applications. SbI3 doping resulted in p-type behavior and a maximum power factor of 51.5 íW/cmâK2 at
184 K and the corresponding ZT of 0.82 at 225 K. The highest power factor of 59.8 íW/cmâK2 at 151 K
was obtained from 0.06% Sb-doped material. We report here the synthesis, physicochemical properties,
doping characteristics, charge-transport properties, and thermal conductivity. Also presented are studies
on n-type CsBi4Te6 and comparisons to those of p-type.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

CsBi4Te6 วัสดุแบบ anisotropic สูงถูกเตรียมจากปฏิกิริยาของ Cs/Bi2Te3 ประมาณ 600
° c บริเวณ crystallizes ในกลุ่มพื้นที่ monoclinic C2/m ด้วย) 51.9205(8) Å ข 4.4025 (1)
Å 14.5118(3) c) Å â) 101.480(1) ° V) 3250.75(11) Å3 และ Z) 8 ค่า R สุดท้ายคือ R1) 0.0585
และ wR2) 0.1127 สำหรับข้อมูลทั้งหมด สารประกอบมีโครงสร้าง 2 มิติประกอบด้วย NaCl ชนิด [Bi4Te6] ย้อม
ชั้นและประจุ Cs แห่งระหว่างชั้น ชั้น [Bi4Te6] จะเข้าใจพันธบัตร Bi-Bi ที่
ระยะ a 3.2383(10) Å วัสดุนี้เป็นสารกึ่งตัวนำช่องว่างแคบ ศึกษาการเพิ่มประสิทธิภาพในการ
คุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ มีหลากหลายตัวแทนโดปปิงค์แสดงว่าคุณสมบัติทางไฟฟ้าของ CsBi4Te6
สามารถปรับให้เป็นวัสดุแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ให้เหมาะซึ่งเป็นแนวโน้มสำหรับอุณหภูมิต่ำ
โปรแกรมประยุกต์ได้ โดปปิงค์ SbI3 ส่งผลให้เกิดพฤติกรรมชนิด p และสัดส่วนของอำนาจสูงสุดของ íW 51.5 cmâK2 ที่
184 K และ ZT สอดคล้องกันของ$ 0.82 ที่คุณ 225 ตัวประกอบกำลังสูงสุดของ íW 59.8 cmâK2 ที่ 151 K
กล่าวจาก 0.06% Sb doped วัสดุ เรารายงานนี่สังเคราะห์ คุณสมบัติ physicochemical
โดปปิงค์ลักษณะ คุณสมบัติค่าขนส่ง และการนำความร้อน นำเสนอนอกจากนี้ยัง มีการศึกษา
CsBi4Te6 และเปรียบเทียบกับชนิด p ชนิด n

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

CsBi4Te6 วัสดุ anisotropic สูงได้รับการจัดเตรียมโดยปฏิกิริยาของ Cs/Bi2Te3 ประมาณ 600
° C. สารประกอบที่ตกผลึกในกลุ่มพื้นที่ monoclinic C2 / เมตร) 51.9205 (8) A, B) 4.4025 (1)
A, C) 14.5118 (3) A, A) 101.480 (1) °, V) 3250.75 (11) A3, และ Z) 8. ค่า R สุดท้ายคือ R1) 0.0585
และ WR2) 0.1127 ข้อมูลทั้งหมด สารประกอบที่มีโครงสร้างแบบ 2 มิติประกอบด้วยโซเดียมคลอไรด์ชนิด [Bi4Te6] ที่ประจุลบ
ชั้นและ Cs + ไอโอนิกที่อาศัยอยู่ระหว่างชั้น [Bi4Te6] ชั้นจะถูกเชื่อมต่อกันด้วยพันธะ Bi-Bi ที่
ระยะทาง 3.2383 (10) Å วัสดุนี้เป็นเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างแคบ การศึกษาการเพิ่มประสิทธิภาพใน
คุณสมบัติของเทอร์โมมีความหลากหลายของตัวแทนยาสลบแสดงให้เห็นว่าคุณสมบัติทางไฟฟ้าของ CsBi4Te6
สามารถปรับเพื่อให้ได้วัสดุเทอร์โมที่ดีที่สุดที่มีแนวโน้มต่ำอุณหภูมิ
การใช้งาน SbI3 ยาสลบส่งผลให้พฤติกรรมชนิดพีและปัจจัยอำนาจสูงสุดของ 51.5 íW/cmâK2ที่
184 K และสอดคล้อง ZT 0.82 ที่ 225 K. ปัจจัยอำนาจสูงสุดของ 59.8 íW/cmâK2ที่ 151 K
ที่ได้รับจาก 0.06% Sb- วัสดุยา เรารายงานที่นี่สังเคราะห์คุณสมบัติทางเคมีกายภาพ
ลักษณะยาสลบคุณสมบัติค่าใช้จ่ายการขนส่งและการนำความร้อน นำเสนอยังมีการศึกษา
เกี่ยวกับประเภท n CsBi4Te6 และการเปรียบเทียบกับของชนิดพี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ csbi4te6 วัสดุสูงอุบเตรียมโดยปฏิกิริยาของ CS / bi2te3 ประมาณ 600
/ C . สารประกอบตกผลึกในกลุ่มพื้นที่โมโนคลินิก C2 / M ด้วย ) 51.9205 ( 8 ) • , B ) 4.4025 กริพเพน ( 1 )
, C ) 14.5118 กริพเพน ( 3 ) , ( 1 ) โดย 94.560 â ) , 5 ) 3250.75 ( 11 ) • 3 , และ Z ) 8 . สุดท้าย R ค่า R1 ) และ 0.0585
wr2 ) 0.1127 สำหรับข้อมูลทั้งหมดสารประกอบที่มีโครงสร้าง 2 มิติ ประกอบด้วยประเภท [ เกลือ ] และ bi4te6
ชั้นและ CS ไอออนอยู่ระหว่างชั้น [ bi4te6 ] ชั้นจะเชื่อมต่อกันด้วยพันธะบีบีที่
ระยะทาง 3.2383 ( 10 ) • . สารนี้เป็นสารช่องว่างแคบๆ การเพิ่มประสิทธิภาพการศึกษา
คุณสมบัติของเทอร์โมที่มีความหลากหลายของการเป็นตัวแทนแสดงสมบัติทางไฟฟ้าของ csbi4te6
สามารถปรับให้เหมาะกับปริมาณวัสดุ เทอร์โม ซึ่งเป็นสัญญาสำหรับงานอุณหภูมิ

sbi3 โด๊ป ส่งผลให้พฤติกรรมของพีและพลังงานสูงสุดปัจจัย 51.5 í w / cm
2 K âที่ 184 และสอดคล้องกัน ZT 0.82 ที่ 225 k สูงสุดพลังปัจจัย 59.8 í w / ซม. â K2 ที่ 151 K
ได้จาก 0.06% ) ด้วยวัสดุ เรารายงานที่นี่คุณสมบัติทางกายภาพและทางเคมีสังเคราะห์ที่
โด๊ป คุณลักษณะ คุณสมบัติการขนส่งค่าใช้จ่ายและ thermal conductivity ยังนำเสนอการเรียน
บน csbi4te6 ทั่วไปและเปรียบเทียบกับของพี .